Заглавная страница Избранные статьи Случайная статья Познавательные статьи Новые добавления Обратная связь КАТЕГОРИИ: Археология Биология Генетика География Информатика История Логика Маркетинг Математика Менеджмент Механика Педагогика Религия Социология Технологии Физика Философия Финансы Химия Экология ТОП 10 на сайте Приготовление дезинфицирующих растворов различной концентрации Техника нижней прямой подачи мяча. Франко-прусская война (причины и последствия) Организация работы процедурного кабинета Смысловое и механическое запоминание, их место и роль в усвоении знаний Коммуникативные барьеры и пути их преодоления Обработка изделий медицинского назначения многократного применения Образцы текста публицистического стиля Четыре типа изменения баланса Задачи с ответами для Всероссийской олимпиады по праву Мы поможем в написании ваших работ! ЗНАЕТЕ ЛИ ВЫ? Влияние общества на человека Приготовление дезинфицирующих растворов различной концентрации Практические работы по географии для 6 класса Организация работы процедурного кабинета Изменения в неживой природе осенью Уборка процедурного кабинета Сольфеджио. Все правила по сольфеджио Балочные системы. Определение реакций опор и моментов защемления	Главная Избранные Случайная статья Познавательные Новые добавления Обратная связь FAQ Кафедра электрооборудования и автоматики Стр 1 из 6Следующая ⇒ МИНИСТЕРСТВО СЕЛЬСКОГО ХОЗЯЙСТВА РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ Российский государственный аграрный заочный университет   Факультет энергетики и охраны водных ресурсов Кафедра электрооборудования и автоматики     ЭЛЕКТРОННЫЕ УСТРОЙСТВА И МИКРОПРОЦЕССОРНАЯ ТЕХНИКА   МЕТОДИЧЕСКИЕ УКАЗАНИЯ ПО ИЗУЧЕНИЮ ДИСЦИПЛИНЫ И ЗАДАНИЯ ДЛЯ КОНТРОЛЬНОЙ РАБОТЫ   студентам 3*, 4 курсов направления подготовки бакалавров Агроинженерия Профиль Электрооборудование и электротехнологии   Балашиха 2017     Составитель: доцент Р.И. Штанько     УДК 621.38(075)     Электронные устройства и микропроцессорная техника: методи­ческие указания по изучению дисциплины/ Рос. гос. аграр. заоч. ун - т; Сост. Р.И. Штанько. М., 2017.     Предназначены для студентов 3*, 4 курса     Утверждены методической комиссией факультета Э и ОВР (протокол № 7 от 14.02. 2017 г.)     Рецензенты: к.т.н., доцент Переверзев А.А., к.т.н., доцент Струков А.Н. (ФГБОУ ВО РГАЗУ)   Раздел 1. ОБЩИЕ МЕТОДИЧЕСКИЕ УКАЗАНИЯ ПО ИЗУЧЕНИЮ ДИСЦИПЛИНЫ     Дисциплина «Электронные устройства и микропроцессорная техника» относится к вариативной части профессионального цикла, является дисциплиной по выбору. Методические указания по данной дисциплине составлены в соответствии Федеральным государственным образовательным стандартом высшего образования по направлению подготовки 35.03.06.Агроинженерия, утвержденного приказом Министерства образования и науки Российской Федерации от «20» октября 2015г., № 1172, с рабочей учебной программой по дисциплине и рабочими учебными планами, утвержденными ученым советом ФГБОУ ВО РГАЗУ 16.09.2017 г.   