Разностный (дифференциальный) усилитель

Схема разностного усилителя приведена на рис. П2.4.

 

ПРИЛОЖЕНИЕ 2 (продолжение)

 

Когда все резисторы выбираются одного номинала (R₁ = R₂ = R₃ = R_ОС), тогда выходной сигнал равен:

U_вых = U_вх1 – U_вх2

С помощью разностного усилителя можно вычитать аналоговые сигналы (если они синфазны) или получать их сумму (если они противофазные). Основной недостаток инвертирующего усилителя характерен для схемы

рис. П2.4.

 

Измерительный усилитель

В курсовом проекте мостовую схему с датчиком температуры рекомендуется подключать к специальной интегральной микросхеме, которую называют измерительным усилителем (ИУ) (см. раздел 7). Схема согласования задатчика и измерительного усилителя приведена на рис. П2.5.

 

 

Внутренняя структура ИУ приведена в разделе 7. Входные сигналы обрабатываются с помощью неинвертирующих усилителей. Это позволяет исключить влияние R_д-т от температуры (R_вых моста) на величину коэффициента усиления К_из. Его величина однозначно определяется резистором R_из. Разные фирмы при синтезе микросхемы используют сопротивление разного номинала и для расчета К_из приводят оригинальные формулы. Диапазон коэффициента усиления приводят как справочную величину.

ПРИЛОЖЕНИЕ 3

Двигатели

№	Тип двигателя*	Uном, B	Р2ном, Вт	nном, об/мин	Iном, A	Iп, A	Rя, Ом
	СЛ-365			3240-4260	1,4	-	-
	ДПМ-35-Н1/Н2-03					7,4	-
	ДПР-62-Н1/Н2-06		3,1		1,5	18,4	-
	СЛ-322			3600-5000	0,60	-	14,5
	ДПМ-35-Н1/Н2-04				1,1	6,8	-
	ДПР-52-Н1/Н2-06		3,1		0,8	11,7	-
	ДПР-62-Н1/Н2-07		6,15		1,2	11,9	-
	ДПР-72-Н1/Н2-07		9,25		2,2		-
	ДПР-72-Н1/Н2-08		18,5		1,3	10,2	-
	ДПМ-30-Н1, Н2-09		6,16		1,4		-
	СЛ-121			3500-5500	0,3	-	-
	СЛ-569К			850-1050	0,8	-	3,5±0,3
	ДПМ-35-Н1/Н2-09				2,2		-
	ДПР-52-Н1/Н2-07		4,6		0,6	6,6	-
	ДПР-72-Н1/Н2-03		-			13,3	-
	ДПМ-35-Н1, Н2-01		13,87		1,5		-
	ДПМ-30-Н3-01		6,47			6,5	-
	ДПМ-30-Н3-02		2,47				-
	СЛ-321			3000-4100	0,58	-	25,8
	ДПМ-35-Н1/Н2-01				1,3		-
	ДПМ-35-Н1/Н2-10				1,6	10,5	-
	ДПР-62-Н1/Н2-01		6,15				-
	ДПР-62-Н1/Н2-05		-		2,4		-
	ДПР-62-Н5, Н8, Ф5, Ф8-01				0,97	14,0	-
	ДПМ-35-Н1-03		4,25		2,5	8,5	-
	СЛ-161		7,5	3500-5500	0,25	-	-
	ДПР-52-Н1/Н2-05		4,6		1,2	19,6	-
	ДПР-62-Н1/Н2-03		-		0,55	6,2	-
	СЛ-327		29,5	3200-4100	0,9	-	-
	ДПМ-25-Н3-03А		1,85		0,9	6,8	-
	ДПМ-30-Н3-01А		6,47		1,25	8,5	-
	СЛ-263			3600-4700	0,47	-	-
	ДПР-2-Н1/Н2-01		-		0,145	0,9	-
	ДПР-52-Н1/Н2-02		6,15		0,36	5,25	-
	ДПР-62-Н1/Н2-02		-		0,72	9,6	-
	ДПР-72-Н5, Н8, Ф5, Ф8-01				1,4	27,0	-
	ДПМ-35-Н1, Н2-04		12,32		1,3		-
	ДПР-52-Н1/Н2-01		-		0,53		-
	ДПР-72-Н1/Н2-02		12,3		1,35	16,5	-
	ДПР-72-Н1/Н2-06		-				-

 

* Во всех перечисленных типах двигателя число полюсов принять равным 2.

