Заглавная страница Избранные статьи Случайная статья Познавательные статьи Новые добавления Обратная связь FAQ Написать работу КАТЕГОРИИ:  Археология Биология Генетика География Информатика История Логика Маркетинг Математика Менеджмент Механика Педагогика Религия Социология Технологии Физика Философия Финансы Химия ЭкологияТОП 10 на сайте Приготовление дезинфицирующих растворов различной концентрацииТехника нижней прямой подачи мяча. Франко-прусская война (причины и последствия) Организация работы процедурного кабинета Смысловое и механическое запоминание, их место и роль в усвоении знаний Коммуникативные барьеры и пути их преодоления Обработка изделий медицинского назначения многократного применения Образцы текста публицистического стиля Четыре типа изменения баланса Задачи с ответами для Всероссийской олимпиады по праву 
Мы поможем в написании ваших работ! ЗНАЕТЕ ЛИ ВЫ?
Влияние общества на человека
Приготовление дезинфицирующих растворов различной концентрации Практические работы по географии для 6 класса Организация работы процедурного кабинета Изменения в неживой природе осенью Уборка процедурного кабинета Сольфеджио. Все правила по сольфеджио Балочные системы. Определение реакций опор и моментов защемления |
Для полевого транзистора с управляющим p–n–переходом рассматриваются семейства характеристикСодержание книги
Похожие статьи вашей тематики
Поиск на нашем сайте
+ - -
Укажите характеристику управления (стоко-затворную) транзистора, показанного на рисунке - характеристика «1» - характеристика «2» - характеристика «3» - характеристика «4» + характеристика «5» - характеристика «6»
Укажите характеристику управления (стоко-затворную) транзистора, показанного на рисунке - характеристика «1» - характеристика «2» + характеристика «3» - характеристика «4» - характеристика «5» - характеристика «6»
Укажите характеристику управления (стоко-затворную) транзистора, показанного на рисунке - характеристика «1» + характеристика «2» - характеристика «3» - характеристика «4» - характеристика «5» - характеристика «6»
Укажите характеристику управления (стоко-затворную) транзистора, показанного на рисунке - характеристика «1» - характеристика «2» - характеристика «3» + характеристика «4» - характеристика «5» - характеристика «6»
Укажите характеристику управления (стоко-затворную) транзистора, показанного на рисунке - характеристика «1» - характеристика «2» - характеристика «3» - характеристика «4» - характеристика «5» + характеристика «6»
Укажите характеристику управления (стоко-затворную) транзистора, показанного на рисунке + характеристика «1» - характеристика «2» - характеристика «3» - характеристика «4» - характеристика «5» - характеристика «6»
Укажите условное обозначение транзистора, у которого площадь поперечного сечения канала уменьшается с ростом положительного входного напряжения (Uзи>0) - транзистор «1» + транзистор «2» - транзистор «3» - транзистор «4» - транзистор «5» - транзистор «6»
Укажите условное обозначение транзистора, у которого площадь поперечного сечения канала уменьшается с ростом отрицательного входного напряжения (Uзи<0) + транзистор «1» - транзистор «2» - транзистор «3» - транзистор «4» - транзистор «5» - транзистор «6»
Укажите условное обозначение транзистора, у которого увеличивается концентрация дырок в канале при отрицательном входном напряжении, большим по модулю некоторого порогового напряжения (|-Uзи|>|-Uпор|). - транзистор «1» - транзистор «2» - транзистор «3» + транзистор «4» - транзистор «5» - транзистор «6»
Укажите условное обозначение транзистора, у которого увеличивается концентрация электронов в канале при положительном входном напряжении, большим по модулю некоторого порогового напряжения (Uзи>Uпор). - транзистор «1» - транзистор «2» - транзистор «3» - транзистор «4» + транзистор «5» - транзистор «6»
Укажите условное обозначение транзистора, у которого канал обогащается основными носителями заряда при положительном входном напряжении (Uзи>0) и обедняется при отрицательном (Uзи< 0). - транзистор «1» - транзистор «2» - транзистор «3» - транзистор «4» - транзистор «5» + транзистор «6»
Укажите условное обозначение транзистора, у которого канал обедняется основными носителями заряда при положительном входном напряжении (Uзи>0) и обогащается при отрицательном (Uзи< 0). - транзистор «1» - транзистор «2» + транзистор «3» - транзистор «4» - транзистор «5» - транзистор «6»
Укажите выходные характеристики полевого транзистора, соответствующие стоко-затворной характеристике - характеристики 1 + характеристики 2 - характеристики 3
Укажите выходные характеристики полевого транзистора, соответствующие стоко-затворной характеристике + характеристики 1 - характеристики 2 - характеристики 3 - характеристики 4
Укажите выходные характеристики полевого транзистора, соответствующие стоко-затворной характеристике - характеристики 1 - характеристики 2 + характеристики 3 - характеристики 4
Укажите выходные характеристики полевого транзистора, соответствующие стоко-затворной характеристике + характеристики 1 - характеристики 2 - характеристики 3
Укажите выходные характеристики полевого транзистора, соответствующие стоко-затворной характеристике - характеристики 1 + характеристики 2 - характеристики 3 - характеристики 4
Укажите выходные характеристики полевого транзистора, соответствующие стоко-затворной характеристике - характеристики 1 - характеристики 2 + характеристики 3
На рисунке изображены выходные характеристики - МДП транзистора с индуцированным каналом + МДП транзистора со встроенным каналом - полевого транзистора с управляющим p-n-переходом
На рисунке изображены выходные характеристики - МДП транзистора с индуцированным каналом - МДП транзистора со встроенным каналом + полевого транзистора с управляющим p-n-переходом
На рисунке изображены выходные характеристики + МДП транзистора с индуцированным каналом - МДП транзистора со встроенным каналом - полевого транзистора с управляющим p-n-переходом
На выходной характеристике при Uзи=-1В обозначен характеристический треугольник, с помощью которого можно рассчитать - крутизну стоко-затворной характеристики + выходное сопротивление - коэффициент усиления по напряжению
Задано семейство стоковых характеристик полевого транзистора. Определить крутизну стоко-затворной характеристики S в рабочей точке, лежащей посередине характеристического треугольника. - 0.25 мА/В - 0.8 мА/В + 1.25 мА/В - 2 мА/В
|
||||
|
|
Последнее изменение этой страницы: 2021-01-14; просмотров: 499; Нарушение авторского права страницы; Мы поможем в написании вашей работы! infopedia.su Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав. Обратная связь - 13.59.67.189 (0.01 с.) |
, 
, 
, 
