Встроенным называется такой канал в полевых транзисторах, который

+ создан в исходной пластине кремния с помощью диффузионной технологии

- образован благодаря притоку носителей заряда из полупроводниковой пластины при приложении к затвору напряжения относительно истока

- наведен электрическим полем электрона

- индуцирован дырками

 

 

Индуцированным называется канал в полевых транзисторах, который

+образован благодаря притоку неосновных носителей заряда из полупроводниковой пластины при приложении к затвору напряжения относительно истока     

- образован благодаря притоку основных носителей заряда из полупроводниковой пластины при приложении к затвору напряжения относительно истока      

- индуцирован дырками

- создан в исходной пластине кремния с помощью диффузионной технологии

 

 

Высокое входное сопротивление полевого транзистора с управляющим р-n-переходом обусловлено

+ обратно смещенным p-n-переходом затвор-канал

- наличием диэлектрика между затвором и каналом

- прямо смещенным p-n-переходом затвор-канал

 

 

При напряжении затвор-исток равном нулю, ток стока в полевом транзисторе с управляющим p-n- переходом

- отсутствует

+ максимален

- имеет произвольное значение

 

 

Для управления сопротивлением канала полевого транзистора с управляющим p-n-переходом, необходимо включить переход затвор-канал в

- прямом направлении

+ обратном направлении

- произвольном направлении

 

 

Может работать с любой полярностью напряжения на затворе полевой

-транзистор с управляющим p-n-переходом

- МДП-транзистор со индуцированным каналом

+ МДП-транзистор со встроенным каналом

 

 

На затвор полевого транзистора с управляющим p–n–переходом подается напряжение

- открывающее p–n–переход между затвором и каналом

+ запирающее p–n–переход между затвором и каналом

- произвольного направления

 

 

Ток в цепи стока полевого транзистора с управляющим p–n–переходом определяется

+ напряжением на затворе

- напряжением на стоке

- напряжениями на стоке и затворе

 

 

Напряжение отсечки U_{зи отс} полевого транзистора с управляющим p–n–переходом – это напряжение, при котором

+                            

-                                

-

 

 

Напряжением отсечки полевого транзистора с управляющим p-n-переходом называют напряжение, при котором ток стока

- достигнет заданного низкого значения

+ станет равен нулю

- достигнет максимального значения

 

 

Уменьшить ток стока до нуля в полевом транзисторе с управляющим p–n–переходом возможно

- с помощью напряжения U_СИ

+ с помощью напряжения U_ЗИ

- с помощью напряжений U_СИ и U_ЗИ