Характеристики IGBT-модулей со

(Встречно-включенный диод и мощный радиатор)

(Для ознакомления. Не использовать в курсовом проекте)

 

Название (фирма производитель)*	Макс.рабочее напряж. коллектор-эммитер VCES (B)	Макс. ток коллектора Iс (А)	Напряж. насыщения коллектор-эммитер VCE(on) typ. (B)при VGE =10 (B)	Время задержки вкл./выкл. при Ткорп=25°C td(on) / td(off) (нс)	Время нарастания/спада тока стока (при условиях как для времени задержки) tR / tF (нс)	Время восстановления демпферного дидода tRR (нс)	Тепловое сопротивление переход-охладитель RThJH (°C /Вт)	Конфигурация схемы
IGBT-модули серии U
CM350DU-5F(СМ)			1.2	1100/900	2400/500		0.13	Полумост
CM600HU-12H (СМ)			2.4	300/350	600/350		0.08	Отд. ключ
CM300DU-12H (СМ)			2.4	250/350	500/300		0.14	Полумост
CM75BU-12H (СМ)			2.4	100/200	250/300		0.4	Мост
IGBT-модули серии A (CSTBT) в корпусе серии U
CM400HA-24A (СМ)			3.0	550/600	180/350		0.053	Отд. ключ
CM600HB-24A (СМ)			3.0	660/700	190/350		0.034	Отд. ключ
CM150DY-24A (СМ)			3.0	200/400	100/350		0.13	Полумост
CM300DY-24A (СМ)			3.0	500/500	140/350		0.046	Полумост

*Расшифровка фирм производителей (подробнее см. приложение 10)

IR -International Rectifier

ST -STMicroelectronics, Inc.

СМ - Mitsubishi Electric Corp.

 

ПРИЛОЖЕНИЕ 7

N-канальные SENSE-МДП-транзисторы

Название (фирма производитель)*	Макс.рабочее напряж. сток-истока Vds (B)	Сопротивление сток-исток в открытом состоянии при напряжении затвора Vg=10В Rdson max (мОм)	Ток стока при Ткорп=25°C Id (А)	Заряд затвора Qg (нК)	Рассеивающая мощность при Ткорп=25°C Pd (Вт)	Абсолютное макс. напряжение затвора Vgs max (В)	Время задержки вкл./выкл. td(on) / td(off) (нс)	Время нарастания/спада тока стока (при условиях как для времени задержки) tR / tF (нс)	Тепловое сопротивление переход-корпус ТJC	Ток затвора статический IG СТ. (нА)
BUK7C06-40AITE (NXP)		4.7		VDS=32V VGS=10V ID=25A		±20	35/155 VDS=30V RL=1.2Ω VGS=10V RG=10Ω	115/110	0.55 К/Вт	±1000
VGS = 20В K0 = ID / ISENSE = 650
BUK7C08-55AITE (NXP)		6.8		VDS=44V VGS=10V ID=25A		±20	35/155 VDS=30V RL=1.2Ω VGS=10V RG=10Ω	115/110	0.55 К/Вт	±1000
VGS = 20В K0 = ID / ISENSE = 488
BUK7C10-75AITE (NXP)		8.8		VDS=60V VGS=10V ID=25A		±20	35/185 VDS=30V RL=1.2Ω VGS=10V RG=10Ω	108/100	0.55 К/Вт	±1000
VGS = 20В K0 = ID / ISENSE = 500
BUK7105-40AIE (NXP)		4.5		VDS=32V VGS=10V ID=25A		±20	35/155 VDS=30V RL=1.2Ω VGS=10V RG=10Ω	115/110	0.55 К/Вт	±1000
VGS = 20В K0 = ID / ISENSE = 506
BUK7107-55AIE (NXP)		5.8		VDS=44V VGS=10V ID=25A		±20	36/159 VDS=30V RL=1.2Ω VGS=10V RG=10Ω	115/111	0.55 К/Вт	±1000
VGS = 20В K0 = ID / ISENSE = 502
BUK7108-40AIE (NXP)				VDS=44V VGS=10V ID=25A		±20	19/121 VDS=30V RL=1.2Ω VGS=10V RG=10Ω	76/122	0.68 К/Вт	±300
VGS = 20В K0 = ID / ISENSE = 490
BUK7109-75AIE (NXP)				VDS=60V VGS=10V ID=25A		±20	35/185 VDS=30V RL=1.2Ω VGS=10V RG=10Ω	108/100	0.55 К/Вт	±1000
VGS = 20В K0 = ID / ISENSE = 500
BUK7905-40AI (NXP)		4.5		VDS=32V VGS=10V ID=25A		±20	35/155 VDS=30V RL=1.2Ω VGS=10V RG=10Ω	115/110	0.55 К/Вт	±100
VGS = 20В K0 = ID / ISENSE = 507

