Заглавная страница Избранные статьи Случайная статья Познавательные статьи Новые добавления Обратная связь КАТЕГОРИИ: АрхеологияБиология Генетика География Информатика История Логика Маркетинг Математика Менеджмент Механика Педагогика Религия Социология Технологии Физика Философия Финансы Химия Экология ТОП 10 на сайте Приготовление дезинфицирующих растворов различной концентрацииТехника нижней прямой подачи мяча. Франко-прусская война (причины и последствия) Организация работы процедурного кабинета Смысловое и механическое запоминание, их место и роль в усвоении знаний Коммуникативные барьеры и пути их преодоления Обработка изделий медицинского назначения многократного применения Образцы текста публицистического стиля Четыре типа изменения баланса Задачи с ответами для Всероссийской олимпиады по праву Мы поможем в написании ваших работ! ЗНАЕТЕ ЛИ ВЫ?
Влияние общества на человека
Приготовление дезинфицирующих растворов различной концентрации Практические работы по географии для 6 класса Организация работы процедурного кабинета Изменения в неживой природе осенью Уборка процедурного кабинета Сольфеджио. Все правила по сольфеджио Балочные системы. Определение реакций опор и моментов защемления |
Резистивный преобразователь контактного сопротивления. Газочувствительные резистивные элементы.
Рис.
Между контактн. площадками расположены зерна углеродистого материала или зерна полупроводника. При воздействии давления Р (даже очень малого, соизмер-ого с Р созданным звуковыми волнами) положение зерен меняется, меняется S эл-кого контакта между ними, следовательно изменяется объемное R образца. Материал обладает очень высокой чувствительностью: Современные резистивные преобраз-ли контактного R выполненный из полупроводников обладают зернистой стр-рой, при этом повышенная чувствительность позволяет использ. очень маленькие источники питания. Недостатки: наличие спонтанных шумовых сигналов -- низкая (связано с высокой интенсивн. зерен, при малых измен-ях темп-ры) Соврем. преобразователи использ. как наборы п/проводниковых пластин зернистого п/проводника, общее изменение сопротивления. , С- хар-ка материала. Использ. для измерения малых механич. Р. Рис.
Газочувствительные резистивные элементы. Ряд оксидов Ме (PbO, ZnO, SnO2 и т.д.) обладают способностью находиться в нестехиометрич. состоянии. Это означает, что формула оксида SnOx, где х=1,95 – полупроводниковое состояние (нестехиометрич-ое). При взаимодействии пов-сть такого оксида с мол-лами окр. среды (либо кислородо-, либо водородосод-щих) происходят ОВР. При взаимодействии с О2 пов-сть (частично оборван. кислородные связи) происходит доокисление части проводника с образ-ем полного оксида, при этом изменяется сопротивление образца. Степень измен-я R пропорциональна измен-ю конц-ции О2 (в известных пределах). Это явление обладает обратимым эффектом. При уменьш. кол-ва О2 оксид возвращ. в нестехиометрич. состояние – квазистабильное. Осущ-тся поддержание этого состояния нагревом п/проводника до t= 300-400 0С. При наличии в атмосфере мол-л Н2 происх-т восстановление проводимости оксида до Ме. Такие элем-ты исполь-тся в приборах газового анализа, где требуется опред-ние конц-ции водородо-кислородо содержащих элем-тов. Фотопреобразователи. Фоторезистивные преобразователи. В физике тв. тела известны явления в материалах обладающих большой работой выхода, незначит. освящения световым потоком в УФ, ИК областях спектра, приводит к выбиванию электронов, кол-во кот. зав-т от вел-ны светового потока Ф, следовательно измен-тся сопротивление образца в целом.
При этом измеряется сопротивление образца в целом. Преобразователи с зав-стью Rx=f(Ф) наз. фоторезистивными. Такими св-вами обл. некот. оксиды, фосфиды, селениды. Статич. хар-ка: Рис.
Такие преобр-ли изготовлены в виде диэлектрич. подложек, на кот. нанесена паста – рис.
- прозрачн. стекловидная масса – SiO2. Элем-ты (ФС) исп-тся для регистрации интенсивности светов. потоков, подсчета числа изделий. Кроме фоторезист. проебр-лей эти в-ва использ. для регистрации сверхслабых световых потоков в фотоэлементах (ФЭ). В-во помещают на внутр. стенку вакуумн. стекл. болона, на пов-сть кот. падает световой поток Ф, он выбивает электроны, кот. попадают на анод, при чем образ-тся электрич. цепь, образ-тся электр. ток, вел-на кот. м.б. измерена: как фотоЭДС или как протекающий ток. Uн= Rн*iф Рис.
Для регистрации Iф в цепь включ. Rнагр., с кот. снимают Uн. Использ-тся для регистр. инт-сти светового потока в спектрометрах, спектрофот-х. Фотодиоды и фототранзисторы. Для регистрации свет. потоков можно использ-ть п/проводниковые диоды: Рис.
Принцип действия связан с особенностью ВАХ п/проводникового диода: Рис.
Если область р-n-перехода осв-сть свет. потоком с энергией квантов hν, при обратном включении п/п диода возрастает Iобр, кот. легко регистрируется и пропорц-на световому потоку. В основном такие фотодиоды вып-ся для видимой и ИК областей спектра. Фоторезисторы. Рис.
При изменении светового потока, освещающий эмиторный переход, входн. хар-ка измен-ся. Когда появл-ся освещающий Ф, вых. ток транзистора (Iк) резко возрастает. Явление позволяет регистрировать сверхмалые Ф с одноврем. усилением сигнала. Фотоэлектронный умножитель. Явление выбивания электронов из материала под действием hν использ-ся в фотоумножителях для получ-я знач-го по влиянию фототока. Световой поток попадает на пластину, покрытую в-вом с малой работой выхода электронов. hν выбивает электроны от пов-сти. Рис.
Электроны, попадая на след-ую пластину, выбивая электроны, отраж-ся. Каждая из послед. пластин нах-тся под «+» потенциалом для создания поля притяжения электронов.
В послед электрод включ. Rн, по кот. течет сут. фототок, Iфэу. ФЭУ позволяет регистрировать даже един. кванты света.
|
||||||
Последнее изменение этой страницы: 2017-02-17; просмотров: 117; Нарушение авторского права страницы; Мы поможем в написании вашей работы! infopedia.su Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав. Обратная связь - 18.119.159.150 (0.009 с.) |