Раздел 2. Параметры кристаллической решетки

 

1 Базис кристаллической решетки

A) расстояния между узлами решетки в направлении координатных осей x ,y и z.

B) количество атомов, принадлежащих одной элементарной ячейке

C) число ближайших атомов, расположенных на одинаковом расстоянии

D) отношение объема, занимаемого атомами к объему ячейки.

E) основание кристаллической решетки.

 

2 Координационное число кристаллической решетки

A) расстояния между узлами решетки в направлении координатных осей x ,y и z.

B) количество атомов, принадлежащих одной элементарной ячейке

C) число ближайших атомов, расположенных на одинаковом расстоянии

D) отношение объема, занимаемого атомами к объему ячейки.

E) основание кристаллической решетки.

 

3 Период кристаллической решетки

A) расстояния между узлами решетки в направлении координатных осей x ,y и z.

B) количество атомов, принадлежащих одной элементарной ячейке

C) число ближайших атомов, расположенных на одинаковом расстоянии

D) отношение объема, занимаемого атомами к объему ячейки.

E) основание кристаллической решетки.

 

4 Плотность упаковки

A) расстояния между узлами решетки в направлении координатных осей x ,y и z.

B) количество атомов, принадлежащих одной элементарной ячейке

C) число ближайших атомов, расположенных на одинаковом расстоянии

D) отношение объема, занимаемого атомами к объему ячейки.

E) основание кристаллической решетки.

 

5 Индексы Миллера

А) расстояния между узлами решетки в направлении координатных осей x ,y и z,

B) число ближайших атомов, расположенных на одинаковом расстоянии,

C) целые рациональные числа n,k,l, являющиеся прямыми величинами отрезков, отсекаемых данной плоскость на осях координат,

D) целые рациональные числа n,k,l, являющиеся обратными величинами отрезков, отсекаемых данной плоскость на осях координат,

E) Есть индексы Мюллера, а не Миллера.

 

6 Параметры кристаллической решетки

A) период, базис,

B) координатное число, плотность упаковки,

C) координатное число, плотность упаковки, базис, период,

D) период, координатное число, плотность упаковки, индексы Миллера,

E) индексы Миллера, координатное число, плотность упаковки,

 

7 Базис ОЦК решетки?

A) 2

B) 4

C) 6

D) 8

E) 10

 

8 Базис ГЦК решетки

A) 2

B) 4

C) 6

D) 8

E) 10

 

9 Базис ГПУ решетки

A) 2

B) 4

C) 6

D) 8

E) 10

 

10 Какая это плоскость (111)?

A) плоскость призмы ГЦК решетки,

B) плоскость базиса ГПУ решетки,

C) нормаль в плоскости базиса ГПУ решетки,

D) нормаль к плоскости базиса ГЦК решетки,

E) плоскость октаэдра.

 

11 Как обозначается семейство кристаллографических плоскостей?

A) индексами Миллера, заключенными в квадратные скобки,

B) индексами Мюллера, заключенными в угловые скобки,

C) значком // и далее соответствующие буквы,

D) латинскими буквами, заключенными в круглые скобки,

E) индексами Миллера, заключенными в фигурные скобки.

 

12 Как обозначается семейство кристаллографических направлений?

A) индексами Миллера, заключенными в квадратные скобки,

B) индексами Мюллера, заключенными в угловые скобки,

C) значком // и далее соответствующие буквы,

D) латинскими буквами, заключенными в круглые скобки,

E) индексами Миллера, заключенными в фигурные скобки.

 

13 Что такое «Базис кристаллической решетки»?

A) расстояния между узлами решетки в направлении координатных осей x ,y и z.

B) количество атомов, принадлежащих одной элементарной ячейке

C) число ближайших атомов, расположенных на одинаковом расстоянии

D) отношение объема, занимаемого атомами к объему ячейки.

E) основание кристаллической решетки.

 

14 Что такое «Координационное число кристаллической решетки»?

A) расстояния между узлами решетки в направлении координатных осей x ,y и z.

B) количество атомов, принадлежащих одной элементарной ячейке

C) число ближайших атомов, расположенных на одинаковом расстоянии

D) отношение объема, занимаемого атомами к объему ячейки.

E) основание кристаллической решетки.

 

15 Что такое «Период кристаллической решетки»?

A) расстояния между узлами решетки в направлении координатных осей x ,y и z.

