Мы поможем в написании ваших работ!



ЗНАЕТЕ ЛИ ВЫ?

Методические указания по выполнению лабораторной работы

Поиск

3.1. Вызвать программу лабораторной работы, для чего кликнуть мышью на ярлыке ЛАБ1 на рабочем столе.

3.2. Ввести исходные данные согласно заданному преподавателем номеру варианта 1...12 и данным таблицы 1. При вводе чисел пользоваться экспоненциальной формой записи. Например, число  следует записать, как 3E17, число – как 1Е–6. После набора каждого числа нажимать ENTER.

3.3. Перенести в отчёт рисунок p-n перехода с экрана.

3.4. Перенести в таблицу 2 результаты расчёта.

3.5. Исходя из теоретических сведений, предложить вариант конструкции с увеличенным напряжением пробоя Uпроб . Внести исходные данные и результаты в таблицу 2.

3.6. Исходя из теоретических сведений, предложить вариант конструкции с уменьшенной барьерной емкостью C б0. Внести исходные данные и результаты в таблицу 2.

3.7. Исходя из теоретических сведений, предложить вариант конструкции с уменьшенным тепловым током I 0. Внести исходные данные и результаты в таблицу 2.

 

Содержание отчета

Отчёт должен содержать:

– название и цель работы;

– рисунок р-n перехода с поясняющими надписями, согласующимися с заданным вариантом (как на экране);

– полностью заполненную таблицу 2.

 

5. Контрольные вопросы

1. Указать направление диффузии и дрейфа в асимметричном р-n переходе при U =0. Какие составляющие (электронная, дырочная) будут преобладать?

2. Почему диффузия носителей не приводит к выравниванию концентраций?

3. Какие заряды количественно преобладают вблизи контакта р- и n- областей? Почему на границе областей концентрация подвижных носителей невелика?

4. Какой окажется контактная разность потенциалов j k при подаче внешнего напряжения, равного ½ j k 0 ½?

5. Как на свойства р-n перехода влияет выбор типа полупроводника?

6. Как на свойства р-n перехода влияет концентрация примесей?

7. Как на свойства р-n перехода влияет его площадь?

8. Каким должен быть р-n переход с большим напряжением лавинного пробоя? С малым напряжением туннельного пробоя?

 

 

Таблица 1. Данные исходных вариантов

 

№ варианта Тип полупроводника Концентрация акцепторной примеси NA,см –3 Концентрация донорной примеси NД,см –3 Площадь, см2
1 Ge 1019 1017 10–7
2 Si 3·1015 3·1018 3·10–7
3 GaAs 1018 1015 10–6
4 Ge 3·1015 3·1018 3·10–6
5 Si 1019 1017 10–5
6 GaAs 3·1016 3·1018 3·10–5
7 Ge 1018 1016 10–4
8 Si 3·1015 3·1017 3·10–4
9 GaAs 1019 1017 10–3
10 Ge 3·1016 3·1018 3·10–3
11 Si 1018 1016 10–2
12 GaAs 3·1015 3·1017 3·10–2

 

Таблица 2. Результаты исследований

 

Характеристики p-n перехода Исходный вариант Вариант с увеличенным Uпроб. Вариант с уменьшенной Сб0 Вариант с уменьшенным I0

Исходные данные

Тип п/п        
NA, см–3        
NД, см–3        
S, см2        

Результаты при Т = 300 К

j k 0        
w, мкм        
I0, А        
Uпроб.л., В        
Uпроб.т., В        
Сб0, Ф        

 


ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА № 2

 

ИССЛЕДОВАНИЕ МЕТАЛЛО-ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПЕРЕХОДОВ

 

Цель работы

Целью работы является исследование металло-полупроводниковых переходов при использовании различных сочетаний металла и полупроводника. При этом определяются следующие характеристики и параметры:

– тип контакта (омический или Шотки);

– сопротивление омического контакта.

Для контакта Шотки при U = 0 определяются:

– контактная разность потенциалов;

– толщина;

– тепловой ток;

– барьерная емкость.

 



Поделиться:


Познавательные статьи:




Последнее изменение этой страницы: 2020-12-09; просмотров: 232; Нарушение авторского права страницы; Мы поможем в написании вашей работы!

infopedia.su Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав. Обратная связь - 13.58.203.104 (0.006 с.)