Заглавная страница Избранные статьи Случайная статья Познавательные статьи Новые добавления Обратная связь FAQ Написать работу КАТЕГОРИИ: АрхеологияБиология Генетика География Информатика История Логика Маркетинг Математика Менеджмент Механика Педагогика Религия Социология Технологии Физика Философия Финансы Химия Экология ТОП 10 на сайте Приготовление дезинфицирующих растворов различной концентрацииТехника нижней прямой подачи мяча. Франко-прусская война (причины и последствия) Организация работы процедурного кабинета Смысловое и механическое запоминание, их место и роль в усвоении знаний Коммуникативные барьеры и пути их преодоления Обработка изделий медицинского назначения многократного применения Образцы текста публицистического стиля Четыре типа изменения баланса Задачи с ответами для Всероссийской олимпиады по праву Мы поможем в написании ваших работ! ЗНАЕТЕ ЛИ ВЫ?
Влияние общества на человека
Приготовление дезинфицирующих растворов различной концентрации Практические работы по географии для 6 класса Организация работы процедурного кабинета Изменения в неживой природе осенью Уборка процедурного кабинета Сольфеджио. Все правила по сольфеджио Балочные системы. Определение реакций опор и моментов защемления |
Драйверы IGBT - транзисторовСодержание книги
Поиск на нашем сайте
Основной элементной базой для построения преобразователей частоты современных частотно-регулируемых электроприводов малой и средней мощности являются IGBT транзисторы. Усилитель импульсов управления, который формирует выходные сигналы требуемой мощности и формы для управления IGBT транзисторами и изготовленный в виде отдельной интегральной схемы, называется драйвером. Драйвер (рис. 24) содержит выходной узел I, принимающий сигнал информационного канала; узел согласования II, преобразующий информационный сигнал в сигнал управления необходимого уровня; выходной узел III, осуществляющий окончательное формирование импульса управления требуемой мощности и формы. Дополнительно на драйвер могут быть возложены функции защиты силового ключа от перегрузки или слежения за уровнем напряжения питания микросхемы. В зависимости от применяемого вида гальванической развязки входной узел представляет собой фотоприемное устройство оптронной пары, как это показано на рис. 24, либо логическую схему, передающую информационный сигнал в узел Рис. 24. Структурная схема IGBT транзистора: I – входной узел; II- узел согласования; III – выходной узел; 1,2 – клеммы входного сигнала; 3, 6 – клеммы для подключения источника питания; 4, 5 – клеммы для выходного сигнала высокочастотной трансформаторной системы разделения цепей. Узел согласования представляет собой один или несколько ключевых транзисторов, преобразующих уровень информационного сигнала. Основные требования к узлу согласования — высокий коэффициент усиления по току и повышенное быстродействие. Входные узлы и узлы согласования драйверов IGBT транзисторов строятся по идентичным схемам. Схема построения выходного узла зависит от схемы цепи управления силового ключа и временных параметров режима его управления. Модули IGBT на токи до 600 А реализуются с включенным в структуру драйвером, свыше 600 А — драйвер поставляется отдельно. ЗАЩИТА ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЕЙ Одним из многих преимуществ полупроводниковых приборов силовой электроники являются их малые габариты. Однако небольшая масса и размеры их поверхности обусловливают малую постоянную времени нагрева и ухудшение условий теплоотдачи. Тепловая чувствительность полупроводниковых приборов предъявляет высокие требования к средствам их защиты. В схемах преобразователей силовой электроники полупроводниковые ключи в наибольшей степени чувствительны к перегрузкам по току и напряжению. По этой причине, а также с учетом того, что силовые ключи являются наиболее дорогими компонентами схемы, основное внимание при разработке методов защиты следует уделять именно этим приборам. Мероприятия по обеспечению защиты схемы и ее элементов сводятся к двум основным направлениям: к устранению причин и источников электрической перегрузки и методам борьбы с естественными перегрузками. Защита от перегрузок по напряжению. Различают три основных вида перегрузок по напряжению: 1. Возникающие в питающей сети. 2. Связанные с процессами коммутации в схеме преобразователя и обусловленные конечными временными параметрами переключения силовых ключей. 3. Обусловленные характером нагрузки. Перегрузки первой группы определяются показателями качества питающей сети. Поскольку данные перенапряжения опасны для всех остальных компонентов схемы, для борьбы с ними используют внешние (например, цепочки RC) по отношению к конкретной схеме защитные устройства, включаемые параллельно входу преобразователя. Перегрузки по напряжению второй группы связаны с процессами накопления и рассасывания зарядов в ключевых элементах схемы, а также с влиянием паразитных элементов монтажа и корпуса полупроводниковых приборов. Данные перегрузки ограничиваются применением дополнительных защитных цепочек (например, RC) или снабберов, включаемых параллельно ключу или группе приборов. Перегрузки по напряжению третьей группы определяются, как правило, действием нагрузок со значительной индуктивностью, что требует дополнительных элементов (например, диодов), шунтирующих нагрузку и обеспечивающих перевод накопленной энергии с целью исключения всплесков напряжения. Защита от перенапряжений тиристора может осуществляться с помощью включаемого параллельно ему варистора, сопротивление которого уменьшается с увеличением напряжения. Защита перегрузок по току Основными видами аварийных токовых перегрузок являются: 1. Короткие замыкания, возникающие по следующим причинам: · в силовой схеме, обусловленные повреждением какого-либо ключа или диода; · из-за повреждения ключа, соединенного параллельно с несколькими другими приборами; · на выходных клеммах преобразователя (так называемое «глухое» внешнее короткое замыкание); · в цепи нагрузки. 2. Токовая нагрузка, связанная со сбоями в работе системы управления, неидеальностью характеристик ключей, характером нагрузки (пусковой режим, перегрузка двигателя) и др. Токовая защита тиристоров осуществляется с помощью автоматических включателей и быстродействующих предохранителей, включаемых последовательно с тиристорами. Первые служат для защиты от длительных перегрузок, а вторые — от кратковременных. Время срабатывания защитной аппаратуры должно соответствовать характеристикам защищаемого полупроводникового прибора. Значение предохранителя должно быть не больше, чем соответствующее паспортное значение интеграла предельного тока ключа в режиме перегрузки. Автоматические выключатели или предохранители должны обеспечивать разрыв цепи до выхода из строя тиристора, причем автоматический выключатель, как правило, отключает схему целиком, а предохранители могут быть установлены для каждого прибора индивидуально. Следует отметить, что быстродействие данных устройств составляет единицы, а то и десятки миллисекунд, что для современных полностью управляемых ключей (например, IGBT) является недостаточным. Методы быстродействующей защиты микросекундного диапазона действия основываются на электронных схемах. Частично эти функции возлагают на драйверы современных силовых ключей.
|
||||
Последнее изменение этой страницы: 2016-09-18; просмотров: 624; Нарушение авторского права страницы; Мы поможем в написании вашей работы! infopedia.su Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав. Обратная связь - 3.144.1.100 (0.006 с.) |