Расчет элементов усилителя-формирователя импульсов управления

Выбор транзистора VT 4

Выбор транзистора VT4 производится по максимальным напряжению U_кэ и току коллектора I_к, коэффициенту усиления по току β и мощности Р_доп.

Учитывая, что условия работы транзистора соответствуют условиям работы выходного каскада усиления (большая мощность Р_доп ≥ 3 Вт, ток коллектора I_к ≥ 1,5 А, высокий коэффициент усиления β ≥20), напряжение питания СИФУ (U _п = 24 В) и вид транзистора (p - n - p)

 

Таблица 3.11 - Технические данные транзистора VT4

 

Тип транзи-стора	Максимальное напряжение «коллектор-эмиттер», Uкэ,В	Максима-льный ток коллектора, Iк, А	Коэффици-ент усиления по току (β)	Мощ-ность, Рдоп, Вт	Макси-мальная частота, мГц	Вид транзи-стора	Мате-риал
КТ816Г	100	3	≥25	25	3	p-n-p	кремний

 

 

3.3.2 Расчет формирователя коротких импульсов управления С₂, R ₆

Сначала задаются емкостью конденсатора С₂, а затем определяют сопротивление резистора R₆ из следующего соотношения:

                                            R₆ = ,                                     (3.11)

                                        R₆ Ом

где t_вкл– время включения тиристора, указано в таблице 2.2, с;

С₂– емкость конденсатора, Ф.

Рекомендуется выбрать С₂=0,25 мкФ

 

Таблица 3.12 - Технические характеристики конденсатора С₂

 

Тип	Номинальная емкость, мкФ	Допускаемые отклонения, %	Максимальное напряжение, В	Частота, Гц	Диапазон температур,^0С
МБМ	0,25	10, 20	160	5…100	-60…+70

 

Мощность сопротивления R₆ определяется по формуле

                           Р ≥ ,                                      (3.12)

                           Р= Вт

где R₆ – выбранное номинальное значение резистора.

 

Таблица 3.13 - Сопротивление R₆

 

Рн, Вт	7,5	100 Ом
Тип	МЛТ

 

 

Выбор элементов гальванической развязки импульсов управления

В качестве устройства гальванической развязки рекомендуется импульсный трансформатор типа Т103 (ТИ1). Трансформатор имеет одну первичную и две вторичные обмотки, намотанных на кольцевом ферритовом сердечнике и залитых эпоксидным компаундом. Все обмотки имеют одинаковое количество витков (100), поэтому коэффициент трансформации равен 1. Клеммы первичной обмотки ТИ1 (входные) подключены между выводом «-» источника питания СИФУ и эмиттером транзистора VT4; клемма 1 (3) вторичной обмотки (выходная) подсоединяется к управляющему электроду, а клемма 2 (4) - к катоду тиристора.

Учитывая, что диоды VD2–VD4 должны иметь малое прямое падение напряжение U_пр ≤ 1 В, максимальное напряжение U_обр > 1,41U₂ и максимальный прямой ток I_пр ≥ 0,3 А

 

Таблица 3.14 - Технические характеристики импульсного трансформатора

 

Тип	Максимальный прямой ток, А	Максимальное напряжение, В	Прямое падение напряжения, В	Материал	Диапазон температур,^0С
КД203А	10	400	1	Кремний	-60…+125

 

Выбор элементов блока питания и задатчика напряжения управления