Конденсатори постійної ємності

Таблиця Д.4.1.

Конденсатори оксидні типу К50-16

 

 

Тип конденсатора	Номінальна ємність, мкФ	Номінальна напруга, В	Допустиме відхилення, %	Розміри, мм
D	H	d	l
K50-16		6,3	+ 80 ч - 20	5,0	14,0	0,6	2,5
	7,0	5,0
	8.5	16,0
	11,5	14,0	7,5
	13,0	17,0
		5,0	14,0	0,6	2,5
	7,0	5,0
	19,0
	11,5	14,0	7,5
	16,0
	13,0	19,0
	19,0	27,0	0,9	10,0
		5,0	14,0	0,6	2,5
	7,0
	8,5
	16,0
	11,0	14,0	7,5
	13,0	17.0
	15,0	19,0
	17,0	27,0	10,0
	19,0	46,0
		5,0	14,0		2,5
	7,0	5,0
	8,5
	16,0
	11,5	14,0	7,0
	13,0	17,0
	17,0	19,0		10,5
	19,0	27,0
	46,0

 

 

Таблиця Д.4.2.

Конденсатори оксидні типу К53-7

Тип конденсатора	Номінальна ємність, мкФ	Номінальна напруга, В	Допустиме відхилення, %	Розміри, мм
D	L	d	l
К53-7	1,0		+ 20…-15	3,7	25,5	0,7	30,0
1,5
2,2	4,5	27,5	32,5
3,3
4,7	32,5	37,5
6,8	37,5	42.5
10,0	7,5	27,5	0,9	32.5
15,0
22,0	34,5	40,0
33,0	37,5	42,5
47,0	8,3	41,5	47.5
0,1		3,7	18,5	0,7	22,5
0,47	4,5	25,5	30,0
1.0	27,5	32.5
1,5
2,2	32,5	37,5
3,3	37,5	42.5
4,7	7,5	27,5	0,9	32,5
6,8
10.0	34,5	40,0
15,0	37,5	42,5
22,0	8,3	41,5	47,5

Таблиця Д.4.3.

Конденсатори плівкові К73-17

Номінальна ємність, мкФ	Розміри, мм
L	B	H	A	d
0,22					0,6
0,33	6,3
0,47			0,8
0,68		6,3
1,5	8,5
2,2		8,5
3,3	10,5
4,7				1,0
Примітка. 1. Допустиме відхилення ємності ± 5; 10; 20 %. 2 Призначені для роботи в колах постійної, змінної та пульсуючої напруги. 3. Номінальна напруга 63 В.

Таблиця Д.4.4..

Конденсатори керамічні КЛС-1

 

Типорозмір	Номінальна ємність, пФ (до 6800), мкФ (від 0,01) для групи ТКЄ
М47, М75	М750, М1500	Н30	Н50	Н70	Н90
	30-56	330-510	1500; 2200			4700; 6800; 0,01; 0,015; 0,022
	62-75	560-820				0,033
	82-130	910-1200			0,01	0,47
	150-240	1300-1800		4700;	0,015	0,068
	270-300	2000-3000	0,01	0,01	0,022; 0,033	0,1
Примітка. 1.Проміжні значення номінальних ємностей відповідають ряду Е24. 2. Номінальна напруга конденсаторів групи Н70, Н90 дорівнює 35 В, групи Н30 – 50 В, решта груп – 80 В. 3. Допустиме відхилення ємності від номінальної для груп М47, М75, М1500 дорівнюють ± 5; 10; 20 %; для групи Н50 – ± 20 %; для групи Н30, Н70, Н90 – + 80, -20 %.

 

 

Таблиця 4.5.

 

Конденсатори неполярні алюмінієві оксидно-електролітичні типу К50-15

 

Номінальна напруга, В	Номінальна ємність, мкФ	Розміри, мм
D	L
	4,7
6,8

Таблиця Д.4.6.

Конденсатори керамічні КM-4

Таблиця Д.4.7.

Конденсатори керамічні КM-6

Додаток 5

Кремнієві стабілітрони

Таблиця Д.5.1.

 

Параметри	Типи кремнієвих стабілітронів
КС133А	КС139А	КС147А	КС156А	КС168А	Д814А	Д814Б	Д814В	Д814Г	Д814Д	КС515А	КС518А	КС520А	КС522А	КС527А	КС531А
Номінальна напруга стабілізації, В	3,3	3,9	4,7	5,6	6,8	8,0	9,0
Мінімальна напруга стабілізації, В	3,0	3,5	4,0	4,7	5,6	7,0	8,0	9,0		11,5	13,5	16,2		19,8	24,3	27,9
Максималь-на напруга стабілізації, В	4,1	4,8	5,6	6,6	8,0	8,5	9,5	10,5			16,5	19,8		24,2	29,7	34,1
Диферен-ціальний опір, Ом
Мінімальний струм стабілізації, мА
Максималь-ний струм стабілізації, мА
Температур-ний коефіцієнт напруги, 10^-3·(1 / ^оС)				0,5	0,6	0,7	0,8	0,9	0,9				0,1			1,2
Розсіювана потужність,   Вт	0,3	0,3	0,3	0,3	0,3	0,3	0,3	0,3	0,3	0,3	1,0	1,0	0,5	1,0	1,0	0,5