 

ПРИЛОЖЕНИЕ 4

Датчики температур

 

№
Тип	Градуи–ровка	Предел измерения, °С	Зависимость сопротивления от температуры, °С / Ом
	ТСП–5071		(-200)–(+150)	-200/7,95	-50/36,80	50/55,06	150/72,78
	ТСП–5071		(-150)–(+100)	-150/17,85	-100/27,44	50/55,06	100/63,99
	ТСП–5071		(-200)–(+20)	-200/17,28	-100/59,65	0/100,00	20/107,91
	ТСП–5071		(-100)–(+300)	-100/59,65	0/100,00	150/158,21	300/213,79
	ТСМ–5071		(-50)–(+100)	-50/47,71	0/53,00	50/64,29	100/75,58
	ТСМ–5071		(0)–(+150)	0/53,00	50/64,29	100/75,58	150/86,87
	ТСМ–5071		(-50)–(+80)	-50/78,70	0/100,00	40/117,04	80/134,08
	ТСМ–5071		(-50)–(+50)	-50/78,70	-20/91,48	10/104,26	50/121,30
	ТСП–6097		(-30)–(+40)	-30/40,5	-10/44,17	20/49,64	40/53,26
	ТСП–6097		(-20)–(+200)	-20/42,34	50/55,06	100/63,99	200/81,43
	ТСП–6097		(+80)–(+150)	80/131,37	100/139,10	120/146,78	150/158,21
	ТСП–6097		(-50)–(+250)	-50/80,00	50/119,70	150/158,21	250/195,56
	ТСМ–6097		(-15)–(+15)	-15/49,61	-5/51,87	5/54,13	15/56,39
	ТСМ–6097		(-20)–(+30)	-20/48,48	0/53,00	10/55,26	30/59,77
	ТСМ–6097		(-40)–(+100)	-40/82,96	0/100,00	50/121,30	100/142,60
	ТСМ–6097		(-50)–(+150)	-50/78,70	50/121,30	100/142,60	150/163,90
	ТСП–8012		(-40)–(+20)	-40/84,03	-30/88,04	-10/96,02	20/107,91
	ТСМ–8012		(0)–(+40)	0/53,00	10/55,26	30/59,77	40/62,03
	ТСМ–6114		(-45)–(+75)	-45/42,84	-10/50,74	25/58,65	75/69,93
	ТСМ–6114		(-5)–(+40)	-5/51,87	10/55,26	25/58,65	40/62,03
	ТСП–23		(-150)–(+60)	-150/38,80	-50/80,00	0/100,00	60/123,60
	ТСП–23		(-70)–(+40)	-70/71,90	-30/88,04	0/100,00	40/115,78
	ТСП–085		(0)–(+80)	0/46,00	40/53,26	60/56,86	80/60,43
	ТСП–085		(+10)–(+50)	10/47,82	20/49,64	30/51,45	50/55,06
	ТСП–410–01		(+10)–(+70)	10/47,82	30/51,45	50/55,06	70/58,65
	ТСМ–410–01		(+50)–(+100)	50/64,29	60/66,55	80/71,06	100/75,58
	ТСМ–410–01		(+75)–(+120)	75/69,93	90/73,32	105/76,71	120/80,09
	ТСП­­–175		(-50)–(+250)	-50/36,80	50/55,06	150/72,78	250/89,46
	ТСП­­–175		(-10)–(+400)	-10/44,17	100/63,99	250/89,46	400/114,72
	ТСП­­–175		(-50)–(+500)	-50/80,00	150/158,21	400/249,38	500/283,80
	ТСП­­–175		(0)–(+300)	0/100,00	100/139,10	200/177,03	300/213,79
	ТСП–591		(-200)–(0)	-200/17,28	-150/38,80	-50/80,00	0/100,00
	ТСП–611		(-60)–(+20)	-60/75,96	-30/88,04	0/100,00	20/107,91
	ТСП–712		(-40)–(+300)	-40/38,65	50/55,06	150/72,78	300/98,34
	ТСП–763		(+40)–(+80)	40/53,26	50/55,06	60/56,86	80/60,43
	ТСП–763		(+50)–(+100)	50/55,06	60/56,86	80/60,43	100/63,99
	ТСП–5081–01		(-20)–(+150)	-20/92,04	0/100,00	50/119,70	150/158,21
	ТСП–5081–01		(-50)–(+200)	-50/80,00	20/107,91	120/146,78	200/177,03
	ТСП–5081–01		(-10)–(+80)	-10/44,17	20/49,64	40/53,26	80/60,43
	ТСП–5081–01		(0)–(+180)	0/46,00	50/55,06	150/72,78	180/77,99

 

