Заглавная страница Избранные статьи Случайная статья Познавательные статьи Новые добавления Обратная связь КАТЕГОРИИ: АрхеологияБиология Генетика География Информатика История Логика Маркетинг Математика Менеджмент Механика Педагогика Религия Социология Технологии Физика Философия Финансы Химия Экология ТОП 10 на сайте Приготовление дезинфицирующих растворов различной концентрацииТехника нижней прямой подачи мяча. Франко-прусская война (причины и последствия) Организация работы процедурного кабинета Смысловое и механическое запоминание, их место и роль в усвоении знаний Коммуникативные барьеры и пути их преодоления Обработка изделий медицинского назначения многократного применения Образцы текста публицистического стиля Четыре типа изменения баланса Задачи с ответами для Всероссийской олимпиады по праву Мы поможем в написании ваших работ! ЗНАЕТЕ ЛИ ВЫ?
Влияние общества на человека
Приготовление дезинфицирующих растворов различной концентрации Практические работы по географии для 6 класса Организация работы процедурного кабинета Изменения в неживой природе осенью Уборка процедурного кабинета Сольфеджио. Все правила по сольфеджио Балочные системы. Определение реакций опор и моментов защемления |
Установка для лазерной обработки материала
Импульсное лазерное облучение (ИЛО) является эффективным методом устранения радиационных нарушений и электрической активации примеси в простых полупроводниках, а также в соединениях типа A3B5, A2B6 и гетероструктурах на их основе, а также эффективным способом изменения и управления структурными, электрическими, оптическими и другими свойствами полупроводниковых, диэлектрических, металлических материалов и тонкопленочных покрытий. При этом важными параметрами лазерного излучения являются энергия и длительность лазерного импульса, длина волны, расходимость и пространственное распределение энергии лазерного излучения. Классическую схему взаимодействия импульсного лазерного излучения с обрабатываемым материалом в общем случае можно представить в виде последовательности этапов. На первом этапе (плавление) излучение поглощается материалом и до определенной глубины возникает слой расплава, который в общем случае имеет развитую границу раздела расплав–твердое тело. На втором этапе (кристаллизация) происходит движение фронта кристаллизации по направлению к поверхности, при этом разные области материала кристаллизуются с разной скоростью. В результате на заключительном этапе кристаллизации изменяются морфологические и оптические свойства области поверхности образца, где было воздействие лазерного излучения. На рисунке 13 показана оптическая схема способа реализации импульсной обработки и регистрации отражательной способности, реализуемые с помощью установки. Блок питания 1 вырабатывал напряжение питания и импульсы напряжения поджига ламп накачки рубинового лазера 2. В результате рубиновый лазер генерировал импульс излучения с длиной волны 0,69 мкм, длительностью 70 нс. Использовалась пассивная модуляция добротности резонатора. Излучение рубинового лазера проходило через коллимирующую линзу 4 и с помощью отклоняющей полупрозрачной пластины 5, а также зеркал 6 и 7 направлялось в фотоприемник 8 и фотометр 9. Фотоэлемент измерительный 8 служил для синхронизации импульса рубинового лазера и временной развертки на осциллограммах отражательной способности, а фотометр 9 служил для регистрации факта генерации наносекундного импульса рубиновым лазером. Часть излучения рубинового лазера 2, прошедшего через отклоняющую пластину 5, ограничивалась диафрагмой 10 (выделялась центральная часть пучка) и после прохождения через проекционную линзу 11, светофильтры 12 и поворотную призму 13 попадала на образец полупроводника 14, что приводило к плавлению приповерхностной области и ее последующей быстрой кристаллизации.
Рисунок 13 - Блок-схема установки лазерного отжига
Образец полупроводника устанавливался в подвижный держатель (стрелки на схеме указывают на возможность перемещения держателя с образцом в трех взаимно перпендикулярных направлениях) для возможности выбора области образца для последующего облучения. Максимальная плотность энергии импульса рубинового лазера, достигаемая на установке «Прометей», составляла 2,5 Дж/см2. В зависимости от требований к эксперименту максимальная плотность энергии лазерного излучения могла быть ослаблена применением набора светофильтров 12, в качестве которых использовались оптические стекла серий НС и БС. При этом длительность импульса рубинового лазера была неизменной (70 нс) и воспроизводилась с точностью не хуже 1 %. Оптическая схема лазера за счет предельно широкого спектрального состава генерируемого излучения обеспечивала высокую однородность лазерного пятна. Разработанная оптическая схема лазера обеспечивала высокую однородность лазерного пятна (диаметром обычно 4 мм), плотность энергии в котором отклонялась от средней не более, чем на 5 % как в моноимпульсном режиме, достигаемом использованием пассивных затворов с разным начальным пропусканием, так и в режиме свободной генерации. Невоспроизводимость задаваемой энергии лазерного излучения в том и другом режимах генерации не превышала 1,5-2 % в режиме одиночных импульсов с термостатированием температуры активного элемента.
Регистрация отражательной способности осуществлялась следующим образом. Блок питания 1 вырабатывал напряжение питания и импульсы напряжения поджига ламп накачки лазера на стекле, активированном неодимом 3. Указанный лазер генерировал излучение с длиной волны 1,06 мкм (первая гармоника), из которого после прохождения через удвоитель частоты 17 формировалось излучение (вторая гармоника) с длиной волны 532 нм. Излучение обоих гармоник проходило через светофильтры 18, и с помощью элементов 19–21 направлялось в область на поверхности образца, предназначенную для облучения рубиновым лазером 2. Непосредственная регистрация отражательной способности проводилась с использованием двух высокоскоростных (временное разрешение сигнала 2 нс) ФЭУ типа ЭЛУ ФТК и ЭЛУ ФТС 23, 24 для первой и второй гармоники соответственно. В дальнейшем сигнал с обоих ФЭУ поступал на цифровой осциллограф В–423 или В–424 (не показано) и в цифровом виде – на персональный компьютер. Система регистрации на основе цифрового осциллографа В–424 фирмы Auris (г. Минск, Беларусь) позволяла записывать осциллограммы отражательной способности с временным разрешением 2 нс, что существенно расширяет возможности метода. Таким образом, о динамике изучаемых процессов судили по временным зависимостям коэффициента отражения зондирующего излучения, в качестве источника которого использовался лазер на неодимовом стекле (длина волны λ =1,06 мкм), излучающий квазинепрерывный импульс длительностью 0,5 мс.
Рисунок 14 - Упрощенное представление лазерной установки и её реальная фотография.
.
Плотность энергии облучения W системы TiAlN/Si варьировалась ослабляющими нейтральными фильтрами в интервале 0,5…1,6 Дж/см2 при неравномерности распределения W, воспроизводимой от импульса к импульсу, с отклонением не выше ± 5% от средней по пятну. Состояние областей ИЛО изучалось визуально и под микроскопом.
|
|||||||||
Последнее изменение этой страницы: 2016-08-06; просмотров: 261; Нарушение авторского права страницы; Мы поможем в написании вашей работы! infopedia.su Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав. Обратная связь - 18.217.144.32 (0.007 с.) |