ПРИЛОЖЕНИЕ 7 (продолжение)

Si4730EY (VISH/IR)			11.7	VDS=15V VGS=10V ID=11.7A	3.6 на 1”x1”	±20	13/60 ID=1A RL=15Ω VDD=15V VGEN=10V RG=6Ω	10/20	-	±100
VGS = 16В K0=ID/ISENSE=345 при RS=1.1Ω K0=ID/ISENSE=418 при RS=2.2Ω K0=ID/ISENSE=660 при RS=4.7Ω K0=ID/ISENSE=815 при RS=6.6Ω
Si6862DQ (VISH/IR)			6.6	VDS=10V VGS=4.5V ID=5.2A	1.8 на 1”x1”	±20	28/80 ID=1A RL=10Ω VDD=10V VGEN=4.5V RG=6Ω	40/45	-	±100
VGS = 12В K0=ID/ISENSE=200 при RS=1.06Ω K0=ID/ISENSE=370 при RS=4.73Ω K0=ID/ISENSE=593 при RS=9.97Ω K0=ID/ISENSE=798 при RS=14.96Ω K0=ID/ISENSE=940 при RS=17.97Ω
SUM50N03-13LC (VISH/IR)				VDS=15V VGS=20V ID=50A		±20	10/30 ID=50A RL=0.3Ω VDD=15V VGEN=10V RG=2.5Ω	93/10	1.8 °C/Вт	±100
VGS = 20В K0=ID/ISENSE=420 при RS=0.5Ω K0=ID/ISENSE=500 при RS=1.1Ω K0=ID/ISENSE=610 при RS=2.2Ω K0=ID/ISENSE=920 при RS=4.7Ω K0=ID/ISENSE=1135 при RS=6.6Ω
SUM60N08-07C (VISH/IR)				VDS=35V VGS=10V ID=60A		±20	15/75 ID=60A RL=0.6Ω VDD=35V VGEN=10V RG=2.5Ω	130/120	0.5 °C/Вт	±100
VGS = 20В K0=ID/ISENSE=1830 при RS=1Ω K0=ID/ISENSE=2090 при RS=2Ω K0=ID/ISENSE=2600 при RS=5Ω K0=ID/ISENSE=2920 при RS=6Ω
IRC 630						±20	15/75 ID=60A RL=0.6Ω VDD=35V VGEN=10V RG=2.5Ω	28/20	0.55 °C/Вт	±100
VGS = 10В K0=ID/ISENSE=1570

*Расшифровка фирм производителей (подробнее см. приложение 10)

VISH/IR - Vishay (Vishay Seliconix)

ONS -On Semiconductor

NXP - NXP Semiconductor

 

ПРИЛОЖЕНИЕ 8

Драйверы*

Все представленные драйверы производятся фирмой International Rectifier. Температура их эксплуатации Т_А = -40...125°C