Цели и задачи курса     Цель дисциплины - изучение элементной базы  электрон­ных устройств аналоговых и цифровых сигналов, включая средства вычисли­тельной и микропроцессорной техники, а также обобщенное изучение источников питания. Задачи дисциплины - изучение основных закономерностей, правил и способов комплектования, использования по назначению электронных устройств и микропроцессорной техники в условиях сельского хозяйства, а также методов решения практических задач по обеспечению рационального использования электронных и микропроцессорных систем. Выпускник, освоивший дисциплину должен обладать следующими общепрофессиональными компетенциями: - способности решать инженерные задачи с использованием основных законов механики, электротехники, гидравлики, термодинамики и тепломассообмена (ОПК-4);  - готовности к использованию технических средств автоматики и систем автоматизации технологических процессов (ОПК-9). Выпускник, освоивший дисциплину должен обладать следующими профессиональными компетенциями, соответствующими видам профессиональной деятельности, на которые ориентирована программа бакалавриата: проектная деятельность:  - готовности к участию в проектировании технических средств и технологических процессов производства, систем электрификации и автоматизации сельскохозяйственных объектов (ПК-5); производственно-технологическая деятельность: - готовности к профессиональной эксплуатации машин и технологического оборудования и электроустановок (ПК-8).   В результате изучения курса студент должен знать:   - устройство, принцип действия, параметры и характеристики полупро­водниковых приборов и интегральных микросхем;   - принцип построения, принцип действия и методы проектирования элек­тронных устройств, построенных на базе полупроводниковых приборов и инте­гральных микросхем, микропроцессоров и устройств связи;   - параметры и характеристики электронных устройств;   - принцип расчета основных электронных схем и устройств;   - принцип построения, действия и использования технических средств связи в профессиональной деятельности;                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                        уметь:   - понимать электронные схемы, определять по условным обозначениям и справочникам параметры электронных элементов, уметь строить и рассчитывать устройства, выполненные на этих элементах;   - квалифицированно решать инженерные задачи по обслуживанию элек­тронной аппаратуры сельскохозяйственного производства;   - грамотно производить выбор стандартной электронной аппаратуры в зави­симости от конкретных требований.   1.2. Распределение учебного времени на изучение дисциплины по модулям и темам дисциплины     № п.п       Наименование основных разделов курса   Распределение времени, ч*     Литература   всего в том числе лекции лабораторные занятия практические занятия   самостоятельная работа 1   Модуль 1. Элементная база электроники. Тема 1.1. Электропроводность полупроводниковых материалов. Тема 1.2.Полупроводниковые диоды. Тема 1.3. Биполярные транзисторы. Тема 1.4. Полевые транзисторы. 6/4     2/2     2/1     2/1     29/32     [2] [3] [5] 2   Модуль 2. Электронные устройства. Тема 2.1. Электронные усилители. Тема 2.2. Об­ратная связь в усилителях. Тема 2.3.Многокаскадные усилители. Операционные усилители. Тема 2.4. Ге­нераторы гармонических коле­баний. 7/4     3/2     2/1     2/1     30/32     [2] [3]  [4]   3   Модуль 3.  Микропроцессорные средства. Тема 3.1. Архитектура микропроцессор­ных систем. Тема 3.2. Команды микро­процессоров. Тема 3.3. Сопряжение микропроцессорных систем с внешними устройствами 7/4 3/2 2/1 2/1 30/32 [1] [2] [7] 4     Модуль 4. Технические средства связи в сельском хозяйстве. Тема 4.1. Телефон­ная и радиосвязь. Тема 4.2. Принцип по­строения радиопередающих и приемных устройств 6/4 2/2 2/1 2/1 29/32 [1] [5] [6]   ИТОГО 26/16 10/8 8/4 8/4 118/128   * В знаменателе указано учебное время для студентов с сокращенным сроком обучения Библиографический список Основной 1. Щука А.