Методические указания по выполнению работы

3.1. Вызвать программу, ярлык которой LAB5, находится на рабочем столе.

3.2. Ввести исходные данные согласно заданному преподавателем номеру варианта 1–6 и данным табл. 1. При вводе больших и малых чисел пользоваться экспоненциальной формой записи. Например, число 0.5×10¹⁷ следует ввести как 0.5Е17. После набора каждого числа нажимать ENTER.

3.3. Перенести в отчёт рисунок БТ с экрана.

3.4. Перенести в табл. 2. результаты расчёта исходного варианта.

     3.5. Повторить расчёт для случая однородной базы (диффузионный транзистор), результаты занести в табл. 2. Все неуказанные в п.п. 3.5–3.8 параметры оставлять равными исходным.

3.6. Повторить расчёт для случая повышенной концентрации примесей в эмиттере N_Э, увеличив её на порядок. Результаты занести в табл. 2.

3.7. Повторить расчёт для случая повышенной концентрации примесей в базе N_Б, увеличив её на порядок. Результаты занести в табл. 2.

3.8. Повторить расчёт для случая увеличенной толщины базы w, увеличив её вдвое. Результаты занести в табл. 2.

 

Таблица 1. Исходные данные (дрейфовый кремниевый n- p- n БТ)

 

№ вари-анта	Концентрация примесей в эмиттереNЭ, см^-3	Концентрация примесей в базе NБ, см^-3	Толщина базы, w, мкм	Коэффициент неоднородности базы, η
1	3·10^18	3·10^16	0,1	1,5
2	5·10^18	5·10^16	0,2	2
3	10^19	10^17	0,3	3
4	3·10^19	3·10^17	0,25	2,5
5	5·10^19	5·10^17	0,4	1,75
б	10^20	10^18	0,35	2,25

Таблица 2. Результаты исследований

Вариант	Коэф. инжекции γ	Коэф. переноса	Коэф. передачи тока ОБ, α	Коэф. переда-чи тока ОЭ, β	Среднее время пролёта τПР, нс	Предель-ная частота в схеме ОБ ,МГц
Исходный (табл. 1)
Однородная база η = 0 (диффузион-ный БТ)
Повышенная концентрация примесей в эмиттере NЭ, см^-3
Повышенная концентрация примесей в базе NБ,см^-3
Увеличенная толщина базы w, мкм

 

 

Содержание отчёта

– название и цель работы;

– рисунок схемы ОБ с поясняющими подписями;

– полностью заполненная табл. 2.

 

5. Контрольные вопросы

1. Изобразить n-p-n БТ в схеме с общей базой с указанием полярности напряжений и направления токов.

2. Изобразить p-n-р БТ в схеме с общей базой с указанием полярности напряжений и направления токов.

3. Пояснить физические процессы в БТ в схеме ОБ в активном режиме.

4. Как и почему на свойства БТ влияет степень легирования эмиттера?

5. Как и почему на свойства БТ влияет степень легирования базы?

6. Как и почему на свойства БТ влияет толщина базы?

7. Что такое инжекция, экстракция и рекомбинация в базе?

8. Что такое дрейфовый БТ и почему он лучше диффузионного БТ?

9. Как возникает ток базы и какие он имеет составляющие?

10. Почему усиление БТ по мощности может достигать тысяч раз?

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА № 6

 

Особенности применения биполярных транзисторов и их компьютерного моделирования

 

Цель работы

Ознакомление с особенностями применения биполярных транзисторов и особенностями их компьютерных моделей.