Заглавная страница Избранные статьи Случайная статья Познавательные статьи Новые добавления Обратная связь FAQ Написать работу КАТЕГОРИИ: АрхеологияБиология Генетика География Информатика История Логика Маркетинг Математика Менеджмент Механика Педагогика Религия Социология Технологии Физика Философия Финансы Химия Экология ТОП 10 на сайте Приготовление дезинфицирующих растворов различной концентрацииТехника нижней прямой подачи мяча. Франко-прусская война (причины и последствия) Организация работы процедурного кабинета Смысловое и механическое запоминание, их место и роль в усвоении знаний Коммуникативные барьеры и пути их преодоления Обработка изделий медицинского назначения многократного применения Образцы текста публицистического стиля Четыре типа изменения баланса Задачи с ответами для Всероссийской олимпиады по праву Мы поможем в написании ваших работ! ЗНАЕТЕ ЛИ ВЫ?
Влияние общества на человека
Приготовление дезинфицирующих растворов различной концентрации Практические работы по географии для 6 класса Организация работы процедурного кабинета Изменения в неживой природе осенью Уборка процедурного кабинета Сольфеджио. Все правила по сольфеджио Балочные системы. Определение реакций опор и моментов защемления |
Уравнение Эйнштейна для ВФЭ.↑ Стр 1 из 4Следующая ⇒ Содержание книги Поиск на нашем сайте
Фотоэффект Явление было открыто в 1887г. Г. Герцом. Он обнаружил, что при облучении ультрафиолетовым светом отриц. разрядника ультр. лучами разряд происходит при меньшем напряжении между электродами. Подробно это явление было исследовано в 1888 – 1890гг. А.Г. Столетовым. Схема опыта: К - металлич. пластина, отриц. заряжена, фотокатод. М -мет. сетка ТИ - токоизмерит. прибор ИП - ист. пит Столетов обнаружил, что при уменьшении напряжения в разряднике, обуславливается выбиванием под действием света из катодо-разрядника отриц. зарядов. При облучении светом фотокатода в цепи появляется ток, т.е. фототок. Фотоэлектр. Эффект – испускание электронов твердыми телами и жидк. под действием эл/м излучения, в вакуум или др. среду. Внешний ФЭ – явление вырывания электронов из твердых тел под действием света. Экспериментально было показано, что ВФЭ у металлов зависит не только от природы металла, но и от состояния его поверхности. Для характеристики используется ВАХ: (зависим. фототока от напряжения) наличие фототока в области тормозящего напряжения – объясняется тем, что электроны обладают нач. кин. энергией сообщаемой светом. eU0= mV Iн=n*e; Iн-ток насыщения, пропорц. числу электронов вылетив. в единицу времени. Из ВАХ можно определить нач. кин. энергию и число электронов вырыв. светом из катода. Законы ВФЭ Столетова: 1 максим. начальная скорость фотоэлектронов определяется частотой света и не зависит от его интенсивности. 2.для каждого металла существует так называемая красная граница ФЭ(min частота света), ниже которой ФЭ не происходит.υ 0 – зависит от хим. природы металла и состояния его поверхности. 3. число электронов вырываемых из катода за единицу времени пропорционально интенсивности света. ФЭ практически безинерционен. При объяснении 1 и 2 закона с волновой точки зрения встретились трудности: ни наличие кр. границы ФЭ, ни не зависим. скорости электронов от интенсивности, ни без инерциальность ФЭ, не может быть объяснено с точки зрения волновых представлений о свете. Уравнение Эйнштейна для ВФЭ. Эйнштейн использовал квант гипотезу Планка и предложил объяснение ФЭ явления: ε = h υ =h c; он предположил, что при падении пучка квантов(фотонов) на поверхность металла происходит поглощение кванта электроном, т.е. квант отдает свою энергию электрону полностью. mV=h υ-(A1+A) A1-энергия потраченная на преодоление взаимодействия с другими электронами. A – работа выхода электрона из металла. Практически в создании фототока будут участвовать только поверхностные электроны, для них уравнение примет вид: mVmax = h υ-A; A – работа выхода, mVmax – максим. кин. энергия фотоэлектронов. ФЭ возможен если: h υ>>A и h υ=A тогда: υ0=Ah; - должна существовать кр. граница, ниже которой ФЭ не будет. Фотоны Фотон не имеет массы покоя, т.е. покоящихся фотонов не существует. Энергия: ε=h υ =mc2. Масса: m=hυc Импульс: p=ħ k; k – волновое число =2Пλ; ħ=1.05*10-34Дж с; направление фотона совпадает с направлением распространения света. Эффект Комптона. 1923г. - амер. физик А.Комптон; 1927г- присудили Нобелев. премию. Он исследовал рассеяние монохром-х рентген-х лучей легкими веществами(графит, парафин). Рассмотрел как рассеивается рассматриваемое с точки зрения волн. первичная вторичная эл/м волна рассеяние эл/м волна υ0 υ На основании рез-ов опытов было установлено: 1. в рассеянном излучении присутствуют как первоначальная λ, так и λ смещения в сторону больших λ. 2.Величина смещения зависит от угла рассеяния, но независит от рассеивания мат-ла: ∆ λ= λ’- λ=2 λкsin2 θ/2; (λк=h/mec=2.43*10-12м) из формулы следует, что ЭК может наблюд-ся только для рентг-го или гамма – излучения(для коротких λ) возрастание λ рассеян-го излучения наблюд-ся при рассеян-ии рентг-их или гамма квантов, получило название Эффекта Комптона 3.при возрастании угла θ интенсивность не смещенной линии падает, а интен-ть смещенной увеличивается.