А. Электроника: учеб. для вузов/ А.А. Щука. – 2-е изд. – СПб.: БХВ-Петербург, 2008. – 739с. 2. Шогенов А.Х. Электроника: учеб. Пособие для вузов/ А.Х. Шогенов, Д.С. Стребков. – М.: радиоСофт, 2011. – 487с. 3. Забродин Ю.С. Промышленная электроника: учеб. для вузов / Ю.С. Забродин. – М.: Альянс, 2008. – 496с. 4. Новожилов О.П. Электротехника и электроника: учеб. для бакалавров / О.П. Новожилов. – М.: Юрайт, 2012. – 653с.   Дополнительный 5. Электротехника и электроника: учеб. пособие для вузов / под ред. В.В. Кононенко. – 2-е изд. Ростов н/Д: Феникс, 2005. – 747 с. 6. Ефимов И.П. Источники питания РЭА: учеб. пособие [Электронный ресурс]/ И.П. Ефимов. – Ульяновск: ФГБОУ ВПО УлГТУ, 2002. – 136с.// ФГБОУ ВО РГАЗУ. – Режим доступа: http://ebs.rgazu.ru/?q=node/2640. 7. Величко Д.В., Рубанов В.Г. Полупроводниковые приборы и устройства: учеб. пособие [Электронный ресурс]/ Д.В. Величко, В.Г. Рубанов. – Белгород: ФГБОУ ВПО Белгородский государственный университет им. В.Г.Шухова, 2006. – 184с.// ФГБОУ ВО РГАЗУ. – Режим доступа: http://ebs.rgazu.ru/?q=node/3515. Раздел 2. СОДЕРЖАНИЕ УЧЕБНЫХ МОДУЛЕЙ ДИСЦИПЛИНЫ Раздел 3. МЕТОДИЧЕСКИЕ УКАЗАНИЯ И ЗАДАНИЯ ДЛЯ Задание для выполнения контрольной работы   1. Для усилительного транзисторного каскада, электрическая принципи­альная схема которого показана на рис.1, необходимо:   1.1. Выбрать транзистор, определить напряжение источника питания UП, рассчитать сопротивления резисторов RК, RБ1, RБ2 выбрать их номиналы.   1.2. Определить h - параметры h11Э, h12Э, h21Э, h22Э в рабочей точке транзисторного каскада, его входное и выходное сопротивления RВХи RВЫХ.   1.3. Найти амплитуды напряжения и тока базы UБM, IБМ коэффициенты усиления каскада по току, напряжению и мощности KI, KU, KP и амплитуду напряжения источника сигнала UGM.   1.4. Рассчитать емкости конденсаторов СР1, СР2, СЭ и выбрать их номи­налы.   2. Для заданной схемы на операционном усилителе, необходимо:   2.1. Рассчитать сопротивления резисторов и емкости конденсаторов и вы­брать их номиналы.   2.2. Выбрать тип операционного усилителя (ОУ).   2.3. Определить максимальные амплитуды источников сигнала.   Исходные данные для всех пунктов задания выбираются по трем послед­ним цифрам шифра студента потабл. 1-4.   По последней цифре: Таблица 1 Последняя цифра шифра 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 К пункту 1   Сопротивление нагрузки RН, Ом 100 150 180 300 400 500 400 350 370 300 Амплитуда напряжения в нагрузке UНМ, В 0,5 1 1,5 2 2,5 2,25 1,75 1,25 0,75 1,0 К пункту 2 Схема на ОУ,рисунок 4а 4б 4в 4г 4д 4а 4б 4в 4г 4д Коэф. усиления по напряжен. для источника сигналаКU2   -   -   20   -   -   -   -   40   -   - Нижняя граничная частота FН, Гц - - - 50 20 - - - 100 75 Внутр. сопротивл. источника сигнала RG2, кОм - - 40 - - - - 70 - -   По предпоследней цифре:                                                                       Таблица 2 Предпоследняя цифра 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 К пункту 1 Внутреннее сопротивление источника сигнала RG, Ом   100   150   200   300   350   400   450   500   600   700 К пункту 2 Внутреннее сопротивление источника сигнала RG1, кОм   1   10   20   30   75   40   25   15   5   3   По оставшейся цифре: Таблица 3 Оставшаяся цифра	0	1	2	3	4	5	6	7	8	9
К пункту 1	Нижняя граничная частота FН, Гц	25	50	75	100	125	150	175	200	225	250
К пункту 2	Коэф. усиления по напряжению для источн. сигн. КU1	10	20	30	40	50	55	45	35	25	15

