Выбор отсекающего диода VD 1

Учитывая, что диод VD1 должен иметь малое прямое падение напряжение U_пр ≤ 0,7 В, максимальное напряжение U_обр > U _п и максимальный прямой ток I_пр ≥ 0,3 А

 

Таблица 3.2 - Технические данные отсекающего диода

 

Тип	Максимальный прямой ток,А	Максимальное напряжение,В	Прямое падение напряжения, В	Материал	Диапазон температур,^0С
2Д222ЕС	3	40	0,65	Кремний	-60…+125

Выбор ограничивающего резистора R 1

Сопротивление резистора R1 определяется по формуле

                                                 R1 ≥ ,                     (3.1)

где U_синхр – напряжение синхронизации силовой части УВ и СИФУ, В;

I_к - максимальный ток коллектора выбранного транзистора VT1, А;

β_мин  - минимальный коэффициент усиления VT1 из табл.3.1.

R1  = 15000 Ом

Величина сопротивления резистора R₁ округляется до номинального значения. Номинальные величины сопротивлений: R_ном = (10, 11, 12, 13, 15, 16, 18, 20, 22, 24, 27, 30, 33, 36, 39, 43, 47, 51, 56, 62, 68, 75, 82, 91)х10ⁿ Ом.

Мощность резистора R1 определяется по формуле

                                      Р ≥ Вт           (3.2)

где R₁ – выбранное номинальное значение резистора

 

Таблица 3.3 - Сопротивление резистора R1

 

Рн, Вт	0,125	15 кОм
Тип	МЛТ

3.1.4 Выбор цепи заряда генератора С₁, R ₂

Сначала задаются емкостью конденсатора С₁, а затем определяют сопротивление резистора R₂ из следующего соотношения:

                                             R₂ = ,                               (3.3)

где U_п– напряжение питания СИФУ, В;

U_гпн– амплитуда выходного напряжения ГПН, В;

С1 – емкость конденсатора С1, Ф.

Рекомендуется U_гпн =8 В, а С1=1 мкФ.

 

R₂ Ом

Таблица 3.4 - Технические характеристики генератора

 

Тип	Номинальная емкость, мкФ	Допускаемые отклонения, %	Максимальное напряжение, В	Частота, Гц	Диапазон температур,^0С
МБМ	1,0	10, 20	160	5…100	-60…+70

 

Мощность сопротивления R₂ определяется по формуле

               Р ≥ ,                                         (3.4)

где R₂ – выбранное номинальное значение резистора.

Р  Вт

Таблица 3.5 - Сопротивление резистора R2

 

Рн, Вт	0,125	30 кОм
Тип	МЛТ

Расчет элементов компаратора

Выбор транзистора VT 2

Выбор транзистора VT2 производится по максимальным напряжению U_кэ и току коллектора I_к, коэффициенту усиления по току β и мощности Р_доп.

Учитывая, что условия работы транзистора соответствуют условиям работы предварительного каскада усиления (малая мощность Р_доп ≤ 0,3 Вт, ток коллектора I_к ≥ 0,05 А, коэффициент усиления β ≥20), напряжение питания СИФУ (U _п = 24 В) и вид транзистора (p - n - p)

 

Таблица 3.6 - Технические данные транзистора VT2

 

Тип транзи-стора	Максимальное напряжение «коллектор-эмиттер», Uкэ,В	Максима-льный ток коллектора, Iк, А	Коэффици-ент усиления по току (β)	Мощ-ность, Рдоп, Вт	Макси-мальная частота, мГц	Вид транзи-стора	Мате-риал
КТ361Д	40	0,05	20-90	0,15	100	p-n-p	кремний

 

Выбор транзистора VT 3

Выбор транзистора усилителя сигнала компаратора VT3 производится по максимальным напряжению U_кэ и току коллектора I_к, коэффициенту усиления по току β и мощности Р_доп.

Учитывая, что условия работы транзистора соответствуют условиям работы промежуточного каскада усиления (малая мощность Р_доп ≤ 0,3 Вт, ток коллектора I_к ≥ 0,1 А, коэффициент усиления β ≥20), напряжение питания СИФУ (U _п = 24 В) и вид транзистора (n - p - n)

 

Таблица 3.7 - Технические данные транзистора VT3

 

Тип транзи-стора	Максимальное напряжение «коллектор-эмиттер», Uкэ,В	Максима-льный ток коллектора, Iк, А	Коэффици-ент усиления по току (β)	Мощ-ность, Рдоп, Вт	Макси-мальная частота, мГц	Вид транзи-стора	Мате-риал
КТ315В	40	0,1	20-90	0,15	100	n-p-n	кремний

 

3.2.3 Выбор ограничивающего резистора R ₃

Резистор R₃ ограничивает ток базы транзистора VT3.

Сопротивление резистора R₃ определяется по формуле

                                           R₃ ≥ ,                                 (3.5)

                                       R₃ Ом = 5100 Ом

                                                   ,                                       (3.6)

Вт

 

Таблица 3.8 - Сопротивление резистора R₃

 

Рн, Вт	0,125	5,1 кОм
Тип	МЛТ

 

где U_п– напряжение питания СИФУ, В;

I_к- максимальный ток коллектора выбранного транзистора VT3, А;

β_мин  - минимальный коэффициент усиления VT3

3.2.4 Выбор резистора смещения R ₄

Резистор R₄ подает необходимое напряжение смещения на базу транзистора VT3 для наилучшего усиления выходного напряжения компаратора.

Сопротивление резистора R₄ определяется по формуле

                                                      R₄= 0,2∙ R₃                                                                 (3.7)

R₄= 0,2 * 5100 = 1020 Ом    

                                                       ,                                          (3.8)

P   

 

Таблица 3.9 - Сопротивление резистора смещения R₄

 

Рн, Вт	1,0	1,1 кОм
Тип	МЛТ

3.2.5 Выбор ограничивающего резистора R ₅

Резистор R₅ ограничивает ток коллектора транзистора VT3.

Сопротивление резистора R5 определяется по формуле

                                                     R₅ ≥ ,                                     (3.9)

Ом

                                                          ,                                       (3.10)

 Вт

Таблица 3.10 - Сопротивление ограничивающего резистора R₅

 

Рн, Вт	0,125	5,1 кОм
Тип	МЛТ