Постулаты Бора. Целью работы было объединить в единое целое следующее: эмпирические закономерности в спектре атома водорода; ядерную модель атома Резерфорда; квантовый характер испускания и поглощения света. Первоначально в теории Бора сохранялась классическое описание движения электронов, но для достижения цели ему пришлось наложить некоторые ограничения, которые он сформулировал в виде постулатов: 1 Постулат стацион. состояний: сущ-ют некоторые стацион-е состояния атома, находясь в которых атом не излучает энергии, этим стац-ым состояниям соответствуют опред-е (стац-е) орбиты, по которым движ-ся электрон. 2 Правило квантования орбит: в стац-ых состояниях атом электрона двигаясь по круговой орбите должен иметь строго опред-ое квантованные значения момента импульса, удовл-ие условию: (4) mυnrn = nħ; n=1,2,3,…-N стац-ой орбиты; r-радиус стац-ой орбиты; υ–скорость движ-ия электрона по орбите rn; 3 Правило частот: при переходе из одного стац-го состояния в другое, испускается или поглощается один квант энергии: Еn < Еm -поглощение энергии Еn-Еm = h υnm Еn > Еm –излучение энергии Постулаты 1 и 3 были подтверждены опытом Франка и Герца (1914г.):
в трубке заполненной парами ртути под небольшим давлением(~1 мм рт ст), имелись три электрода: катод К, сетка С и анод А; электроны, вылетавшие из К вследствие термоэлектронной эмиссии, ускорялись разностью потенциалов U, приложенной между К и С; эту разность потенциалов можно было плавно менять с помощью потенциометра П; между С и А создавалось слабое электр-ое поле, тормозившее движ-е электронов к А. Исследовалась зависимость силы тока в цепи анода от напряжения между К и С: сила тока измерялась гальванометром Г, напряжение – вольтметром В; видно, что сила тока вначале монотонно возрастает, достигая max приU=4,9 В, после чего с дальнейшим увеличением U резко падает, достигая min, и снова начинает расти; такой ход кривой объясняется тем, что вследствие дискретности энергетич-х уровней атомы могут воспринимать энергию только порциями: ∆Е1=Е2-Е1 либо ∆Е2=Е3-Е1 и т.д., где Е1,Е2,Е3…-энергия 1-го, 2-го, 3-го и т.д. стац-ых состояний. Таким образом, в опытах непосредственно обнаруживается сущ-ие у атомов дискретных энергетических уровней могут воспринимать энергию только порциями:
Уравнение Шредингера. Уравн-е Шред-ра – основное уравнение квантовой механики. Квант-я механика – теория устанавливающая способописания и законы движ-я микрочастицы и их систем, а также связь величин характериз-х микроч-цу системы с физич-ми велич-ми, непосредственно измеренные на опыте. m (d2x / dt2) = Fx (1) наличие волновых свойств микрочастицы не позволяет использовать ур-ие (1). Ур-ие движ-ия микрочастицы было предложено Шред-ом в 1926г. ψ = ψ(x,y,z,t)-(ВФ)→ уравнение движ-ия микрочастицы должно быть относительно этой функции → уравнение должно быть волновым, т.к. с его помощью мы должны объяснить эксперименты по дифракции микрочастицы. Временное урвнение Шредингера: (2) – основное уравн-е нерелятивистской квантовой механики, т.е справедливо для любой частицы движ-ся со скоростью << скорости света. Принцип Паули. Распределение электронов по состояниям, управляется принципом Паули(ПП) установленном на обобщении экспериментальных рез-ов. ПП утверждает, что в каждом состоянии характериз-ся 4 квант-ми числами (n-главное квант.(n=1,2,3); l-орбитальное (l=0,1,2…n-1); ml – магнитное (ml = -l…,-1,0,1,…+l); ms- магнитное спиновое (ms =+1/2, -1/2)) может нах-ся не >> 1 электрона. В соответствии с ПП каждый вновь присоед-ый электрон будет занимать состояния с большей энергией. Совокупность электронов нах-ся во всех возможных состояниях с одинаковой знач-ем n(главное квант-е число) будем наз-ть электронным слоем или оболочкой. (K,L,M). Заполненный слой – слой, в котором все входящие в него состояния в атоме реализованы. Ядерные силы. Нуклоны связаны между собой особыми силами притяжения – ядерными силами. Основные свойства: 1. fяд >> fкул, fграв. 