B) количество атомов, принадлежащих одной элементарной ячейке

C) число ближайших атомов, расположенных на одинаковом расстоянии

D) отношение объема, занимаемого атомами к объему ячейки.

E) основание кристаллической решетки.

 

Раздел 3. Дефекты кристаллической решетки

 

1 Дефекты кристаллической решетки

A) нуль-мерные, одномерные,

B) точечные, линейные, поверхностные, объемные,

C) двумерные, трехмерные,

D) поверхностные, объемные,

E) нуль-мерные, одномерные, точечные, линейные.

 

2 Нуль-мерные дефекты кристаллической решетки

A) вакансии, межузельные атомы,

B) дислоцированные, инородные атомы,

C) вакансии, инородные атомы,

D) инородные атомы, дислокации,

E) краевые и винтовые дислокации,

 

3 Одномерные дефекты кристаллической решетки

A) граница зерен, субзерен, двойников.

B) дислоцированные, инородные атомы,

C) вакансии, инородные атомы,

D) инородные атомы, дислокации,

E) краевые, винтовые и др. дислокации.

 

4 Двумерные дефекты кристаллической решетки

A) граница зерен, субзерен, двойников.

B) дислоцированные, инородные атомы,

C) вакансии, инородные атомы,

D) инородные атомы, дислокации,

E) краевые, винтовые и др. дислокации.

 

5 Трехмерные дефекты кристаллической решетки

A) граница зерен, субзерен, двойников.

B) дислоцированные, инородные атомы,

C) вакансии, инородные атомы,

D) Поры, трещины,

E) краевые, винтовые и др. дислокации.

 

6 Вакансия

A) инородные атомы,

B) межузельные пространства,

C) незаполненные атомами узлы решетки,

D) поры,

E) характеризуют аморфное строение.

 

7 Межузельные атомы

A) незаполненные атомами узлы решетки,

B) дислоцированные атомы в межузельном пространстве,

C) инородные атомы в межузельном пространстве,

D) дислоцированные атомы, поры,

E) дислоцированные и инородные атомы в межузельном пространстве.

 

8 Краевая дислокация

A) незаполненные атомами узлы решетки,

B) область несовершенства кристалла вокруг края экстраплоскости

C) инородные атомы в межузельном пространстве,

D) дислоцированные атомы, поры,

E) дислоцированные и инородные атомы в межузельном пространстве.

 

9 Атмосфера Коттрелла

A) зона сегрегации инородных атомов вокруг края экстраплоскости,

B) незаполненные атомами узлы решетки,

C) зона сегрегации вакансий вокруг края экстраплоскости,

D) область несовершенства кристалла вокруг края экстраплоскости

E) дислоцированные и инородные атомы в межузельном пространстве.

 

10 Плотность дислокаций

A) суммарная длина всех линий дислокаций l в единице объема V

B) отношение объема, занимаемого атомами к объему ячейки

C) число вакансиц, пересекающих единицу площади,

D) число линий дислокаций, пересекающих единицу площади,

E) суммарная длина всех линий дислокаций l в единице объема V, Число линий дислокаций, пересекающих единицу площади.

 

11 В каких единицах измеряется плотность дислокаций?

A) см

B) см ^-1

C) см ^-2

D) см ^-3

E) см ^-4

 

12 Вектор Бюргерса

A) расстояния между узлами решетки в направлении координатных осей,

B) количество атомов, принадлежащих одной элементарной ячейке

C) мера искажения кристаллической решетки,

D) отношение объема, занимаемого атомами к объему ячейки.

E) направление пластического сдвига.

 

13 Количество вакансий увеличивается при

A) при нагреве металла,

B) при охлаждении металла,

C) генерируются в процессе пластической деформации,

D) при кристаллизации и рекристаллизации,

E) при кристаллизации, спекании.

 

14 Какова причина увеличения плотности дислокаций?

A) результат нагрева металла,

B) результат охлаждения металла,

C) генерируются в процессе пластической деформации,

D) в результате кристаллизации и рекристаллизации,

E) в результате кристаллизации, спекании.

 

15 В результате каких процессов образуются поверхностные дефекты кристаллической решетки?

A) в результате нагрева металла,

B) в результате охлаждения металла,

C) генерируются в процессе пластической деформации,

D) в результате кристаллизации, рекристаллизации и спекания,

E) в результате динамического возврата.