Заглавная страница Избранные статьи Случайная статья Познавательные статьи Новые добавления Обратная связь КАТЕГОРИИ: АрхеологияБиология Генетика География Информатика История Логика Маркетинг Математика Менеджмент Механика Педагогика Религия Социология Технологии Физика Философия Финансы Химия Экология ТОП 10 на сайте Приготовление дезинфицирующих растворов различной концентрацииТехника нижней прямой подачи мяча. Франко-прусская война (причины и последствия) Организация работы процедурного кабинета Смысловое и механическое запоминание, их место и роль в усвоении знаний Коммуникативные барьеры и пути их преодоления Обработка изделий медицинского назначения многократного применения Образцы текста публицистического стиля Четыре типа изменения баланса Задачи с ответами для Всероссийской олимпиады по праву Мы поможем в написании ваших работ! ЗНАЕТЕ ЛИ ВЫ?
Влияние общества на человека
Приготовление дезинфицирующих растворов различной концентрации Практические работы по географии для 6 класса Организация работы процедурного кабинета Изменения в неживой природе осенью Уборка процедурного кабинета Сольфеджио. Все правила по сольфеджио Балочные системы. Определение реакций опор и моментов защемления |
Описание лабораторного занятия № 14
«Изучение проводимости тока в полупроводниках» (наименование лабораторного занятия) по дисциплине «ФИЗИКА» (наименование дисциплины)
Цель занятия: научиться собирать электрическую цепь, содержащую полярные элементы; изучить свойства р-n-перехода в диоде и транзисторе; научиться определять характеристики эти полупроводниковых элементов. Оборудование: Источник тока(2 шт.), миллиамперметр., микроамперметр на 100-200 мА, диод Д7Ж или Д2, транзистор ПI3, резисторы (постоянное сопротивление) 1 и 5 кОм, потенциометр 1,2 Мом, провода соединительные, ключ (2 шт.), вольтметр на 4 В, доска монтажная, миллиметровая бумага. Теоретическая часть. Полупроводники характеризуются отличной от проводников проводимостью: собственной, дырочной (p-типа) и электронной (n-типа). Если в монокристалл полупроводника (например, германия), обладающего проводимостью n-типа, впаять каплю полупроводника (например, индия) с проводимостью p-типа, то в области, примыкающей к месту контакта полупроводников, образуется запирающий слой - p-n-переход (рис.1), который хорошо проводит ток в одном направлении и практически не проводит ток в другом направлении. Это свойство используется
Ход работы. 1. Проверка односторонней проводимости диода. 1. Прочесть работу до конца. 2. Составить цепь по схеме, изображенной на рис.2. Рис.2. 3. Диод Д2 включить в прямом (пропускном) направлении: отметка «+» должна быть обращена к плюсу источника ЭДС. Замкнуть цепь и отметить показания Цепь разомкнуть. 4. Диод Д2 включить в обратном (запирающем) направлении. Цепь замкнуть и убедится в отсутствии тока в цепи. Цепь разомкнуть. 5. По результатам наблюдения сделать вывод.
II. Снятие вольт-амперной характеристике диода. 1. В схеме, изображенной на рис.3 Диод включить в пропускном направлении. Рис.3. 2. Замкнуть цепь. Подобрать положение движка потенциометра так, чтобы вольтметр показал самое малое напряжение. Снять показания измерительных приборов. 3. Перемещать постепенно движок потенциометра и снять не менее пяти значений напряжения и силы тока. Цепь разомкнуть. 4. Результаты измерения записать в таблицу.
5. По результатам измерений построить на миллиметровый бумаге ВАХ, откладывая по оси ординат силу тока в миллиамперах, а по оси абсцисс – напряжение в вольтах. Дополнительное задание. 1. Проверка односторонней проводимости транзистора. 1. Собрать цепь по схеме, изображенной на рисунке 3. Вывод от базы должен быть обращен к «-» источникам тока. 2. Клемму B ключа соединить с эмиттером Э транзистора и на короткое время замкнуть цепь, отметить показание миллиамперметра. 3. Клемму B ключа соединить с коллектором К транзистора и на короткое время замкнуть цепь, отметить показание миллиамперметра. 4. Проверить работу триода в обратном направлении. Для этого вывод базы соединить с зажимом «+» источника электрической энергии, а клемму А ключа - с зажимом «-» рис.3 1. Составить цепь по схеме, изображенной на рис. 4. β = Iк· 4.Результаты измерения и вычисления записать в табл. 2.
Методические рекомендации. 1. При выполнении работы:
в монтажно-лабораторную схему электрической цепи должны быть заранее смонтированы на микроплатах. В качестве монтажной доски можно использовать любой электроизоляционный материал (диэлектрический картон, плексиглас, текстолит и т. д.). Контрольные вопросы. 1. В чем различие проводимости проводников и полупроводников? 2. Как объяснить уменьшение удельного сопротивления полупроводника при повышении температуры? 3. Что является в схеме транзистора входной цепью и что – выходной? 4. Как следует включить в цепь транзистор, чтобы он действовал и как диод в прямом направлении? 5. Что показывает вольт - амперная характеристика диода? 6. На рис. 5 изображена вольт-амперная характеристика полупроводникового диода. Определить, чему равно внутреннее сопротивление диода в пропускном направлении при U = 0,3B, в запирающем направлении при U = - 400 B. Объяснить, почему сила тока в проходном направлении с увеличением напряжения растет очень быстро, в запирающем же направлении – очень малая и почти не меняется с ростом напряжения. Рис. 5
Министерство о образования и науки Краснодарского края
Государственное БЮДЖЕТНОЕ образовательное учреждение среднего профессионального образования
«Новороссийский колледж радиоэлектронного приборостроения» КРАСНОДАРСКОГО КРАЯ
|
||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Последнее изменение этой страницы: 2016-04-21; просмотров: 128; Нарушение авторского права страницы; Мы поможем в написании вашей работы! infopedia.su Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав. Обратная связь - 34.231.109.23 (0.01 с.) |