2.они короткодействующие, т.е. действуют на расстояниях ~ 10-15 м = 1 Ф. 3. они явл-ся силами особого рода, их природа и свойства изучены недостаточно. Модели атомного ядра. 1. Капельная модель: в основе модели лежит аналогия между свойствами ядра и капли жидкости. Общее: а) силы, действующие между молекулами жидкости, имеют малый радиус действия. б) ядерные частицы, также как и молекулы жидкости, обладают достаточной подвижностью. Доказательством этого служит установление у p и n значительных моментов импульсов. в) плотность вещества в жидком состоянии при данной темпер-ре и давлении постоянна и не зависит от числа молекул, а ядро имеет постоянну удельную энергию связи, и плотность, не зависящую от числа нуклонов в ядре. Отличие: ядро-капля заряжено и подчиняется законам квантовой механики. Капельная модель хорошо поясняет многие свойства ятомных ядер. С ее помощью установлен критерий устоячивости атомных ядер: Z =А/1,98+0,015А → Z = А/2*(Nр ≈ Nn) – для легких ядер. 2. оболочечная модель: нуклоны в ядре нах-ся в определенных энергетич-х состояниях и подобно электронам в атоме образуют определенные электронные оболочки и подоболочки. Ядра имеющие только заполненые оболочки обладают повышенной устойчивостью и большей распространненостью. Рассчеты по оболочечной модели показали, что наиболее устойчивыми положениями оказались с числом p или n: 2,8,20,28,50,82,126,152 (магические числа). Дважды магические элементы:24He, 816O, 2040Ca,82208Pb.
6. Радиоактивность. Природа α, β, γ распадов. Закон радиоакт-го распада. Период полураспада. Активность радиоакт-го вещества. р/акт - испускание ядрами некот-х элем-ов различных частиц сопровождающийся переходом ядра в др. состояние и изменение его параметра. У достаточно тяжелых элементов(после 82Pb) ядерные силы уже не обеспечивают устойчивости ядра. Такие ядра могут самопроизвольно распадаться, превращаясь в ядра более легких элементов. Это явление наз-ся р/акт распадом. Распад атомных ядер сопровожд-ся испусканием различных видов з/акт излучений и некоторых элементов частиц. 1896г –Анри Беккерель обнаружил, что соли урана испускают невидимые лучи со сле-ми свойствами: 1.способны вызывать люминисценцию 2.проникать сквозь слои непрозрачных веществ. 3.ионизируют газы. 4.обладают фотографич-им действием. Дальнейшее исследование было проделано Марией и Пьером Кюри, Э.Резерфордом. Ими были установлено, что естественная р/акт свойственна не только урану, но и многим тяжелым элементам: 89Ас, 90Тh, 84210Ро, 88Ra. Все эти элементы были названы р/акт, а испускаемые ими лучи-р/акт-ым излучением. Радиоактивное излучение явл-ся сложным и состоит из трех видов излучения. Анализ его состава был сделан Кюри по отклонению в магн-ом поле. Характер отклонения лучей в магн-ом поле показывает, что α-лучи несут полож-ый, β-лучи отриц-ый заряд, γ-лучи не заряжены. α-лучи – поток ядер гелея (24Не → Zα = +2e). пролетая сквозь вещество α-частица ионизирует его атомы действуя на них своим электр-им полем. Израсходовав свою энергию, α-частица останавл-ся, захватывает электрон из вещ-ва и превращается в нейтральный атом гелия. Пробег (проникающая способность)-путь, проходимый р/акт излучателем в вещ-ве. Ионизирующая способность - число пар ионов, создаваемых излучением на пробеге. β-лучи – поток быстрых электронов(υβ~108м/с). β-частицы обладают меньшей иониз-ей спос-тью, но большим пробегом, чем α-частицы. Энергия β-частиц идет на: ионизацию; возбуждение вторичного рентген-го излучения, источником которого явл-ся оболочка атома. Γ-лучи – эл/магн волна(λγ ~ 10-12м). источником γ-излучения явл-ся атомное ядро. Энергия идет на: фотоэффект, эффект Комптона; образование электронно-позитронных пар εγ ≥ 1,02 МэВ – ядро распадается на отриц-ый электрон и полож-ый.
