Факторы, влияющие на процесс ионного легирования

Основными параметрами процесса ионного легирования являются энергия ионов E и доза облучения N.

Максимум концентрации примеси в отличие от случая введения ее методом диффузии залегает не на поверхности, а на глубине х =R_p

Отношение концентраций на глубинах Rp ± ∆Rp к максимальной:

что используют для определения дисперсии пробегов

(стандартного отклонения) по экспериментально полученным

профилям распределения

 

Рабочая камера установки ионной имплантации.

Установка ионной имплантации представляет собой вакуумную камеру, состоящую из ряда блоков, последовательно состыкованных с помощью уплотнений из вакуумной резины. Из источника примесь в парообразном или газообразном виде попадает в разрядный блок (ионизатор), из которого отрицательным потенциалом в 20…25 кВ ионы вытягиваются в магнитный сепаратор (масс-анализатор). Здесь в постоянном магнитном поле происходит разделение траекторий ионов с различным электрическим зарядом так, что в следующий блок проходит моноэнергетический поток ионов (с расчётным значением n). В этом блоке с помощью системы электродов ионному пучку придаётся плоская (ленточная) форма и в следующем блоке (ускорителе) ионы разгоняются до необходимой энергии. В рабочую камеру, таким образом, проходит плоский (ленточный) ионный луч, неподвижный в пространстве.

Схема рабочей камеры (последнего блока установки) приведена на рис. 13. Облучаемые пластины 1, несущие оксидную маску, размещаются по периферии держателя (контейнера) 2 в несколько ярусов. В процессе облучения пластин неподвижным ленточным лучом 5 контейнер вращается и совершает возвратно-поступательное движение. Пластины, таким образом, постепенно набирают необходимую дозу легирования. Между пластинами располагаются датчики 4, принимающие ту же дозу заряда, что и пластины.

По достижении необходимой дозы системой контроля вырабатывается сигнал, отключающий ионный луч.

Перед выгрузкой контейнера с обработанными пластинами вакуумный затвор 3 отсекает рабочую камеру от остального объёма установки, камеру открывают и производят замену контейнера с пластинами. После закрытия камеры и открывания затвора вакуумные насосы восстанавливают рабочее давление (примерно 10^-4 Па) в объёме установки и начинается следующий цикл обработки.

 

 

 

Пример выполнения курсового проекта

Введение

Историческая справка. Объем исследований по физике твердого тела нарастал с 1930-х годов, а в 1948 было сообщено об изобретении транзистора. За созданием транзистора последовал необычайный расцвет науки и техники. Был дан толчок исследованиям в области выращивания кристаллов, диффузии в твердом теле, физики поверхности и во многих других областях. Были разработаны разные типы транзисторов, среди которых можно назвать точечный германиевый и кремниевый с выращенными переходами, полевой транзистор (ПТ) и транзистор со структурой металл – оксид – полупроводник (МОП-транзистор). Были созданы также устройства на основе интерметаллических соединений элементов третьего и пятого столбцов периодической системы Менделеева; примером может служить арсенид галлия. Широко применяются такие разновидности транзистора, как триодные тиристоры, денисторы, синисторы, которые играют важную роль в технике коммутации и регулировании сильных токов.

В 1954 было произведено более 1 млн. транзисторов. Сейчас эту цифру невозможно даже указать. Первоначально транзисторы стоили очень дорого. Сегодня транзисторные устройства для обработки сигнала можно купить дешевле.

Без транзисторов не обходится не одно предприятие, которое выпускает электронику. На транзисторах основана вся современная электроника. Их широко применяют в теле, радио и компьютерных аппаратурах.

Транзисторы представляют собой полупроводниковые приборы с двумя p-n-переходами. В простейшем случае транзисторы состоят из кристалла германия и двух клем (эмиттер и коллектор), касающихся поверхности кристалла на расстоянии 20-50 микронов друг от друга. Каждая клема образует с кристаллом обычный выпрямительный контакт с проводимостью от клемы к кристаллу. Если между эмиттером и базой подать прямое смещение, а между коллектором и базой - обратное, то оказывается, что величина тока коллектора находится в прямой зависимости от величины тока эмиттера.

Плоскостной транзистор состоит из кристалла полупроводника (германия, кремния, арсенида, индия, астата, и др.), имеющего три слоя различной проводимости p и n. Проводимость типа p создаётся избыточными носителями положительных зарядов, так называемыми "дырками", образующиеся в случае недостатка электронов в слое. В слое типа n проводимость осуществляется избыточными электронами.

Таким образом, возможны два типа плоскостных транзисторов: p-n-p, в котором два слоя типа p (например, германия) разделены слоем n, и n-p-n, в котором два слоя типа n разделены слоем типа p.

Из транзисторов можно составить схемы различных назначений. Например, можно собрать усилители тока, мощности, усилители звуковых частот, декодеры аудио, видео, теле-радио сигналов, а также простейшие логические схемы, основанные на принципе и-или-не.

 

Исходные данные

Таблица 1

 

Вариант	Эмиттер	База	Коллектор
	Примесь	ТДИФ, ^0С	t час	Примесь	N см^-^2	ТДИФ, ^0С	t час	Cв, см ^-3

 

Таблица 2

 

Вариант	Эмиттер	База	Коллектор
	Примесь	E кэВ	N, см^-2	Примесь	N, см^-2	E кэВ	Cв, см ^-3