Способы осуществления амплитудной модуляции

Анализ модулированных по амплитуде колебаний показывает, что в процессе модуляции появляются новые частоты — боковые, которых не было на входе модулирующего устройства. Новые частоты, как известно, могут появиться только на выходе устройства, имеющего нелинейную вольт-амперную характеристику. Следовательно, для осуществления амплитудной модуляции необходим нелинейный элемент. Таким нелинейным элементом является транзистор, обладающий нелинейной вольт-амперной характеристикой.

Для осуществления амплитудной модуляции модулирующее напряжение вводится в цепь питания одного или нескольких электродов транзистора. При изменении напряжения питания одного электрода модуляция называется простой или одинарной. Если же изменяется напряжение питания нескольких электродов, модуляция называется комбинированной. В зависимости от того, на какой электрод подается модулирующее напряжение, различают следующие виды амплитудной модуляции: базовую, коллекторную и эмиттерную

Схема модуляции при воздействии на базу (рисунок 4) работает в недонапряженном режиме. Ее достоинство в возможности получить глубокую модуляцию при относительно малой мощности модулирующего сигнала. Недостаток – низкий коэффициент полезного действия (К.П.Д.) по использованию источника питания, то есть по цепи коллектора. Кроме того, при коэффициенте глубины модуляции m>0,6 появляются заметные искажения.

При коллекторной модуляции (рисунок 5) обеспечиваются высокие энергетические показатели. Однако, эта схема требует большой мощности модулирующего сигнала, сравнимой с мощностью несущего сигнала. Кроме того, схема должна работать в перенапряженном режиме, что является ее существенным недостатком.

Схема модуляции при воздействии на эмиттер (рисунок  6 его нет, даже не ищите) требует значительно большей мощности модулирующего сигнала, чем базовая модуляция. Это обусловлено протеканием тока эмиттера через источник модулирующего напряжения. Энергетические показатели этой схемы (использование мощности транзистора, к.п.д.) такие же плохие, как и при базовой модуляции. Однако, при m>0,7 искажения меньше, чем при базовой модуляции.

Задание 1

Исследование схемы с базовой модуляцией.

 

 

Рисунок 4 – Схема исследования модуляции при воздействии на базу транзистора

 

Порядок выполнения работы

1. Изучить техническое описание стенда и техническое руководство по использованию приборов.

2. Убедиться, что все выключатели модулей стенда находятся в положении «ВЫКЛ» (положение выключателя питания «0»; 

3. По указанию преподавателя, выбрать модули стенда для выполнения текущего задания. Расставить их на лабораторной стойке так, чтобы было удобно проводить эксперимент. Подготовить соединительные провода (перемычки), входящие в комплект поставки стенда.

4. Подключить защитное заземление .

5. Подключить модули стенда к сети ~220В 50Гц.

6. Соединить модули стенда согласно схеме соединений.

7. Провести эксперимент.

8. Отключить модули от сети ~220В 50Гц.

9. Составить отчет по лабораторной работе.