Заглавная страница Избранные статьи Случайная статья Познавательные статьи Новые добавления Обратная связь FAQ Написать работу КАТЕГОРИИ: АрхеологияБиология Генетика География Информатика История Логика Маркетинг Математика Менеджмент Механика Педагогика Религия Социология Технологии Физика Философия Финансы Химия Экология ТОП 10 на сайте Приготовление дезинфицирующих растворов различной концентрацииТехника нижней прямой подачи мяча. Франко-прусская война (причины и последствия) Организация работы процедурного кабинета Смысловое и механическое запоминание, их место и роль в усвоении знаний Коммуникативные барьеры и пути их преодоления Обработка изделий медицинского назначения многократного применения Образцы текста публицистического стиля Четыре типа изменения баланса Задачи с ответами для Всероссийской олимпиады по праву Мы поможем в написании ваших работ! ЗНАЕТЕ ЛИ ВЫ?
Влияние общества на человека
Приготовление дезинфицирующих растворов различной концентрации Практические работы по географии для 6 класса Организация работы процедурного кабинета Изменения в неживой природе осенью Уборка процедурного кабинета Сольфеджио. Все правила по сольфеджио Балочные системы. Определение реакций опор и моментов защемления |
Взаємодія електромагнітного випромінювання з речовиноюСодержание книги Поиск на нашем сайте
Фотопровідність напівпровідників Явище взаємодії випромінювання з напівпровідником, внаслідок якого підвищується провідність матеріалу за рахунок переходу електронів з валентної зони чи домішкових рівнів у зону провідності називається внутрішнім фотоефектом. Струм, який при цьому виникає під впливом світла при накладанні на напівпровідник зовнішнього електричного поля, називається фотострумом, а відповідна провідність — фотопровідністю. Спричинити перехід електронів із валентної зони у зону провідності можуть тільки такі кванти світла, які мають енергією, не меншу ширини забороненої зони напівпровідника (). В результаті виникає власна фотопровідність, яка зумовлена як електронами так і дірками. Для домішкових напівпровідників властива домішкова фотопровідність, тобто фотопровідність можна спостерігати і при < . Для напівпровідників з донорною домішкою ( – типу) фотон повинен мати енергію >> , а для напівпровідників з акцепторною домішкою ( – типу) – >> . Домішкова фотопровідність є чисто електронною для напівпровідників – типу і чисто дірковою для напівпровідників – типу. Максимальна довжина хвилі , при якій ще можна спостерігати фотопровідність у напівпровіднику називається “червоною межею” внутрішнього фотоефекту. Для власних напівпровідників , а для домішкових напівпровідників , де , або . Для власних напівпровідників припадає на видиму область випромінювання, а для домішкових – на інфрачервону. На рис. 6.13 зображена типова залежність фотоструму і коефіцієнта поглинання від довжини хвилі випромінювання, яке потрапляє на власний напівпровідник. Спад фотопровідності в короткохвильовій частині на рис. 6.13, викликаний великою швидкістю
Рис. 6.13 рекомбінації носіїв заряду в напівпровіднику в умовах сильного поглинання світла. За експериментально знайденим значенням λ0 у видимій області випромінювання можна визначити ширину забороненої зони власного напівпровідника за формулою: . (6.7)
Люмінесценція твердих тіл У природі існує випромінювання, яке відрізняється за своїм характером від всіх відомих видів випромінювання, а саме від теплового випромінювання, відбивання, розсіювання світла і т.д. Це люмінесцентне випромінювання. Воно має такі особливості: - на окремих ділянках спектра спектральна густина люмінесцентного випромінювання перевищує спектральну густину випромінювання абсолютно чорного тіла; - люмінесцентне свічення речовини продовжується деякий час після припинення опромінення. Тривалість люмінесценції змінюється для різних речовин, залежно від умов, в широких межах, від мільярдних часток секунди до багатьох годин і навіть діб. У першому випадку це флуоресценція , а в другому – фосфоресценція ; - кожна речовина має певний характерний для неї спектр люмінесценції. Об'єднуючи ці всі ознаки, С.