  Прочие данные:

Таблица 4

Допустимые частотные искажения на граничной частоте МН		1,41
К пункту 2 задания	Динамический диапазон выходного напряжения D, Дб	26
Максимальная температура окружающей среды Тm, оС		40

 

К пункту 1.1

  Вычертить принципиальную электрическую схему транзисторного уси­лительного каскада (рис.1).

 

                                                                                                                    +

                                                                                           

                                             R_Б1                   R_к                                U_Г

                                                                                  С_Р2

                                                                                                                     -

                               С_Р1                                 VT1

 

 

              R_G                       

 

                                            R_Б2    С_Э1        R_Э              R_Н

                        

                U_G

 

 

          

Рис. 1. Схема электрическая принципиальная усилительного каскада с общим эмиттером

  Рассчитать сопротивление резистора коллекторной цепи транзистора:

R_K = (1 + K_R) × R_H,

где K_R - коэффициент соотношения сопротивлений R_K и R_H,

K_R = 1,2 ¸ 1,5 при R_H £ 1 кОм;

K_R = 1,5 ¸ 5 при R_H > 1 кОм.

  Номинал резистора R_K выбирается по Приложению 2.

  Определить эквивалентное сопротивление нагрузки каскада:

.

  Найти амплитуду коллекторного тока транзистора:

.

  Определить ток покоя (ток в рабочей точке) транзистора:

  где k₃ – коэффициент запаса. K₃ = 0,7 ¸ 0,95, k₃ = 0,7- максимальные не­линейные искажения, k₃ = 0,95 – максимальный КПД.

  Рассчитать минимальное напряжение коллектор-эмиттер в рабочей точке транзистора: U_{КЭП_MIN} = U_НМ + U₀,

  где U₀ - напряжение коллектор-эмиттер, соответствующее началупрямо­линейного участка выходных характеристик транзистора, В; U₀ = 1В - для тран­зисторов малой мощности (Р_К £150 мВт); U₀  = 2 В - для транзисторов большой и средней мощности (Р_К > 150 мВт).

  Если U_{КЭП_MIN} меньше типового значения  U_КЭП = 5 В, то следует выбрать U_КЭП = 5 В, в противном случае U_КЭП = U_{КЭ_MIN}.

  Рассчитать напряжение источника питания:

значение расчетного напряжения U_П  округлить до ближайшего целого числа.

  Определить и выбрать номинал сопротивления резистора эмиттерной це­пи транзистора:

.

  Выбрать транзистор из приложения 1 по параметрам:

  а) максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер

U_{КЭ_ДОП} ³ U_П;

  б) максимальный допустимый средний ток коллектора

I_{К_ДОП} > I_КП;

  в) максимальная мощность рассеивания на коллекторе Р_{К_МАХ}  при наи­большей температуре окружающей среды Т_М     Р_{К_МАХ} > I_КП U_КП,

 

Р_{К_МАХ}  находится по формуле:

,

  где Р_{К_ДОП} - максимально допустимая мощность рассеивания на коллек­торе при температуре окружающей среды Т₀, Вт; Т_{П_МАХ} - максимальная тем­пература перехода, ^оС; Т₀ – температура окружающей среды, при которой нор­мируется Р_{К_ДОП}, 25 ^оС; Р_{К_ДОП}, Т_{П_МАХ} - справочные величины.

  Вычертить входные и выходные характеристики выбранного транзистора. На выходных характеристиках транзистора построить нагрузочную пря­мую постоянного тока по точками А, В с координатами (рис. 3);

  точка А                        U_KЭ = 0, ,

  точка В                          U_KЭ = U_П, I_К = 0.

  На пересечении нагрузочной прямой и прямой I_К = I_КП нанести рабочую точку С. Уточнить напряжение U_KЭв рабочей точке (U_KЭП = U_KЭ в точке С).

  Определить ток базы I_БП транзистора в точке С(рабочей точке).

  На входную характеристику (рис. 2) нанести рабочую точку Сна пере­сечении входной характеристики (при U_KЭП)и прямой I_Б = I_БП. ОпределитьU_БЭП.

                                  

                   I_Б, мА

         

                                                                                          U_КЭ = 5В

 

 

        

 

              I_Бm

 

 

 

 

                                                                                                     U_бэп       U_БЭ, В

 

                                                                                                              U_Бm

 

 

Рис. 2. Входная характеристика биполярного транзистора (КТ315Г)

 

 

Рис. 3. Выходные характеристики биполярного транзистора (КТ315Г)

 

  Выбрать ток, протекающий через базовый делитель:

I_Д = (5 ¸ 10) I_БП.