ПРИЛОЖЕНИЕ 5

MOSFET транзисторы N-типа

Название (фирма производитель)*	Макс.рабочее напряж. сток-истока Vds (B)	Сопротивление сток-исток в открытом состоянии при напряжении затвора Vg=10В Rdson max (мОм)	Ток стока при Ткорп=25°C Id (А)	Заряд затвора Qg (нК)	Рассеивающая мощность при Ткорп=25°C Pd (Вт)	Абсолютное макс. напряжение затвора Vgs max (В)	Время задержки вкл./выкл. td(on) / td(off) (нс)	Время нарастания/спада тока сто ка (при условиях как для времени задержки) tR / tF (нс)	Тепловое сопротивление переход-корпус ТJC (°C/Вт)	Ток затвора статический IG СТ. (нА)
IRLU3103 (IR)				33.3		±16	9/20 VDD = 15 V ID = 34 A RG = 3.4 Ω RD = 0.43Ω	210/54	1.4	±100
PMN49EN (NXP)			4.6	8.8		±30	4.1/12.9 VDS = 15 V RL = 15 W VGS = 10 V RG = 6 W	4.3/4.9	1.4	±100
IRF3708 (IR)						±12	7.2/17.6 VDD = 15 V VGS = 10 V ID =24.8A RG = 0.6 Ω	50/3.7	1.73	±100
SiJ400DP (VISH/IR)						±20	48/49 VDD = 15 V RL = 1.5 Ω ID = 10 A RG = 1 Ω	66/20	1.3	±100
IRF1010N (IR)						±20	13/39 VDD = 28 V VGS = 10 V ID = 43 A RG = 3.6 Ω	76/48	0.85	±100
STB28NM50N (ST)		13.5				±25	13.6/62 VDD = 250 V VGS = 10 V ID = 10.5 A RG = 4.7 Ω	19/52	0.83	±100
IRLZ44ZS (IR)		13.5				±16	14/25 VDD = 50 V VGS = 5 V ID = 31 A RG = 7.5 Ω	160/42	1.87	±200

ПРИЛОЖЕНИЕ 5 (продолжение)

NTD3055-094-1G (ONS)				10.9		±20	7.7/25.2 VDD = 48 V VGS = 10 V ID = 12 A RG = 9.1 Ω	32.3/23.9	3.13	±100
IRFP3077 (IR)		3.3				±20	25/69 VDD = 38 V VGS = 10 V ID = 75 A RG = 2.1 Ω	87/95	0.44	±100
IRFSL3107 (IR)						±20	17/100 VDD = 49 V VGS = 10 V ID = 160 A RG = 2.7 Ω	80/64	0.4	±100
AUIRF2807 (IR)				106.7		±20	13/49 VDD = 38 V VGS = 10 V ID = 78 A RG = 2.5 Ω	64/48	0.65	±100
IRF1407PBF (IR)		7.8				±20	11/150 VDD = 38 V VGS = 10 V ID = 78 A RG = 2.5 Ω	150/140	0.45	±200
NTB52N10G (ONS)						±20	15/74 VDD = 80 V VGS = 10 V ID = 52 A RG = 9.1 Ω	95/100	0.7	±100
IRF3710 (IR)				86.7		±20	12/45 VDD = 50 V VGS = 10 V ID = 28 A RG = 2.5 Ω	58/47	0.75	±100
NTD12N10G (ONS)					56.6	±20	11/22 VDD = 80 V VGS = 10 V ID = 12 A RG = 9.1 Ω	30/32	2.65	±100
IRF540N (IR)				47.3		±20	11/39 VDD = 50 V VGS = 10 V ID = 16 A RG = 5.1 Ω	35/35	1.15	±100
MTD6N15T4 (ONS)						±20	50/200 VDD = 25 V VGS = 10 V ID = 3 A RG = 50 Ω	180/100	6.25	±100
NTB35N15T4G (ONS)						±20	20/90 VDD = 120 V VGS = 10 V ID = 37 A RG = 9.1 Ω	125/120	0.7	±100
IRF3315 (IR)				63.3		±20	9.6/49 VDD = 75 V ID = 12 A RD = 5.9 Ω	32/38	1.6	±100

ПРИЛОЖЕНИЕ 5 (продолжение)

IRFB4019 (IR)						±20	7/12 VDD = 75 V VGS = 10 V ID = 10 A RG = 2.4 Ω	13/7.8	1.88	±100
NTB30N20T4 (ONS)						±30	10/40 VDD = 100 V VGS = 10 V ID = 18 A RG = 2.5 Ω	20/24	0.7	±100
MTW32N20EG (ONS)						±20	25/75 VDD = 100 V VGS = 10 V ID = 32 A RG = 6.2 Ω	120/91	0.7	±100
IRF5801 (IR)			0.6	3.9		±30	6.5/8.8 VDD = 100 V VGS = 10 V ID = 0.36 A RG = 53 Ω	8/19	-	±100
IRF230 (IR)						±20	35/60 VDD = 100 V VGS = 10 V ID = 9 A RG = 7.5 Ω	80/40	1.67	±100
IRFSL5620 (IR)		77.5				±20	8.6/17.1 VDD = 100 V VGS = 10 V ID = 15 A RG = 2.4Ω	14.6/9.9	1.045	±100
IRFP4232 (IR)		35.7				±20	37/64 VDD = 125 V VGS = 10 V ID = 42 A RG = 5.0 Ω	100/63	0.35	±100
IRF634PBF (VISH/IR)						±20	9.6/42 VDD = 125 V ID = 5.6 A Rg = 12 Ω RD = 22 Ω	21/19	1.7	±100
IRFU224 (VISH/IR)						±20	7/20 VDD = 125 V ID = 4.4 A RG = 18 Ω RD = 28 Ω	13/12	3.0	±100
IRFS4229PBF (IR)						±30	18/30 VDD = 125 V VGS = 10 B ID = 26 A	31/21	0.45	±100