Название [новая модель]	Напряжение управляемого ключа	Выходное напряжение VHO / VLO,В {VO,В}	Напряжение питания VCC,В	Логическое входное напряжение (типы логических входов) VIN,В	Выходные токи +/-IOUT,А	Входные токи +/-IIN,мкА	Время задержки вкл./выкл. td(on)/td(off),нс	Время нараста-ния/спада tR/tF,нс	Краткое описание
Драйверы нижнего ключа
IR2121	-	{-0.6...25.3}	12...18	-0.3...25.3 (IN)	+1/-2	+4.5/-1	150/150	43/26	TTL/CMOS UVLO ERR
IR4426/ IR4427/ IR4428 [IRS4426/ IRS4427/ IRS4428]	-	{-0.6...25.3}	6...20	-0.3...25.3	+2.3/-3.3	+5/-10	160/150 [95/95]	35/25 [55/55]	Dual IN/OUT
Драйверы полумоста
IR2184 [IRS2184]		-0.6...625.3 / -0.3...25.3	10...20	-25.6...35.3 [-20.6...20.3] (IN,SD/N)	+1.9/-2.3	+25/-1 [+25/-5]	900/400	90/40	TTL/CMOS VBS UVLO SD/N
IR2308 [IR2308S]		-0.6...625.3 / -0.3...25.3	10...20	-20.3...25.3 (HIN,LIN)	+0.2/-0.35	+5/-1 [+5/-2]	300/280	220/80	TTL/CMOS VBS UVLO
IR2103 [IRS2003]	[200]	-0.6...625.3 / -0.3...25.3	10...20	-0.3...25.3 (HIN,LIN/N)	+0.29/-0.6	+3/-1 [+3/-5]	820/220	170/90	TTL/CMOS UVLO VBS
IR2104 [IRS2104]		-0.6...625.3 / -0.3...25.3	10...20	-20.3...25.3 (IN,SD/N)	+0.29/-0.6	+10/-1 [+3/-5]	820/220	170/90	TTL/CMOS VBS UVLO SD/N
Драйверы нижнего и верхнего ключей
IR2607		-0.6...620.3 / -0.3...20.3	10...20	-20.3...25.3 (HIN,LIN)	+0.2/-0.35	+5/-2	715/700	220/80	TTL/CMOS VBS UVLO
IR2213 [IR2213S]		-0.6...1225.3 / -0.3...25.3	12...20	-25.6...25.3 (HIN,LIN,SD)	+2/-2.5	+20/-1	280/225	25/17	TTL/CMOS VBS UVLO SD
[IRS2001]		-0.6...225.3 / -0.3...25.3	10...20	-0.3...25.3 (HIN,LIN)	+0.29/-0.6	+3/-5	220/220	90/50	TTL/CMOS VBS UVLO
IR2113 [IRS2113]		-0.6...625.3 / -0.3...25.3	10...20	-25.6...50.6 [-20.3...45.6] (HIN,LIN,SD)	+2.5/-2.5	+20/-1 [+20/-5]	150/125 [160/150]	35/25	TTL/CMOS VBS UVLO SD
IR2181		-0.6...625.3 / -0.3...25.3	10...20	-25.6...35.3 (HIN,LIN)	+1.9/-2.3	+25/-1	270/330	60/35	TTL/CMOS VBS UVLO
IR2186		-0.6...620.3 / -0.3...20.3	10...20	-20.6...20.3 (HIN,LIN)	+4/-4	+25/-5	250/250	38/30	TTL/CMOS VBS UVLO
IR2110		-0.6...525.3 / -0.3...25.3	10...20	-25.6...50.6 (HIN,LIN,SD)	+2.5/-2.5	+20/-1	150/125	35/25	TTL/CMOS VBS UVLO SD

*Условные обозначения к таблице: VBS - используется для бутстрепного питания.

Dual IN/OUT - означает наличии двух логических входов IN_A и IN_B для модели IR4426; IN_A и IN_B для модели IR4427; IN_A и IN_B для модели IR4428; и соответственно два выхода OUT_A и OUT_B для всех трех моделей.

HIN - логический вход управления выходом драйвера верхнего уровня.

ПРИЛОЖЕНИЕ 8 (продолжение)

LIN - логический вход управления выходом драйвера нижнего уровня.

HIN/N - инверсный логический вход управления выходом драйвера верхнего уровня.

LIN/N - инверсный логический вход управления выходом драйвера нижнего уровня.

TTL, CMOS или TTL/CMOS - характеристика входного сигнала (TTL - ТТЛ, CMOS - КМОП).

UVLO (UnderVoltage LockOut) - присутствует пониженное напряжение блокировки. ERR - есть вход сигнала ошибки.

SD (Shutdown) - присутствует входная логика отключения. SD/N - присутствует инверсная входная логика отключения.

 

 

ПРИЛОЖЕНИЕ 9