Заглавная страница Избранные статьи Случайная статья Познавательные статьи Новые добавления Обратная связь FAQ Написать работу КАТЕГОРИИ: АрхеологияБиология Генетика География Информатика История Логика Маркетинг Математика Менеджмент Механика Педагогика Религия Социология Технологии Физика Философия Финансы Химия Экология ТОП 10 на сайте Приготовление дезинфицирующих растворов различной концентрацииТехника нижней прямой подачи мяча. Франко-прусская война (причины и последствия) Организация работы процедурного кабинета Смысловое и механическое запоминание, их место и роль в усвоении знаний Коммуникативные барьеры и пути их преодоления Обработка изделий медицинского назначения многократного применения Образцы текста публицистического стиля Четыре типа изменения баланса Задачи с ответами для Всероссийской олимпиады по праву Мы поможем в написании ваших работ! ЗНАЕТЕ ЛИ ВЫ?
Влияние общества на человека
Приготовление дезинфицирующих растворов различной концентрации Практические работы по географии для 6 класса Организация работы процедурного кабинета Изменения в неживой природе осенью Уборка процедурного кабинета Сольфеджио. Все правила по сольфеджио Балочные системы. Определение реакций опор и моментов защемления |
Определение динамических характеристикСодержание книги
Поиск на нашем сайте
2.1 Схема для определения динамических характеристик осциллографическим способом изображена на рисунок 8.2. Намагничивающая обмотка L 1 испытуемого образца ИО подключена через амперметр A, резистор R 1 к выходу автотрансформатора T. К измерительной обмотке L 2 подключен интегратор, состоящий из операционного усилителя DA, резисторов R 2, R 3, конденсатора C. Напряжения с выхода интегратора и с резистора R 1 подаются на входы «Y» и «X» электронно-лучевого осциллографа PS. Для наблюдения динамической предельной петли гистерезиса Рассчитывают масштабы индукции mB и напряженности магнитного поля mH, соответствующие наблюдаемой осциллограмме: , где R 1 и R 2 – сопротивления резисторов соответственно R 1 и R 2; S – поперечное сечение магнитопровода, м2; lср – средняя длина магнитной линии в образце, м; mX и mY – масштабы напряжений по горизонтали и вертикали для электронно-лучевого осциллографа. Значения напряженности и индукции магнитного поля в образце рассчитывают по формулам: ,
где и – отклонения луча соответственно по горизонтали и вертикали. Не изменяя масштабов mX и mY, уменьшают амплитуду тока в обмотке L 1 от максимального значения, соответствующего предельной петле гистерезиса при каждом новом значении тока. По вершинам частных циклов строят основную кривую намагничивания в координатах предельной петли гистерезиса. Относительная амплитудная магнитная проницаемость магнитного материала образца определяется по формуле . (8.2) Результаты измерений записываются в таблицу 8.3.
Таблица 8.3 – Определение магнитной индукции и напряженности магнитного поля внутри ИО в динамическом режиме осциллографическим методом
В таблице 8.3 обозначены: I – действующее значение тока намагничивания по амперметру, А; К – кратность частот генератора развертки, К=1,0; К=0,2; mX – масштаб напряжений по горизонтали электронно-лучевого осциллографа; для осциллографа типа С1-93 mX = 0,386 В/мм при К = 1,0 и mX = 0,078 В/мм при К = 0,2. Значения сопротивления R 2 и емкости С соответственно резистора и конденсатора интегратора составляют R 2=9,4 кОм и С =0,09 мкФ. 2.2 Схема для определения динамических характеристик по способу амперметра и вольтметра изображена на рисунке 8.3. Намагничивающая обмотка L 1 испытуемого образца ИО подключена через амперметр A и резистор R 1 к выходу автотрансформатора T. К измерительной обмотке L 2 подключен вольтметр V действующих значений. Электронно-лучевой осциллограф PS может быть подключен с помощью ключа S1 либо к резистору R 1, либо к Установив по амперметру А ток I в обмотке L 1, достаточный для перемагничивания материала образца по предельной петле гистерезиса, определяют с помощью осциллографа PS форму тока в обмотке L 1 и форму напряжения на зажимах обмотки L 2. Убеждаются, что напряжение на обмотке L 2 синусоидальной формы, а форма тока в обмотке L 1 существенно несинусоидальная. Для определения амплитудного значения Hm магнитного поля в материале образца ключ S 1 переводят в положение 1 и по вертикальному отклонению луча осциллографа определяют значение поля , где – амплитуда отклонения луча осциллографа; mY – масштаб напряжения канала «Y» осциллографа, определяемый по его калибровочному каналу. Для определения амплитудного значения Bm индукции магнитного поля в материале образца с помощью вольтметра V определяют действующее значение U напряжения на измерительной обмотке L 2, по которому находят индукцию: , где f – частота напряжения питающей сети; – коэффициент формы сигнала (для синусоидального сигнала = 1,11). Уменьшая ток I в обмотке L 1, для каждого нового значения тока необходимо определить координаты вершин частных циклов и найти динамическую кривую намагничивания материала образца как геометрическое место вершин частных циклов гистерезиса. Относительная амплитудная магнитная проницаемость определяется по формуле (8.2). Результаты измерений записываются в таблицу 8.4.
Таблица 8.4 – Определение магнитной индукции и напряженности магнитного поля внутри ИО в динамическом режиме по способу амперметра, вольтметра
В таблице 8.4 обозначено: I – действующее значение тока намагничивания по амперметру, А. Используя файл расчета «Магнитные характеристики» по данным таблиц 8.1–8.4 с помощью ПЭВМ, получить распечатку таблиц и графиков статической и динамической кривых намагничивания, а так же зависимостей относительной и амплитудной магнитных проницаемостей от величины
Контрольные вопросы 1 Почему чувствительность веберметра зависит от сопротивления измерительной цепи? 2 С какой целью размагничивают испытуемый образец? 3 Какова цель магнитной подготовки испытуемого образца? 4 Назовите достоинства и недостатки осциллографического способа исследования характеристик магнитных материалов? 5 Укажите источники погрешностей при реализации способа амперметра и вольтметра? 6 Какие основные погрешности возникают при определении параметров динамических характеристик ферромагнитных материалов? Как уменьшить эти погрешности?
Литература [1, С. 175-182, 430-442, 445-446; 6, С. 83-88, 107-108, 110-115]
Часть II
|
||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Последнее изменение этой страницы: 2016-12-10; просмотров: 374; Нарушение авторского права страницы; Мы поможем в написании вашей работы! infopedia.su Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав. Обратная связь - 3.149.250.19 (0.006 с.) |