Технологии и поколения оперативной памяти.

Память — один из основных компонентов любого компьютера, будь то карманный ПК или мощный сервер. По мере дальнейшего увеличения быстродействия микропроцессоров эффективное быстродействие элементов памяти часто становится узким местом компьютерных систем.

RAM

RAM означает Random Access Memory - Память Произвольного Доступа - память, доступ к которой осуществляется по адресу. Адреса при последовательном доступе могут принимать любые значения, поэтому можно получить независимый доступ к любому адресу (или "ячейке").

STRAM

Статистическая память - это память, построенная из статических переключателей. Она хранит информацию до тех пор, пока подается питание. Обычно требуется не менее шести транзисторов для хранения одного бита в SRAM схеме. SRAM используется в малых системах (до нескольких сот Кб RAM) и применяется там, где критична скорость доступа (как кэш внутри процессоров или на материнских платах).

DRAM

Динамическая память (DRAM) зародилась в начале 70х. Она основана на емкостных элементах. Мы можем думать о DRAM как о наборе конденсаторов, управляемых переключающимися транзисторами. Только один "конденсаторный транзистор" необходим для хранения одного бита, поэтому DRAM обладает большей емкостью чем SRAM (и она дешевле).
DRAM организована в виде прямоугольного массива ячеек. Чтобы обратиться к ячейке, нам нужно выбрать ряд и колонку, в которой находится эта ячейка. Обычно это реализуется таким образом, что старшая часть адреса указывает на ряд, а младшая часть адреса указывает на ячейку в ряду ("колонку"). Исторически сложилось так (из-за медленной скорости и маленьких IC пакетов в начале 70'х), что адрес подается на DRAM чип в две фазы - адрес ряда с адресом колонки по одинаковым линиям. Сперва чип принимает адрес ряда и затем через несколько наносекунд по той же линии передается адрес колонки. Чип считывает данные и передает их на вывод. При цикле записи данные принимаются чипом вместе с адресом колонки. Для управления чипом используется несколько управляющих линий. RAS (Row Address Strobe) сигналы которыми передается адрес ряда и также активируется весь чип. CAS (Column Address Strobe) сигналы которыми передается адрес колонки. WE (Write Enable) указывающий, что произведенный доступ - это доступ записи. OE (Output Enable) открывает буфера используемые для передачи данных с чипа памяти на "хост" (процессор).
FP DRAM

Так как каждый доступ к классической DRAM требует передачи двух адресов, он был слишком медленным для 25 МГц машин. FP (Fast Page) DRAM это вариант классической DRAM, в котором нет необходимости передавать адрес ряда в каждом цикле доступа. До тех пор пока RAS линия активна, ряд остается выбранным и индивидуальные ячейки из этого ряда можно выбрать передачей только адреса колонки. Итак, в то время как ячейка памяти остается той же самой, время доступа меньше, потому что только одна фаза передачи адреса необходима в большинстве случаев.

EDO

EDO (Extended Data Out) DRAM это вариант FP DRAM. В FP DRAM адрес колонки должен оставаться верным во время всего периода передачи данных. Буфера данных активизируются только во время цикла передачи адреса колонки, по сигналу уровня активности CAS сигнала. Данные должны быть считаны с шины данных памяти до того как в чип поступит новый адрес колонки. EDO память сохраняет данные в буферах вывода после того как CAS сигнал возвращается в неактивное состояние и адрес колонки убирается. Адрес следующей колонки может передаваться параллельно с чтением данных. Это предоставляет возможность использовать частичное совпадение при чтении. В то время как ячейки памяти EDO RAM одинаковы по скорости с FP DRAM, последовательный доступ может осуществляться быстрее. Итак EDO должны быть чем-то более быстрым, чем FP, особенно для массивного доступа (как например в графических приложениях).

VRAM

Video RAM может основываться на любой из перечисленных выше DRAM архитектур. Помимо "обычного" механизма доступа, описанного ниже, у VRAM есть один или два специальных серийных порта. VRAM часто упоминается как двупортовая или трехпортовая память. Серийные порты содержат регистры которые могут хранить содержимое целого ряда. Возможно передать данные с целого ряда массива памяти в регистр (или наоборот) за один цикл доступа. Затем данные могут быть считаны или записаны в регистр серийного доступа порциями любой длины. Поскольку регистр состоит из быстрых, статических ячеек, доступ к нему очень быстр, обычно в несколько раз быстрее чем к массиву памяти. В большинстве типичных приложений VRAM используется в качестве буфера экранной памяти. Параллельный порт (стандартный интерфейс) используется процессором, а серийный порт используется для передачи данных о точках на дисплее (или считывании данных с видео источника).

WRAM

WRAM это патентованная архитектура памяти разработанная Matrox и (кто же еще, дайте вспомнить...- Samsung?, MoSys?...). Она похожа на VRAM, но позволяет хосту производить более быстрый доступ. WRAM использовалась на графических платах Millenium и Millenium II производимых Matrox (но не на современных Millenium G200).

