Заглавная страница Избранные статьи Случайная статья Познавательные статьи Новые добавления Обратная связь FAQ Написать работу КАТЕГОРИИ: АрхеологияБиология Генетика География Информатика История Логика Маркетинг Математика Менеджмент Механика Педагогика Религия Социология Технологии Физика Философия Финансы Химия Экология ТОП 10 на сайте Приготовление дезинфицирующих растворов различной концентрацииТехника нижней прямой подачи мяча. Франко-прусская война (причины и последствия) Организация работы процедурного кабинета Смысловое и механическое запоминание, их место и роль в усвоении знаний Коммуникативные барьеры и пути их преодоления Обработка изделий медицинского назначения многократного применения Образцы текста публицистического стиля Четыре типа изменения баланса Задачи с ответами для Всероссийской олимпиады по праву Мы поможем в написании ваших работ! ЗНАЕТЕ ЛИ ВЫ?
Влияние общества на человека
Приготовление дезинфицирующих растворов различной концентрации Практические работы по географии для 6 класса Организация работы процедурного кабинета Изменения в неживой природе осенью Уборка процедурного кабинета Сольфеджио. Все правила по сольфеджио Балочные системы. Определение реакций опор и моментов защемления |
Для відведення тепла від потужного транзистораСодержание книги
Поиск на нашем сайте
В малопотужних транзисторах тепло від колекторів передається корпусу, який має контакт з оточуючим середовищем і охолоджується за рахунок конвекції. У потужних транзисторах поверхні корпусу транзистора для цієї цілі недостатньо, тому корпус транзистора охолоджується за рахунок радіатора. Підвищення температури колекторного переходу в порівнянні з температурою оточуючого середовища буде дорівнювати
де - максимально допустима температура колекторного переходу транзистора оС; - максимально температура оточуючого середовища; Рк.макс - максимальна потужність, яка розсіюються на колекторі транзистора; Rt.пк - тепловий опір колекторний перехід-корпус транзистора в (оС/Вт); Rt.кр - тепловий опір корпус-радіатор в (оС/Вт); який залежить від якості кріплення транзистора на радіаторі і переважно не враховується; - тепловий опір радіатор-оточуюче середовище, який залежить від конструкції радіатора і визначається його формою і поверхнею в (оС/Вт)
- коефіцієнт тепловіддачі, який залежить від конструкції і стану поверхні радіатора, найчастіше ; Sр - площа радіатора в см2. У вираз для визначення температури підставляємо і отримуємо формулу для розрахунку площі радіатора
Для зменшення теплового опору поверхню радіатора ретельно шліфують і щільно кріплять і притискають до охолоджуючої поверхні. Проміжок між радіатором і транзистором заповнюють речовиною з більш високою теплопровідністю ніж повітря (кремнієвонеорганічними сполуками або епоксидною смолою). При використанні шасі приладів або інших металевих конструкцій для охолодження потужних транзисторів, необхідно ізолювати корпус транзистора від радіатора. Для цього транзистор кріплять на радіатор через слюдяну, фторопластову або бракеритову прокладку, яку для зменшення теплового опору змащують кремнієвонеорганічною пастою.
Список літератури 1. Схемотехніка електронних систем: У3 кн.1 Аналогова схемотехніка та імпульсні пристрої. Підручник / В.І. Бойко, А.М. Гуржій, В.Я. Жуйков та ін. – 2-ге вид., допов. і переробл. – К.: Вища школа, 2004. - 366с. 2. Електроніка та мікросхемотехніка / В.І. Сенько, М.В. Панасенко, Є.В. Сенько та ін. - К.: Обереги.2000. – Т1. - 299с. 3. Волович Г. И. Схемотехника аналоговых и аналого-цифровых 4. электронных устройств. — М.: Издательский дом «Додэка-ХХI», 2005. — 528 с. 5. Додик С.Д. Полупроводниковые стабилизаторы постоянного напряжения и тока. - М.: Советское радио, 1980. 6. Китаев В.Е.,Бокуряев А.А. Расчет источников электропитания устройств сязи. - М.: Связь, 1979. 7. Гершунский Б.С. Справочник по расчету электронных схем. Киев: Вища школа, 1983. 8. Цыкина А.В. Электронные усилители. - М.: Радио и связь, 1982. 9. Проектирование транзисторных усилителей звуковых частот. Под ред. Н.Л. Безладнова. - М.: Связь, 1978. 10. Воробьев Н.И. Проектирование электронных устройств: Учебное пособие для вузов по специальности “Автоматика и управление в технических системах.” - М.: Высш. школа, 1989. 11. Проектирование усилительных устройств. Под ред. Н.В. Терпугова. - М.: Высшая школа, 1982. 12. Воейков Д.Д. Конструирование низкочастотных генераторов. - М.: Энергия, 1964. 13. Бондаренко В.Г. RC-генераторы синусоидальных колебаний на транзисторах. - М.: Связь, 1976. 14. Герасимов С.М. Расчет полупроводниковых усилителей и генераторов. - Киев: Вища школа, 1961. 15. Вавилов А.А., Солодовников А.И., Шнайдер В.В. Низкочастотные измерительные генераторы. - Л.: Энергоатомиздат, 1985. 16. Москатов Е.А. Справочник по полупроводниковым приборам. - М.: Журнал «Радио», 2005. 17. Транзисторы для аппаратуры широкого применения. Справочник под ред. Б.Л. Перельмана. - М.: Радио и связь, 1981. 18. Полупроводниковые приборы: диоды, тиристоры, оптоэлектронные приборы. Справочник. Под общей ред. Н.Н. Горюнова. - М.: Энергоиздат, 1982. 19. Полупроводниковые приборы: транзисторы. Справочник. Под общей редакцией Н.Н. Горюнова. - М.: Энергоиздат, 1982. 20. Резисторы. Справочник - Под ред. Четверткова И.И. - М.: Энергоиздат, 1981. 21. Справочник по электрическим конденсаторам. Под общей ред. Четверткова И.И. - М.: Радио и связь, 1983. 22..Петухов В.М. Полупроводниковые приборы. Транзисторы. Справочник. - М.: Рикел, Радио и связь, 1995. 23. Гутников В.С. Интегральная электроника в измерительных устройствах. - Л.: Энергоатомиздат, 1988. 24..Аналоговые интегральные микросхемы: Справочник / Б.П. Кудряшов, Ю.В. Назаров, Б.В. Тарабрин, В.А. Ушибышев. - М.: Радио и связь, 1981. 25. Гришина Л.М., Павлов В.В. Полевые транзисторы. (Справочник). - М.: Радио и связь, 1982. Додатки Додаток 1
|
||||
Последнее изменение этой страницы: 2016-08-15; просмотров: 244; Нарушение авторского права страницы; Мы поможем в написании вашей работы! infopedia.su Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав. Обратная связь - 3.145.92.96 (0.006 с.) |