 

 

Тип транзистора	fα, МГц	h21e, (β)	Ск, пФ	τкб, пс	Ік.0, мкА	Uке.макс, В	Ік.доп, А	Pк.доп, Вт	Rt.пк, ^оС/Вт
Транзистори кремнієві, провідність (p-n-p)
КТ202Г		40-160					0,01	0,015
КТ202Д		100-300					0,01	0,015
КТ3107А		70-140			0,1		0.1	0,3
КТ3107Б		120-220			0,1		0,1	0,3
КТ3107И		180-460			0,1		0,1	0,3
КТ3107К		380-800			0,1		0,1	0,3
КТ502А		40-120					0,3	0,35
КТ502Б							0,3	0,35
КТ502В		40-120					0,3	0,35
КТ502Г		80-240					0,3	0,35
КТ502Д		40-120					0,3	0,35
КТ502Е		40-120					0,3	0,35
КТ345А		20-60		-			0,2	0,10
КТ345Б		50-85		-			0,2	0,10
КТ345В		70-105		-			0,2	0,10
КТ361А		20-90					0,02	0,15
КТ361Б		50-350					0,02	0,15
КТ361В		20-90					0,02	0,15
КТ361Г		50-90					0,02	0,15
КТ361Д		20-90					0,02	0,15
КТ361Е		50-350					0,02	0,15
КТ370А		20-70			0,5		0,015	0,015	-
КТ370Б		40-120			0,5		0,015	0,015	-
КТ372А		10			0,5		0,01	0,05	-
КТ372Б		10			0,5		0,01	0,05	-
КТ372В		10			0,5		0,01	0,05	-
КТ638А		50-350					0,1	0,1
КТ638Б		150-450					0,1	0,1
КТ644А		40-120			0,1		0,6	1,0
КТ644Б		100-300			0,1		0,6	1,0
КТ814А		40					1,5
КТ814Б		40					1,5
КТ814В		40					1,5
КТ814Г		30					1,5
КТ816Д		20					3,0
КТ816Б		20					3,0
КТ816В		20					3,0
КТ816Г		15					3,0
КТ818А		15	-				10,0
КТ818Б		20	-				10,0
КТ818В		15	-				10,0
КТ818Г		12	-				10,0

Додаток 6

Біполярні транзистори

Таблиця Д.6.1.

Параметри біполярних транзисторів з провідністю p-n-p типу

 

 

 

Таблиця Д.6.2.

Параметри біполярних транзисторів з провідністю n-p-n типу

 

Тип транзистора	fα, МГц	h21e, (β)	Ск, пФ	τкб, пс	Ік.0, мкА	Uке.макс, В	Ік.доп, А	Pк.доп, Вт	Rt.пк, ^оС/Вт
Транзистори кремнієві, провідність (n-p-n)
КТ201Б		30-90					0,02	0,15
КТ201Г		70-210					0,02	0,15
КТ3101А		100-250			0,05		0,1	0,25
КТ3101В		200-500			0,05		0,1	0,25
КТ3101Г		400-1000			0,05		0,1	0,25
КТ602А		20-80					0,075	0,85
КТ602Б		30-150					0,075	0,85
КТ503А		40-120					0,3	0,35
КТ503Б		80-240					0,3	0,35
КТ503В		40-120					0,3	0,35
КТ503Г		80-240					0,3	0,35
КТ503Д		40-120					0,3	0,35
КТ503Е		40-120					0,3	0,35
КТ312А		10-100		-			0,01	0,225
КТ312Б		25-100		-			0,01	0,225
КТ312В		50-280		-			0,01	0,225
КТ315А		20-90					0,1	0,15
КТ315Б		50-350					0,1	0,15
КТ315В		20-90					0,1	0,15
КТ315Г		50-90					0,1	0,15
КТ315Д		20-90					0,1	0,15
КТ315Е		50-350					0,1	0,15
КТ324А		20-60	2,5		0,5		0,02	0,015
КТ324В		80-250	2,5		0,5		0,02	0,015
КТ373А		100-250			0,05		0,05	0,15
КТ373Б		200-600			0,05		0,05	0,15
КТ373В		500-1000			0,05		0,05	0,15
КТ605А		10-40					0,1	0,1
КТ605Б		30-120					0,1	0,1
КТ630А		40-120					1,0	1,0
КТ630Б		80-240					1,0	1,0
КТ815А		40					1,5
КТ815Б		40					1,5
КТ815В		40					1,5
КТ815Г		30					1,5
КТ817Д		20					3,0
КТ817Б		20					3,0
КТ817В		20					3,0
КТ817Г		15					3,0
КТ819А		15	-				10,0
КТ819Б		20	-				10,0
КТ819В		15	-				10,0
КТ818Г		12	-				10,0

Додаток 7

Польові транзистори

Таблиця Д.7.1.