SDRAM

SDRAM это полная переделка DRAM, представленная в 90'х. "S" означает Synchronous (Синхронная), так как в SDRAM реализован полностью синхронный (и следовательно очень быстрый) интерфейс. Внутри SDRAM содержит (обычно два) DRAM массива. У каждого массива свой собственный Page Register (Регистр Страницы), который (немного) напоминает регистр серийного доступа на VRAM. SDRAM работает гораздо умнее чем обычная DRAM. Весь контур синхронизируется с сигналом внешних часов. На каждом такте часов чип принимает и выполняет команду, переданную по командным линиям. Названия командных линий остались теми же, что и в классических DRAM чипах, но их функции только похожи на оригинал. Есть команды для передачи данных между массивом памяти и регистрами страницы, и для доступа к данным в регистрах страницы. Доступ к регистру страницы очень быстр - современные SDRAMы могут передавать новое слово данных каждые 6..10 нс.

SGRAM

Synchronous Graphics RAM это вариант SDRAM, рассчитанный на графические приложения. Аппаратная структура почти идентична, поэтому в большинстве случаев мы можем менять SDRAM и SGRAM (смотрите Matrox G200-карты - некоторые из них используют SD, другие SG). Разница в функциях осуществляемых регистром страницы. SG может записать несколько расположений в одиночный цикл (это позволяет очень быстро производить заполнения цветом и очистку экрана), и может записать только несколько бит в слове (биты выбираются битовой маской хранимой интерфейсным контуром). Поэтому SG быстрее в графических приложениях, хотя физически не быстрее чем SD при "нормальном" использовании. Добавочные возможности SG используются графическими акселераторами. Я думаю что, в частности, очень полезны возможности очистки экрана и Z-буфера.

RAMBUS (RDRAM)

RAMBUS (торговая марка RAMBUS, Inc.) начал разрабатываться с 80'х, так что он не нов. Современные RAMBUS технологии сочетают в себе старые но очень хорошие идеи и сегодняшнии технологии производства памяти. В основе RAMBUS лежит простая идея: мы берем любой хороший DRAM, встраиваем в чип статический буфер (как в VRAM и SGRAM), и предоставляем специальный, электронно настраивающийся интерфейс работающий на 250..400 МГц. Интерфейс как минимум вдвое быстрее чем применяющийся в SDRAM, и в то время как время случайного доступа обычно медленнее, последовательный доступ производится очень, очень, очень быстро. Помните что когда были представлены 250 МГц RDRAMы, большинство DRAMов работали на частотах 12..25 МГц. RDRAM требует специального интерфейса и очень осторожного физического размещения на PCB. Большинство RDRAM чипов воглядят совсем иначе чем другие DRAMы: у всех у них все сигнальные линии находятся на одной стороне корпуса (чтобы они были одинаковой длины), и только 4 линии питания на другой стороне. RDRAMы используются в графических картах на чипах Cirrus 546x. Вскоре мы увидим RDRAMы используемые в качестве главной памяти на ПК.

Устройство жёстких дисков.

Винчестер содержит набор пластин, представляющих чаще всего металлические диски, покрытые магнитным материалом – платтером (гамма-феррит-оксид, феррит бария, окись хрома…) и соединенные между собой при помощи шпинделя (вала, оси).

Сами диски (толщина примерно 2мм.) изготавливаются из алюминия, латуни, керамики или стекла. (см. Рис)

Для записи используются обе поверхности дисков. Используется 4-9 пластин. Вал вращается с высокой постоянной скоростью (3600-7200 оборотов/мин.)

Вращение дисков и радикальное перемещение головок осуществляется с помощью 2-х электродвигателей.

Данные записываются или считываются с помощью головок записи/чтения по одной на каждую поверхность диска. Количество головок равно количеству рабочих поверхностей всех дисков.

Запись информации на диск ведется по строго определенным местам — концентрическим дорожкам (трекам). Дорожки делятся на сектора. В одном секторе 512 байт информации.

Обмен данными между ОЗУ и НМД осуществляется последовательно целым числом (кластером). Кластер — цепочки последовательных секторов (1,2,3,4,…)

Специальный двигатель с помощью кронштейна позиционирует головку чтения/записи над заданной дорожкой (перемещает ее в радиальном направлении).

При повороте диска головка располагается над нужным сектором. Очевидно, что все головки перемещаются одновременно и считывают инфоголовки перемещаются одновременно и считывают информацию с одинаковых дорожек разныхрмацию с одинаковых дорожек разных дисков.

Дорожки винчестера с одинаковым порядковым номером на разных дисках винчестера называется цилиндром.

Головки чтения записи перемещаются в вдоль поверхности платтера. Чем ближе к поверхности диска находится головка при этом не касаясь ее, тем выше допустимая плотность записи.