Закон р/акт распада. Радиоакт.распад- естеств-е радиоакт-е превращ-е ядер, происходящее самопроизвольно. р/акт распад ведет к постепенному уменьшению числа атомов р/акт излучения. Пусть dN-число атомов, распадающихся за время dt: dN =-λNdt (1), где λ-постоянная распада (минус указывает на уменьшение числа атомов). dN/N характе-ет относительное уменьшение dt атомных ядер в единицу времени. dN/N = - λdt → ln N = -λt + ln с (2), ln c-определ-ся из нач-ых условий: t=0 → N=N0/ N = N0 e-λt (3) – закон р/акт распада. N0-число атомов р/акт элемента в нач-ый момент времени, N-число атомов этого же элемента, оставшихся к моменту времени t. Для характер-ки быстроты рапада вводят понятие периода полураспада (время, в течение которого распадается половина атомов ядер р/акт вещ-ва). Т = ln 2λ = 0,693λ/ Время жизни р/акт атома – величина обратно пропорц-ая постоянной распада: τ = 1λ = Тln2 =1,44 Т Активность р/акт распада – число атомных распадов, совершающихся в р/акт элементе за един-цу времени: а = |dNdt| = λ N. Продукт р/акт распада сам может бать р/акт и проходить несколько промежуточных стадий, образуя цепочку р/акт элементов, заканчивающуюся стабильным элементом. Такая цепочка элементов наз-ся семейством: 1-ое семейство урана:
2-ое сем-во нептуния:
3-е сем-во актиноурана:
4-ое сем-во тория:
Тепловое излучение. ТИ – электромагн-ое излучение испускаемое веществом и возникающее за счет энергии теплового движ-ия атомов и молекул. Свойства: 1.ТИ свойственно всем телам при Т > 0К. 2.ТИ может быть равновесным, т.е распределение энергии между телами и излучателем остается неизменным во времени. Основные характ-ки ТИ: 1.излучательная способность твердого тела (η) зависит от λ, Т: ηλ,Т=(dEλTизл/dλds) – излуч-я способность тела численно = мощности излуч-ия с един-цы площади поверхности тела в един-ом интервале длин волн. 2.светимость (интенсивность излуч-ой способности) R R = 0∫∞ ηλT dλ 3.поглощательная способность тв-го тела (а): аλ,Т = (dEλ,Тпоглощ/dEλ,Т); dEλ,Тпоглощ – энергия поглощ-го тела (dλ); dEλ,Т – энергия падающая на тело; аλ,Т – монохром-ий коэф-т поглощения. аλ зависимость коэф-та 1 2 поглощения от λ с 3 определенной Т=const
1-произв-ое тело а = f(λ,T) 2-АЧТ а≠ f(λ,T)=1 АЧТ – тело, которое поглощает все падающее на него излучение любой длины волны и при любой Т. 3-серое тело - а≠ f(λ), а= f(T) Серое тело – тело, поглощение которого один-во для всех длин волн излучения и зависит только от Т. Закон Стефана-Больцмана. (1879г.); R = G T4, G = 5,67*10-8 Вт м-2 К-4 для серых тел: 0∫∞ηλТ dλ = 0∫∞ aT UλТ dλ; Rст= aTRАЧТ*GT4. Эксперем-но было показано, что зависимость излучательной способности АЧТ от λ имеет след-ие особенности: 1.спектр АЧТ сплошной UλТ T1>T2>T3 Т1 2.