Заглавная страница Избранные статьи Случайная статья Познавательные статьи Новые добавления Обратная связь FAQ Написать работу КАТЕГОРИИ: ТОП 10 на сайте Приготовление дезинфицирующих растворов различной концентрацииТехника нижней прямой подачи мяча. Франко-прусская война (причины и последствия) Организация работы процедурного кабинета Смысловое и механическое запоминание, их место и роль в усвоении знаний Коммуникативные барьеры и пути их преодоления Обработка изделий медицинского назначения многократного применения Образцы текста публицистического стиля Четыре типа изменения баланса Задачи с ответами для Всероссийской олимпиады по праву
Мы поможем в написании ваших работ! ЗНАЕТЕ ЛИ ВЫ?
Влияние общества на человека
Приготовление дезинфицирующих растворов различной концентрации Практические работы по географии для 6 класса Организация работы процедурного кабинета Изменения в неживой природе осенью Уборка процедурного кабинета Сольфеджио. Все правила по сольфеджио Балочные системы. Определение реакций опор и моментов защемления |
Подбор заменяющих транзисторов сложен из-за большого числа параметров, по которым он производится. Во-первых, выбирается транзистор с аналогичной структурой (p-n-р или n-р-n проводимости).Содержание книги
Похожие статьи вашей тематики
Поиск на нашем сайте
Во-вторых, проводят оценку действующих в узлах устройства токов и напряжений. Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер транзистора должно быть больше, чем максимальное (с учетом переменной составляющей) напряжение, действующее на этом участке. При замене транзисторов следует оценить, обеспечивают ли предыдущие каскады необходимый ток в нагрузке (по постоянной и переменной составляющим) при минимально допустимом значении этого коэффициента. И наконец, необходимо проверить, подходит ли заменяющий транзистор по частотным характеристикам. Таким образом, основными параметрами транзисторов, учитываемыми при замене, являются - максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер, ток коллектора, рассеиваемая мощность коллектора, а также статический коэффициент передачи тока (в схеме с общим эмиттером). Выбирать заменяющий транзистор следует из того же класса, что и заменяемый (маломощный, высокочастотный и т. д.), с такими же или несколько лучшими параметрами. Вывод базы транзистора желательно присоединять в схему первыми и отключать последними. Запрещается подавать напряжение на транзистор, база которого отключена. В схеме источника питания были использованы транзисторы КТ502Г, КТ815Б. КТ502Г К- кремниевый; Т- транзистор биполярный; 5- средней мощности, средней частоты; 02- номер разработки типа прибора; Г- параметрический тип. КТ815Б К- кремниевый; Т- транзистор биполярный; 8- высокой мощности, средней частоты; 15- номер разработки типа прибора; Б- параметрический тип. Стабилитроны Включить мультиметр в режим проверки диодов. Косниться выводов стабилитрона щупами мультиметра. Затем поменять местами щупы и снова коснуться ими выводов стабилитрона. В одном из положений мультиметр должен показать сопротивление стабилитрона 300 – 600 Ом, в другом положении на дисплее должна быть цифра 1 в крайнем левом регистре (что означает, что измеряемое сопротивление прибора бесконечно велико для данного диапазона измерений мультиметра). В этом случае стабилитрон исправен. Стабилитрон неисправен, если мультиметр в обоих случаях измерений показывает бесконечное сопротивление (внутренний обрыв), очень низкое сопротивление (пробой) или сопротивление порядка 30 – 500 Ом (полупробой). Интегральная микросхема Интегральная микросхема – это конструктивно законченное микроэлектронное изделие, выполняющее определенное преобразование и обработку сигналов, и имеющее высокую плотность упаковки радиоэлементов и кристаллов. Параметры микросхем разнообразны и зависят от их функционального назначения. Определение дефектной микросхемы начинают с внимательного внешнего осмотра. Далее вывод о неисправности микросхемы делают из анализа ее работы в устройстве. При этом измеряют режим работы микросхемы по постоянному току, проверяют прохождение сигнала. В электронных блоках бытовой аппаратуры широко применяются как аналоговые, так и цифровые интегральные микросхемы. Их использование повышает надежность приборов, уменьшает число электрорадиоэлементов, а, следовательно, упрощает их ремонт. Однако при эксплуатации электронных блоков микросхемы достаточно часто выходят из строя. Вывод о том, что микросхема неисправна, можно сделать лишь после проверки всех ЭРЭ, подключенных к ней. Вначале контролируют режим работы микросхемы по постоянному току с использованием эталонных данных приводимых на принципиальных схемах или в сервисных инструкциях на конкретную модель РЭА. Пониженное напряжение на одном из выводов микросхемы может быть из-за наличия утечки подключенного к этой точке конденсатора, который при проверке можно отключить. После этого при помощи осциллографа контролируют правильность прохождения сигнала. Для цифровых микросхем напряжения на выводах имеют два возможных уровня: низкий (логический 0), и высокий (логическая 1). Если подозрительной является простая по структуре микросхема - логический элемент, то можно смоделировать ее режим работы согласно таблице состояний (истинности). Отклонения в работе такой микросхемы от значений, приведенных в этой таблице, говорит о неисправности микросхемы. Сформировать сигнал логического ноля на любом из входов микросхемы можно, соединив этот вывод с общим проводом. Сигнал логической единицы получается, если подключить вывод через ограничительный резистор к проводу питания.
|
||||
|
Последнее изменение этой страницы: 2016-12-30; просмотров: 548; Нарушение авторского права страницы; Мы поможем в написании вашей работы! infopedia.su Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав. Обратная связь - 216.73.216.169 (0.007 с.) |