Заглавная страница Избранные статьи Случайная статья Познавательные статьи Новые добавления Обратная связь FAQ Написать работу КАТЕГОРИИ: АрхеологияБиология Генетика География Информатика История Логика Маркетинг Математика Менеджмент Механика Педагогика Религия Социология Технологии Физика Философия Финансы Химия Экология ТОП 10 на сайте Приготовление дезинфицирующих растворов различной концентрацииТехника нижней прямой подачи мяча. Франко-прусская война (причины и последствия) Организация работы процедурного кабинета Смысловое и механическое запоминание, их место и роль в усвоении знаний Коммуникативные барьеры и пути их преодоления Обработка изделий медицинского назначения многократного применения Образцы текста публицистического стиля Четыре типа изменения баланса Задачи с ответами для Всероссийской олимпиады по праву Мы поможем в написании ваших работ! ЗНАЕТЕ ЛИ ВЫ?
Влияние общества на человека
Приготовление дезинфицирующих растворов различной концентрации Практические работы по географии для 6 класса Организация работы процедурного кабинета Изменения в неживой природе осенью Уборка процедурного кабинета Сольфеджио. Все правила по сольфеджио Балочные системы. Определение реакций опор и моментов защемления |
Подбор заменяющих транзисторов сложен из-за большого числа параметров, по которым он производится. Во-первых, выбирается транзистор с аналогичной структурой (p-n-р или n-р-n проводимости).Содержание книги
Похожие статьи вашей тематики
Поиск на нашем сайте
Во-вторых, проводят оценку действующих в узлах устройства токов и напряжений. Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер транзистора должно быть больше, чем максимальное (с учетом переменной составляющей) напряжение, действующее на этом участке. При замене транзисторов следует оценить, обеспечивают ли предыдущие каскады необходимый ток в нагрузке (по постоянной и переменной составляющим) при минимально допустимом значении этого коэффициента. И наконец, необходимо проверить, подходит ли заменяющий транзистор по частотным характеристикам. Таким образом, основными параметрами транзисторов, учитываемыми при замене, являются - максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер, ток коллектора, рассеиваемая мощность коллектора, а также статический коэффициент передачи тока (в схеме с общим эмиттером). Выбирать заменяющий транзистор следует из того же класса, что и заменяемый (маломощный, высокочастотный и т. д.), с такими же или несколько лучшими параметрами. Вывод базы транзистора желательно присоединять в схему первыми и отключать последними. Запрещается подавать напряжение на транзистор, база которого отключена. В схеме источника питания были использованы транзисторы КТ502Г, КТ815Б. КТ502Г К- кремниевый; Т- транзистор биполярный; 5- средней мощности, средней частоты; 02- номер разработки типа прибора; Г- параметрический тип. КТ815Б К- кремниевый; Т- транзистор биполярный; 8- высокой мощности, средней частоты; 15- номер разработки типа прибора; Б- параметрический тип. Стабилитроны Включить мультиметр в режим проверки диодов. Косниться выводов стабилитрона щупами мультиметра. Затем поменять местами щупы и снова коснуться ими выводов стабилитрона. В одном из положений мультиметр должен показать сопротивление стабилитрона 300 – 600 Ом, в другом положении на дисплее должна быть цифра 1 в крайнем левом регистре (что означает, что измеряемое сопротивление прибора бесконечно велико для данного диапазона измерений мультиметра). В этом случае стабилитрон исправен. Стабилитрон неисправен, если мультиметр в обоих случаях измерений показывает бесконечное сопротивление (внутренний обрыв), очень низкое сопротивление (пробой) или сопротивление порядка 30 – 500 Ом (полупробой). Интегральная микросхема Интегральная микросхема – это конструктивно законченное микроэлектронное изделие, выполняющее определенное преобразование и обработку сигналов, и имеющее высокую плотность упаковки радиоэлементов и кристаллов. Параметры микросхем разнообразны и зависят от их функционального назначения. Определение дефектной микросхемы начинают с внимательного внешнего осмотра. Далее вывод о неисправности микросхемы делают из анализа ее работы в устройстве. При этом измеряют режим работы микросхемы по постоянному току, проверяют прохождение сигнала. В электронных блоках бытовой аппаратуры широко применяются как аналоговые, так и цифровые интегральные микросхемы. Их использование повышает надежность приборов, уменьшает число электрорадиоэлементов, а, следовательно, упрощает их ремонт. Однако при эксплуатации электронных блоков микросхемы достаточно часто выходят из строя. Вывод о том, что микросхема неисправна, можно сделать лишь после проверки всех ЭРЭ, подключенных к ней. Вначале контролируют режим работы микросхемы по постоянному току с использованием эталонных данных приводимых на принципиальных схемах или в сервисных инструкциях на конкретную модель РЭА. Пониженное напряжение на одном из выводов микросхемы может быть из-за наличия утечки подключенного к этой точке конденсатора, который при проверке можно отключить. После этого при помощи осциллографа контролируют правильность прохождения сигнала. Для цифровых микросхем напряжения на выводах имеют два возможных уровня: низкий (логический 0), и высокий (логическая 1). Если подозрительной является простая по структуре микросхема - логический элемент, то можно смоделировать ее режим работы согласно таблице состояний (истинности). Отклонения в работе такой микросхемы от значений, приведенных в этой таблице, говорит о неисправности микросхемы. Сформировать сигнал логического ноля на любом из входов микросхемы можно, соединив этот вывод с общим проводом. Сигнал логической единицы получается, если подключить вывод через ограничительный резистор к проводу питания.
|
||||
Последнее изменение этой страницы: 2016-12-30; просмотров: 472; Нарушение авторского права страницы; Мы поможем в написании вашей работы! infopedia.su Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав. Обратная связь - 18.191.44.145 (0.007 с.) |