завис-ть хар-ся присутствием Т2 max и зависит его Т3 полож-ие от Т АЧТ. λm = в1/Т – закон смещения Вина – опред-ий Т светящ-ся тела (пик); в1 = 2,9*10-3 м*к. 3.max значение ηλТ пропорц-но Т5 (UλТ)max = в2 Т5; в2 = 1,3*10-5 Вт м3 К-5. Формула Вина: UλТ=A e-βλT; A,β=const. Формула Релея-Джинса: UλТ=8 П2 К Т λ-4, К- постоянная Больцмана. Получены эти формулы на основе классической физики(излучение непрерывно и т.д.) Квантовая гипотеза Планка. Формула Планка. В 1900г. немецким физиком Максом Планка была предложена квантовая гипотеза: поглощение и излучение энергии эл/м излучения атомов и молекул возможно только отдельными порциями (квантами энергии). ε - энергия кванта, υ - частота излучения, h - постоянная Планка. ε = h υ = h сλ. H=6,63*10-34 Дж с. Формула Планка:
Твердые тела. Любое твердое тело представляет собой систему многих микрочастиц. Существует два способа описания систем многих частиц: термодинамическое и статистическое описание. При термод-ом описании систему рассматривают как макроскопич-ую систему, не интересуясь частицами. Такая система характериз-ся макропараметрами: р, Т, V. Этот способ не дает возможности исследовать свойства системы, которые зависят от микроструктуры вещества (проводимость). Статистич-ое описание: система состоит из N частицы. N → корд-ты x, y, z 3N проекции имп-ов рx, рy, рz 3N Динамич-ий метод (уравнения Ньютона) не применим. Статистич-ий метод позволяет найти наиболее вероятные распределения частиц системы по координатам, импульсам, энергиям. Математически задача стат-го метода сводится к описанию функции распределения частиц(ФР). ФР характер-ет плотность вероятности распределения частиц системы по фазовому пространству координат и импульсов (для классич-х частиц) и по квантовым состояниям (для кван-х частиц). классич-я система 6N классич-я механика квантово-механич-я система. Характер ФР зависит от индивидуальных свойств частиц системы. Идеальный газ подчиняется распределению Максвелла-Больцмана, а электронный газ – распределению Ферми-Дирака. Полупроводники. 1.собственные полупроводники: химич-ки чистые полупр-ки. зона проводимости 1 2
∆Е
Валентная зона При Т=0К его валентная зона(ВЗ) укомплектована полностью, зона проводимости(ЗП) явл-ся пустой. Поэтому при Т=0К собст-ый полупр-к, как диэлектрик, обладает нулевой проводимостью. С повыш-ем темп-ры вследствие термич-го возбуждения элетронов ВЗ часть из них преобретает энергию, достаточную для преодоления ЗЗ и перехода в ЗП рис. 2 Это приводит к появлению в ЗП свободных электронов, а в ВЗ – свободных уровней, на которые могут переходить электроны этой зоны. При приложении к такому кристаллу внешнего поля в нем возникает направленное движение электронов ЗП и ВЗ, приводящее к появлению элект-го тока. Кристалл становится проводящим. Таким образом, проводимость полупр-ков явл-ся возбужденной провод-тью. Она появл-ся под влиянием внешнего фактора, способного сообщить электронам ВЗ энергию, достаточную для переброса их в ЗП. Такими факторами могут быть нагревание полупр-ов, облучение их светом и ионизир-им излучением.