Параметри польових транзисторів з керуючим p-n - переходом

 

Тип транзистора	Іс.макс, мА	S, мА/В	Uсв.макс, В	Uвід, В	Сзв, пФ	Сзс, пФ	Із.вит, нА	rсв, кОм	Pс.доп, мВт
Транзистори польові з керуючим n-p переходом і каналом n - типу
КП302А	3-24	5
КП302Б	18-43	7
КП302В	18-45
КП303А	0,5-2,5	1-4		0,5-3,0
КП303Б	0,5-2,5	1-4		0,5-3,0
КП303В	1,5-2,5	2-5		1,0-4,0
КП305Д		5-10		6,0		0,8
КП305Е		4-8		6,0		0,8	0,05
КП305Ж		5-10		6,0		0,8
КП305И		4-10		6,0		0,8
2П307А		4-9		0,5-3,0		1,5
2П307В		5-10		1-5		1,5
2П307Г		6-12		1,5-3,0		1,5
2П308А		1-4		0,2-1,2
2П308Б		1-4		0,3-1,8
2П308В		2-5		0,4-2,4
2П308Г		2-5		1,0-6,0
2П312А		4,0-5,8		2,0-8,0				7,7
2П312Б		2,0-5,0		0,8-6,0				9,1
КП314А
КП323А-2		4-5,8		0,74-6			0,1
2П333Б		2-5		0,6-4				1,5
2П333В		4-5,8		1-8			0,2	1,5
Транзистори польові з керуючим n-p переходом і каналом p - типу
КП101А		0,3				2,5		5,25
КП101Б		0,3				2,5
КП101В		0,5				2,7
КП102Ж		0,3-0,9				5,0	1,5
КП102К		0,45-1,2		7,5		5,0	1,5
КП102Л		0,65-1,3		10,8		5,0	1,5
КП103 Е	0,3	0,4-2,4		0,4-1,5
КП103 Ж	0,35-3,8	0,5-2,8		0,5-2,2
КП103 И	0,4-4	0,6-2,9		0,8-3
КП103 К	1-5,5	1-3		1,4-2
КП103 Л	2,7-10,5	1,2-4,2		2-6
КП103М	3-12	1,2-4,4		2,8-7
КП201Е	0,3-0,65	0,4		1,5
КП201Ж	0,55-1,2	0,7		2,2
КП201И	1-2,1	0,8
КП201К	1,7-3,8	1,4
КП201Л	3-6	1,8

Додаток 8

Операційні підсилювачі

Таблиця Д.8.1.

Параметр	К140УД6	К140УД7	К140У10	К140У11	К140УД14	К140УД17	К140УД18	К140УД20	К140УД22	К153УД3	К154УД2	К154УД3	К544УД2	КР574УД2	КР1408УД1
Коефіцієнт підсилення за напругою (Кu0), тис.
Напруга живлення (± Uж), В
Струм споживання (Iсп), мА		2,8
Напруга зміщення(Uзм), мВ						0,1
Вхідний струм (Iвх), нА							0,2		0,2				0,5
Різниця вхідних струмів (ΔІвх), нА							0,2		0,05				0,1	0,5
Дрейф напруги зміщення (ΔUзм/ΔT), мкВ/^оС						1,3
Частота зрізу, МГц		0,8			0,5	0,4	2,5	0,5							0,5
Максимальна швидкість наростання вихідної напруги (Vmax), В/мкс		0,3			0,1	0,1		0,3		0,5
Вхідний диференціальний опір (Rвх.д), МОм		0,4	0,4	0,4			10^6	0,4		0,4	0,5			10^3
Вихідний опір (Rвих), к Ом	0,2	0,2	0,15	0,2	0,2	0,2	0,2	0,2	0,2	0,2	0,2	0,2	0,2	0,5	0,2
Мінімальний опір навантаження (Rн.мін), кОм
Вихідна напруга (U ^± ), В		10,5

 

 

 

 

НАВЧАЛЬНЕ ВИДАННЯ

 

МЕТОДИЧНІ ВКАЗІВКИ

до виконання контрольної роботи

 

з навчальної дисципліни

 

«Електроніка та мікросхемотехніка»

 

для студентів стаціонарної та заочної форми навчання

базового напряму 6.0914 «Комп’ютеризовані системи автоматика і управління» та базового напряму 050201 «Системна інженерія»

 

 

Укладачі Вітер О.С., канд. техн. наук, доц.

Проць Р.В., канд. техн. наук, доц.