Разновидности корпусов микросхем

- DIP (корпус с двумя рядами выводов по длинным сторонам микросхемы).

Подразделяется на PDIP (корпус из пластмассы) и CDIP (корпус из керамики), а также HDIP (теплорассеивающий) и SDIP (маленький).

- SIP (плоский корпус с выводами на одной стороне).

HSIP (корпус теплорассеивающий с радиатором).

- ZIP (плоский корпус с выводами, расположенными зигзагообразно).

HZIP (с радиатором).

- SOIC (похожа на DIP, но выводы параллельны поверхности корпуса).

- SOP (то же самое, что и SOIC).

HSOP (теплорассеивающий), PSOP (пластмассовый), SSOP (уменьшенный SOP), TSSOP (тонкий SSOP), SOJ (тот же SOP, но с выводами в виде буквы J).

- QFP (выводы размещены на всех сторонах микросхемы).

PQFP (пластмассовый), TQFP (тонкий QFP).

- PLCC и CLCC (тот же пластмассовый или керамический QFP, устанавливаемый в специальную «кроватку»).

- PGA (матрица из штырьковых выводов).

- LGA (матрица контактных площадок).

- BGA (матрица из шариков).

 

Классификация микросхем памяти. Основные характеристики ЗУ. Оперативные запоминающие устройства (ОЗУ): статические и динамические.

Классификация микросхем памяти

Основные характеристики ЗУ

- емкость ЗУ (общее кол-тво бит информации, которое может храниться в ЗУ одновременно).

- время обращения (полный цикл записи информации или ее считывания).

- время цикла (максимальный интервал времени между двумя обращениями).

- время выборки (временной интервал, определяемый от момента выдачи запроса передачи из памя­ти до момента появления требуемой информации на вы­ходе ЗУ).

- потребляемая мощность (средняя потребляемая мощность при максимальной частоте обращения и потребляемая мощность в режиме хранения).

ОЗУ

Оперативные запоминающие устройства (ОЗУ) осуществляют запись, хранение и считывание информации и работают только при включенном питании - ОЗУ являются энергозависимыми.

ОЗУ по виду хранения информации разделяются на статические и динамические. В статическом ОЗУ в качестве элемента памяти используется триггер, в динамическом - конденсатор. ОЗУ называется RAM (random access memory - память с произвольным доступом). Статическое ОЗУ соответственно SRAM, динамическое DRAM.

Запоминающий элемент статического ОЗУ

Запоминающий элемент динамического ОЗУ

Роль запоминающего элемента в статическом ОЗУ исполняет триггер. Такой триггер представляет собой схему с двумя устойчивыми состояниями, обычно состоящую из четырех или шести транзисторов. Схема с четырьмя транзисторами обеспечивает большую емкость микросхемы, а следовательно, меньшую стоимость, однако у такой схемы большой ток утечки, когда информация просто хранится. Также триггер на четырех транзисторах более чувствителен к воздействию внешних источников излучения, которые могут стать причиной потери информации. Наличие двух дополнительных транзисторов позволяет в какой-то мере компенсировать упомянутые недостатки схемы на четырех транзисторах, но, главное — увеличить быстродействие памяти.

Запоминающий элемент динамической памяти значительно проще. Он состоит из конденсатора и запирающего транзистора. Наличие или отсутствие заряда в конденсаторе интерпретируются как 1 или 0 соответственно. Простота схемы позволяет достичь высокой плотности размещения ЗЭ и, в итоге, снизить стоимость. Главный недостаток подобной технологии связан с тем, что накапливаемый на конденсаторе заряд со временем теряется. Среднее время утечки заряда ЗЭ динамической памяти составляет сотни или даже десятки миллисекунд, поэтому заряд необходимо успеть восстановить в течение данного отрезка времени, иначе хранящаяся информация будет утеряна.