Заглавная страница Избранные статьи Случайная статья Познавательные статьи Новые добавления Обратная связь КАТЕГОРИИ: АрхеологияБиология Генетика География Информатика История Логика Маркетинг Математика Менеджмент Механика Педагогика Религия Социология Технологии Физика Философия Финансы Химия Экология ТОП 10 на сайте Приготовление дезинфицирующих растворов различной концентрацииТехника нижней прямой подачи мяча. Франко-прусская война (причины и последствия) Организация работы процедурного кабинета Смысловое и механическое запоминание, их место и роль в усвоении знаний Коммуникативные барьеры и пути их преодоления Обработка изделий медицинского назначения многократного применения Образцы текста публицистического стиля Четыре типа изменения баланса Задачи с ответами для Всероссийской олимпиады по праву Мы поможем в написании ваших работ! ЗНАЕТЕ ЛИ ВЫ?
Влияние общества на человека
Приготовление дезинфицирующих растворов различной концентрации Практические работы по географии для 6 класса Организация работы процедурного кабинета Изменения в неживой природе осенью Уборка процедурного кабинета Сольфеджио. Все правила по сольфеджио Балочные системы. Определение реакций опор и моментов защемления |
Малосигнальные параметры полевых транзисторов.
В предыдущих разделах были уже определены ряд параметров полевых транзисторов: напряжение отсечки для полевых транзисторов с управляющим р - п переходом, пороговое напряжение для МДП-транзисторов, удельная крутизна и др. Для описания работы всех видов полевых транзисторов, кроме рассмотренных выше, широко используются так называемые малосигнальные или дифференциальные, параметры: - крутизна характеристики прямой передачи, представляющее собой отношение изменения тока стока к напряжению между затвором и истоком при постоянном напряжении на стоке: . (10.1) Крутизна измеряется в мА/В и определяется по наклону стоко-затворной характеристики соответствующих транзисторов и лежит для маломощных полевых транзисторов в пределах от 1 до 10; - дифференциальное выходное сопротивление, определяемое на участке насыщения выходных характеристик полевых транзисторов как отношение изменения напряжения между стоком и затвором к изменению тока стока при постоянном напряжении на затворе: . (10.2) Оно составляет примерно десятки-сотни кОм; - коэффициент усиления по напряжению для характеристики усилительных свойств полевого транзистора: , (10.3) определяемый по стоко-затворной характеристике при постоянном токе стока. Коэффициент усиления по напряжению может достигать нескольких сотен. Эти три параметра связаны между собой внутренним уравнением полевого транзистора . (10.4) Заметим, что при расчетах крутизны и выходного сопротивления в МДП-транзисторах в выражениях (10.1) и (10.2) необходимо поддерживать постоянным также напряжение между подложкой и истоком VПИ = const. Начальный омический участок стоковых характеристик (участок 1 на стоковых характеристиках) полевых транзисторов характеризуется сопротивлением канала RK. Оно вычисляется по наклону начального участка выходных характеристик () для транзисторов с управляющим переходом или () для МДП-транзисторов при заданных значении по формуле: . (10.5) Сопротивление канала зависит от напряжения (см.формулу 9.13), при этом с изменением его можно менять от некоторого начального сопротивления канала до бесконечности. Это позволяет на практике использовать полевые транзисторы на омическом участке как управляемый напряжением переменный резистор.
Важным параметром полевого транзистора является входное сопротивление, определяемое выражением , (10.6) где IЗ – ток затвора. Значение тока затвора во входной цепи полевого транзистора с управляющим переходом определяется величиной обратного тока, создаваемого неосновными носителями через переход, поэтому он очень мал (порядка и менее) и входное сопротивление такого полевого транзистора очень высокое (порядка нескольких мегомов). В МДП-транзисторе ток затвора вообще определяется током утечки диэлектрика, который составляет величину порядка 10-15А, соответственно такие транзисторы имеют входное сопротивление порядка 1015 Ом. Большое входное сопротивление полевого транзистора является его основным преимуществом, так как это резко снижает потребление мощности от источников сигнала в различных электронных устройствах, реализованных на базе полевых транзисторов. Работа полевого транзистора в частотном и импульсном режимах определяется паразитными междуэлектродными емкостями: затвор-исток СЗИ, затвор-сток СЗС и сток-исток ССИ. Для маломощных транзисторов они составляют единицы и доли пФ. Малые значения емкостей полевого транзистора выгодно отличают его от биполярных транзисторов. При работе полевого транзистора на высоких частотах основное значение имеет емкость СЗИ, которая определяет граничную рабочую частоту , где RК - сопротивление канала, через которое заряжается емкость. Анализ показывает, что по частотным свойствам полевой транзистор не имеет особых преимуществ перед биполярным. Но с точки зрения быстродействия полевой транзистор превосходит биполярный, так как работает на основных носителях заряда при отсутствии их накопления.
|
|||||
Последнее изменение этой страницы: 2021-05-27; просмотров: 205; Нарушение авторского права страницы; Мы поможем в написании вашей работы! infopedia.su Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав. Обратная связь - 3.15.226.248 (0.005 с.) |