ПРИЛОЖЕНИЕ 5 (продолжение)

*Расшифровка фирм производителей (подробнее см. приложение 10)

IR -International Rectifier

VISH/IR - Vishay (Vishay Seliconix)

ONS -On Semiconductor

ST -STMicroelectronics, Inc.

NXP - NXP Semiconductor

 

**Желательно проверить технические параметры выбранного транзистора по данным фирм производителей, т.к. в приложении 5 могут быть неточности.

 

 

ПРИЛОЖЕНИЕ 6

IGBT транзисторы

Все приведенные транзисторы с встречно-вкюченными диодами

Название (фирма производитель)*

Макс.рабочее напряж. коллектор-эммитер VCES (B)

Макс. ток коллектора Ткорп=25°C Iс (А) (ограничено типом корпуса)

Макс. ток коллектора Ткорп=100°C Iс (А)

Напряж. насыщения коллектор-эммитер VCE(on) typ. (B)

Время задержки вкл./выкл. при Ткорп=25°C td(on) / td(off) (нс)

Время нарастания/спада тока стока (при условиях как для времени задержки) tR / tF (нс)

Рассеивающая мощность при Ткорп=25°C Pd (Вт)

Тепловое сопротивление переход-корпус RJC (°C/Вт)

Заряд затвора Qg (нК)

Ток затвора статический IG СТ. (нА)

Абсолютное макс. напряжение затвора Vge max (В)

Коэффициент снижения мощности(derating factor) Kd (Вт/°С)

IRGB4059D (IR)

1.75

33/75 IС=4 A RG=100 Ω VCC=400 V VGE=15 V

14/20

2.7

±20

0.373

IRG4RC10UD (IR)

8.5

2.15

40/87 VGE=15 V IС=5 A RG=100 Ω VCC=480 V

16/140

3.3

±100

±20

0.328

IRG4RC10KD (IR)

2.39

49/97 VGE=15 V IС=5 A RG=100 Ω VCC=480 V

28/140

3.3

±100

±20

0.329

IRGB4045DPBF (IR)

2.15

27/75 IС=6 A RG=47 Ω VCC=400 V

11/17

1.94

19.5

±100

±20

0.51

IRG4RC10SD (IR)

1.10

76/815 VGE=15 V IС=8 A RG=100 Ω VCC=480 V

32/720

3.3

±100

±20

0.328

IRG4RC10SD (IR)

8.9

1.95

40/91 VGE=15 V IС=12 A RG=23 Ω VCC=480 V

21/80

2.8

±100

±20

0.36

ПРИЛОЖЕНИЕ 6 (продолжение)

1*

IRG4BC20SD (IR)

1.4

62/690 VGE=15 V IС=10 A RG=50 Ω VCC=480 V

32/480

2.1

±100

±20

0.48

IRG4BC30KD-S (IR)

2.21

60/160 VGE=15 V IС=16 A RG=23 Ω VCC=480 V

42/80

1.2

±100

±20

0.91

SKP15N60 (INF)

2.3

32/234 IС=15 A RG=21 Ω VCC=400 V

23/46

0.9

±700

±10

1.07

IRG4PC40UD (IR)

1.72

54/110 VGE=15 V IС=20 A RG=10 Ω VCC=480 V

57/80

0.77

±100

±20

1.267

IRG4RC10SD (IR)

2.05

20/115 VGE=15 V IС=13 A RG=10 Ω VCC=390 V

5/6

0.58

±100

±20

1.787

IRG4PC40FD (IR)

1.5

63/230 VGE=15 V IС=27 A RG=10 Ω VCC=480 V

32/170

0.77

±100

±20

1.27

IRGP4050D (IR)

1.64

37/120 VGE=15 V IС=30 A RG=5 Ω VCC=180 V

35/59

0.38

±100

±20

2.67

IRG4P254D (IR)

1.32

40/270 VGE=15 V IС=55 A RG=5 Ω VCC=200 V RD=28 Ω

44/510

0.64

±100

±20

1.627

ПРИЛОЖЕНИЕ 6 (продолжение)