2. примесные полупроводники: при наличие примесей в полупроводниках в энергетической схеме появляются дополнит-ые ЭУ - примеси. Эти уровни могут располагаться как в разрешенной, так и в запрещенной зонах. Для улучшения проводимости полупр-ов в них вводят примеси, уровни которые располагаются в ЗЗ. Типы примесей: 1. Донорные уровни – легко отдают электроны: Si, Ge → P, As, Sb (донорные примеси). Изобразим зонную структуру кристалла с донорной примесью: ЗП ДУ
0,01 эВ ЗЗ Еg ВЗ донорные уровни нах-ся вблизи дна ЗП. При наличии ДУ увелич-ся электронная роводимость полупр-ов, а также сужается запрещенная зона. 2. Акцепторные уровни–легко забирают элект-ны: Si → В. полупроводниковые свойства создаются также примесными атомами, легко воспринимающими электроны. Они наз-ся акцепторами. ЗП АУ нах-ся вблизи крыши Еg 0,01 эВ ВЗ. АУ способствуют ЗЗ появлению дырочной АУ проводимости. Они ВЗ увелич-ют проводимость за счет движения дырок в ВЗ. Фотоэффект Явление было открыто в 1887г. Г. Герцом. Он обнаружил, что при облучении ультрафиолетовым светом отриц. разрядника ультр. лучами разряд происходит при меньшем напряжении между электродами. Подробно это явление было исследовано в 1888 – 1890гг. А.Г. Столетовым. Схема опыта: К - металлич. пластина, отриц. заряжена, фотокатод. М -мет. сетка ТИ - токоизмерит. прибор ИП - ист. пит Столетов обнаружил, что при уменьшении напряжения в разряднике, обуславливается выбиванием под действием света из катодо-разрядника отриц. зарядов. При облучении светом фотокатода в цепи появляется ток, т.е. фототок. Фотоэлектр. Эффект – испускание электронов твердыми телами и жидк. под действием эл/м излучения, в вакуум или др. среду. Внешний ФЭ – явление вырывания электронов из твердых тел под действием света. Экспериментально было показано, что ВФЭ у металлов зависит не только от природы металла, но и от состояния его поверхности. Для характеристики используется ВАХ: (зависим. фототока от напряжения) наличие фототока в области тормозящего напряжения – объясняется тем, что электроны обладают нач. кин. энергией сообщаемой светом. eU0= mV Iн=n*e; Iн-ток насыщения, пропорц. числу электронов вылетив. в единицу времени. Из ВАХ можно определить нач. кин. энергию и число электронов вырыв. светом из катода. Законы ВФЭ Столетова: 1 максим. начальная скорость фотоэлектронов определяется частотой света и не зависит от его интенсивности. 2.для каждого металла существует так называемая красная граница ФЭ(min частота света), ниже которой ФЭ не происходит.υ 0 – зависит от хим. природы металла и состояния его поверхности. 3. число электронов вырываемых из катода за единицу времени пропорционально интенсивности света. ФЭ практически безинерционен. При объяснении 1 и 2 закона с волновой точки зрения встретились трудности: ни наличие кр. границы ФЭ, ни не зависим. скорости электронов от интенсивности, ни без инерциальность ФЭ, не может быть объяснено с точки зрения волновых представлений о свете. Уравнение Эйнштейна для ВФЭ. Эйнштейн использовал квант гипотезу Планка и предложил объяснение ФЭ явления: ε = h υ =h c; он предположил, что при падении пучка квантов(фотонов) на поверхность металла происходит поглощение кванта электроном, т.е. квант отдает свою энергию электрону полностью. mV=h υ-(A1+A) A1-энергия потраченная на преодоление взаимодействия с другими электронами. A – работа выхода электрона из металла. Практически в создании фототока будут участвовать только поверхностные электроны, для них уравнение примет вид: mVmax = h υ-A; A – работа выхода, mVmax – максим. кин. энергия фотоэлектронов. ФЭ возможен если: h υ>>A и h υ=A тогда: υ0=Ah; - должна существовать кр. граница, ниже которой ФЭ не будет. Фотоны Фотон не имеет массы покоя, т.е. покоящихся фотонов не существует. Энергия: ε=h υ =mc2. Масса: m=hυc Импульс: p=ħ k; k – волновое число =2Пλ; ħ=1.05*10-34Дж с; направление фотона совпадает с направлением распространения света. Эффект Комптона. 1923г. - амер. физик А.Комптон; 1927г- присудили Нобелев. премию. Он исследовал рассеяние монохром-х рентген-х лучей легкими веществами(графит, парафин). Рассмотрел как рассеивается рассматриваемое с точки зрения волн. первичная вторичная эл/м волна рассеяние эл/м волна υ0 υ На основании рез-ов опытов было установлено: 1. в рассеянном излучении присутствуют как первоначальная λ, так и λ смещения в сторону больших λ. 2.Величина смещения зависит от угла рассеяния, но независит от рассеивания мат-ла: ∆ λ= λ’- λ=2 λкsin2 θ/2; (λк=h/mec=2.43*10-12м) из формулы следует, что ЭК может наблюд-ся только для рентг-го или гамма – излучения(для коротких λ) возрастание λ рассеян-го излучения наблюд-ся при рассеян-ии рентг-их или гамма квантов, получило название Эффекта Комптона 3.при возрастании угла θ интенсивность не смещенной линии падает, а интен-ть смещенной увеличивается.
|
|||||||||||||||||||||||||
Последнее изменение этой страницы: 2016-04-19; просмотров: 381; Нарушение авторского права страницы; Мы поможем в написании вашей работы! infopedia.su Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав. Обратная связь - 3.145.78.203 (0.015 с.) |