І. Вавілов дав таке визначення люмінесценції: люмінесценція – це оптичне випромінювання тіла, що є надлишковим над тепловим того самого тіла в даній спектральній області при тій же температурі, що має тривалість свічення більше ніж , тобто не припиняється одразу після усунення причини, що викликала свічення. Залежно від способу збудження люмінесценції розрізняють декілька її видів: · свічення, що виникає під дією світлового випромінювання як видимого, так і більш короткохвильового (фотолюмінесценція); · свічення, що виникає при електричних розрядах (електролюмінесценція); · свічення, яке викликане хімічними перетвореннями всередині тіла (хемілюмінес-ценція). Згідно з правилом Стокса спектр люмінесценції в цілому і його максимум завжди виявляються в області більш довших хвиль порівняно зі спектром поглинутого випромінювання, здатного викликати цю люмінесценцію. Це правило з точки зору квантової теорії означає, що енергія поглинутого фотона частково витрачається на енергію W, яка витрачається на неоптичні процеси, тобто , (6.8) звідки , або , що і виходить із сформульованого правила. Ступінь перетворення поглинутої енергії в енергію випромінювання характеризується „виходом люмінесценції”. С.Вавілов ввів 1) енергетичний вихід люмінофора – відношення енергії, яка випромінюється люмінофором при повному висвічуванні, до енергії, яка ним поглинута: ; (6.9) 2) квантовий вихід люмінофора – відношення числа квантів , що випромінені речовиною, до числа поглинутих квантів : . (6.10) Досліди показують, що кристали з високим ступенем досконалості ґратки практично не люмінесціюють. Для надання люмінесцентних властивостей в їх структурі необхідно створити дефекти. Найбільш ефективними дефектами є домішки сторонніх атомів. Ці домішки називаються активаторами. Складні, виготовлені штучно кристалічні речовини з дефектами внутрішньої структури, які мають високі люмінесцентні властивості, називаються кристалофосфорами. Розглянемо механізми виникнення люмінесценції з погляду зонної теорії твердих тіл. Між валентною зоною І і зоною провідності ІІ кристалофосфора розміщуються домішкові рівні активатора (рис. 6.14). При поглинанні атомом активатора фотона з енергією електрон з домішкового рівня переводиться в зону провідності, вільно переміщується по кристалу доти, доки не зустрінеться з іоном активатора і рекомбінує з ним, перейшовши знову на домішковий рівень. Рекомбінація супроводжується випроміненням кванта люмінесцентного випромінювання. Час випромінювання люмінофора визначається часом життя збудженого стану атомів активатора, який не перевищує ~ 10-9 с. Тому свічення є короткочасним (флуоресценція) і зникає швидко після припинення опромінення. Для виникнення тривалого свічення кристалофосфор повинен мати також центри захоплення або пастки для електронів, якими є незаповнені локальні рівні і , що лежать поблизу дна зон провідності (рис. 6.15). Вони можуть бути утворені атомами домішок, атомами в міжвузловинах. Під дією світла атоми активатора збуджуються, тобто електрони з домішкового рівня переходять в зону провідності і стають вільними. Однак вони захоплюються пастками, внаслідок чого втрачають свою рухливість, тобто здатність рекомбінувати з іонами активатора. Звільнення електрона з пастки вимагає певної енергії, яку електрони можуть отримати, наприклад, від теплових коливань ґратки. Електрон, який звільнений з пастки, потрапляє в зону провідності і рухається вільно до того часу, доки не буде захоплений пасткою знову або не рекомбінує з іоном активатора. В останньому випадку виникає квант люмінесцентного випромінювання. Тривалість цього процесу визначається часом перебування електрона в пастках.
Рекомендована література до Розділу VІ 1. І.Р. Зачек, І.М. Кравчук, Б.М. Романишин, В.М. Габа, Ф.М. Гончар. Курс фізики: Навчальний підручник/ За ред. І.Е. Лопатинського. – Львів: Бескид–Біт, 2002. 376 с. 2. Г.И. Епифанов. Физика твердого тела. – Москва.: Высш. школа, 1982. 288 с. 3. Б.М. Яворський, А.А. Детлаф. Курс фізики ІІІ. – К.: Вища школа, 1973. 499 с. 4. Т.И. Трофимова. Курс физики. – М.: Высш. школа, 1990. 478 с. 5. И.В. Савельев. Курс общей физики, т. ІІІ - М.: Наука, 1986.– 318 с. 6. К.Д. Хмелюк, Д.Д. Цициліано. Фізика атома і твердого тіла. – Київ.: Вища школа, 1974. 231 с. 7. І.Р. Зачек, І.Е. Лопатинський, Й.Я. Хром´як. Висвітлення досягнень українських фізиків у курсі фізики: Методичний посібник/ За ред. Ю.К. Руданського. – Львів: Видавництво національного університету „Львівська політехніка”, 2003. 84 с. Лабораторна робота № 30
|
|||||||
Последнее изменение этой страницы: 2016-08-26; просмотров: 400; Нарушение авторского права страницы; Мы поможем в написании вашей работы! infopedia.su Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав. Обратная связь - 3.145.84.128 (0.007 с.) |