Заглавная страница Избранные статьи Случайная статья Познавательные статьи Новые добавления Обратная связь FAQ Написать работу КАТЕГОРИИ: АрхеологияБиология Генетика География Информатика История Логика Маркетинг Математика Менеджмент Механика Педагогика Религия Социология Технологии Физика Философия Финансы Химия Экология ТОП 10 на сайте Приготовление дезинфицирующих растворов различной концентрацииТехника нижней прямой подачи мяча. Франко-прусская война (причины и последствия) Организация работы процедурного кабинета Смысловое и механическое запоминание, их место и роль в усвоении знаний Коммуникативные барьеры и пути их преодоления Обработка изделий медицинского назначения многократного применения Образцы текста публицистического стиля Четыре типа изменения баланса Задачи с ответами для Всероссийской олимпиады по праву Мы поможем в написании ваших работ! ЗНАЕТЕ ЛИ ВЫ?
Влияние общества на человека
Приготовление дезинфицирующих растворов различной концентрации Практические работы по географии для 6 класса Организация работы процедурного кабинета Изменения в неживой природе осенью Уборка процедурного кабинета Сольфеджио. Все правила по сольфеджио Балочные системы. Определение реакций опор и моментов защемления |
Полупроводниковые транзисторыСодержание книги
Поиск на нашем сайте
Свойства p-n-перехода можно использовать для создания усилителя электрических колебаний. Электропреобразовательный полупроводниковый прибор с одним или несколькими электрическими переходами, пригодный для усиления мощности электрических сигналов и имеющий три или более выводов, называют транзистором. Термин «транзистор» происходит от комбинации английских слов transfer of resistor, что в переводе означает «преобразователь сопротивления». Действие транзистора основано на управлении движением носителей зарядов в полупроводниковом кристалле. По принципу действия транзисторы делят на два основных класса: биполярные и полевые (униполярные). В биполярных транзисторах физические процессы определяются движением носителей заряда обоих знаков – основных и неосновных. В полевых (униполярных) транзисторах, используется движение носителей одного знака (основных носителей). Транзисторы различают: по мощности:
По граничной частоте пропускания
Маркировка транзисторов состоит из шести символов: · первый символ (буква) обозначает материал; · второй символ (буква П или Т) обозначает: П – полевой, Т – биполярный; · третий символ (цифра) характеризует транзисторы по частоте и по мощности: 1 – малой мощности, низкой частоты; 2 – малой мощности, средней частоты; 3 – малой мощности, высокой частоты; 4 – средней мощности, низкой частоты; 5 – средней мощности, средней частоты; 6 – средней мощности, высокой частоты; 7 – большой мощности, низкой частоты; 8 – большой мощности, средней частоты; 9 – большой мощности, высокой частоты; · четвертый и пятый символы (цифры) обозначают номер разработки; · шестой символ (буква) обозначает параметры, не являющиеся классификационными. Биполярные транзисторы Общая характеристика Биполярный транзистор (в дальнейшем просто транзистор) – это трехэлектродный полупроводниковый прибор, имеющий два взаимодействующих р-n-перехода. Транзистор (рис. 4.1) состоит из трех основных областей: эмиттерной, базовой и коллекторной. К каждой из областей имеется омический контакт. Переход, который образуется на границе областей «эмиттер – база», называется эмиттерным, а на границе «база – коллектор» – коллекторным. Проводимость базы может быть как дырочной, так и электронной; соответственно различают транзисторы со структурами n-p-n и p-n-p. Принцип работы транзисторов обоих типов одинаков, за исключением того, что в транзисторе типа n-p-n ток, текущий через базу от эмиттера к коллектору, создают электроны, а в транзисторе типа p-n-p этот ток создают дырки. Полярность рабочих напряжений и направления токов в транзисторах n-p-n-типа и p-n-p-типа противоположны. Рассматривая трехслойную полупроводниковую структуру, можно убедиться, что у транзистора нет принципиальных различий между эмиттерным и коллекторным переходами и (при включении транзистора в схему) их можно поменять местами, т.е. коллекторный переход использовать в качестве эмиттерного, а эмиттерный – в качестве коллекторного. Но при конструировании кристалла всегда добиваются того, чтобы прямой ток эмиттерного перехода практически целиком замыкался через коллекторную цепь, т.е. Iк ≈ Iз. Для этого необходимо выполнение следующих основных условий: 1) база транзистора должна быть настолько тонкой, чтобы инжектированные в нее носители могли относительно свободно (не рекомбинируя) достигать коллекторного перехода. У современных приборов толщина базы имеет порядок единиц микрометров; 2) эмиттерная область в сравнении с областью базы должна иметь большую концентрацию примеси (концентрацию примесей в базе делают на два-три порядка меньше концентрации примесей в эмиттере), чтобы прямой ток эмиттера в основном определялся носителями, инжектируемыми эмиттером в базу; 3) площадь коллекторного перехода должна быть в несколько раз больше площади эмиттерного перехода (sк > sэ), чтобы инжектированные в базу носители при перемещении в направлении уменьшения своей концентрации попадали преимущественно в область коллекторного перехода. Отношение sэ / sк обычно составляет 0,15 – 0,5; 4) чтобы увеличить максимально допустимое напряжение коллектора, которое ограничивается напряжением пробоя коллекторного перехода (Uк.б.max ≈ 0,8 Uк.б.проб) в область коллектора обычно вносят несколько меньшую дозу примеси, чем в область эмиттера. Следовательно, для транзистора p-n-p-типа: nб << pк << pз. В зависимости от технологии изготовления транзистора концентрация примесей в базе может быть распределена равномерно или неравномерно. При равномерном распределении внутреннее электрическое поле отсутствует, и неосновные носители заряда, попавшие в базу, движутся в ней вследствие процесса диффузии. Такие транзисторы называют диффузионными или бездрейфовыми. При неравномерном распределении концентрации примесей в базе имеется внутреннее электрическое поле (при сохранении в целом электронейтральности базы) и неосновные носители заряда движутся в ней в результате дрейфа и диффузии, причем дрейф играет доминирующую роль. Такие транзисторы называют дрейфовыми. На каждый p-n-переход транзистора может быть подано как прямое, так и обратное напряжение. Соответственно различают четыре режима работы транзистора: 1) отсечки – на оба перехода подано обратное напряжение; 2) насыщения – на оба перехода подано прямое напряжение; 3) активный – на эмиттерный переход подано прямое напряжение, а на коллекторный переход – обратное; 4) инверсный – на эмиттерный переход подано обратное напряжение, а на коллекторный переход – прямое. Активный режим работы используют для усиления и генерирования сигналов. Режим работы насыщения и режим отсечки используются в ключевых устройствах, в логических устройствах, цифровых интегральных схемах. Инверсный режим используется в специальных схемах.
|
||||||||||||||||||
Последнее изменение этой страницы: 2016-04-25; просмотров: 87; Нарушение авторского права страницы; Мы поможем в написании вашей работы! infopedia.su Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав. Обратная связь - 18.97.14.90 (0.021 с.) |