  Рассчитать сопротивления и выбрать номиналы резисторов базового де­лителя R_Б1, R_Б2:

     ;

  Найти эквивалентное сопротивление базового делителя:

.

 

К пункту 1.2

  Определить по входным характеристикам транзистора входное сопротив­ление транзистора h_11Э (при U_KЭ = const) в рабочей точке; задать приращение DU_БЭ около рабочей точки С,найти соответствующее ему приращение базово­го тока DI_Б. Вычислить h_11Э:

, Ом.

  Определить по входным характеристикам транзистора коэффициент об­ратной связи по напряжению h_12Э(при I_Б = const). Для этого, используя спра­вочник по полупроводниковым приборам, нанести на входную характеристику выбранного транзистора кривую со значением U_KЭотличным от имеющегося в данном методическом указании. По двум точкам, выбранным на данных кри­вых произвольным образом, найти приращение DU_КЭ и соответствующее ему приращение DU_БЭ:

.

  По выходным характеристикам транзистора определить коэффициент пе­редачи тока базы h_21Э (при U_KЭ = const). Найти приращение коллекторного то­ка и соответствующее ему приращение базового тока при пересечении прямой U_KЭ = U_KЭП соседних от рабочей точки С выходных характеристик (точки Д, Ерис. 3):

.

  По выходным характеристикам транзистора определить выходную про­водимость h_22Э (при I_Б = const). Для этого на одной из выходных кривых, выбранной произвольно, нанести две точки (в пределах рабочей области тран­зистора). Найти приращение коллекторного тока и соответствующее ему при­ращение коллекторного напряжения. Определить выходную проводимость:

, См.

 

  Определить входное сопротивление каскада:

.

  Найти выходное сопротивление каскада:

R_ВЫХ» R_К.

К пункту 1.3

  Построить на выходных характеристиках транзистора нагрузочную пря­мую по переменному току, которая проходит через рабочую точку С и имеет наклон (рис. 3):

.

  Нанести на выходные характеристики транзистора амплитуду коллектор­ного тока I_КМ и напряжения U_НМ(рис. 3), определить амплитуду базового тока I_БМ = DI_Б / 2. На входных характеристиках (рис. 2) показать амплитуды базового тока и входного напряжения транзистора U_ВХМ = DU_БЭ / 2.

  Определить коэффициенты усиления каскада по току, напряжению и мощности К_I, К_U, К_Р:

                     ;       ;

К_Р = К_I  К_U.

  Рассчитать амплитуду напряжения источника сигнала:

.

К пункту 1.4

  Частотные искажения в области нижних частот вносятся разделительными конденсаторами С_Р1, С_Р2 и блокировочным конденсатором С_Б1. Рекомендует­ся частотные искажения в области нижних частот равномерно распределить между конденсаторами С_Р1, С_Р2, С_Б1.

.

  Рассчитать емкость конденсатора:

,

выбрать номинал емкости конденсатора С_Р1 из приложения 2 (при емкости ме­нее 10 мкФ) или приложения 3 (при емкости 10 мкФи более).

  Определить емкость конденсатора С_Р2 и выбрать ее номинал:

.

  Рассчитать емкость блокировочного конденсатора С_Б1 и выбрать номи­нал:

.

К пункту 2.1

  Вычертить заданную принципиальную электрическую схему.

  Расчет значений величин элементов схемы производить в порядке, при­веденном в табл. 5 для усилителей переменного и постоянного тока (рис. 4а, 4б, 4г, 4д) или в табл. 6 для сумматора (рис. 4в). После расчета каждого зна­чения величины следует выбирать номинал по приложениям 2,3. Номиналы со­противлений резисторов и емкостей конденсаторов (до 10 мкФ) выбирают из приложения 2. Если емкость конденсатора выше 10 мкФ применять электроли­тические конденсаторы, номиналы которых указаны в приложении 3.

  Сопротивления резисторов на входе ОУ выбираются в 5-10 раз выше со­противления источника сигнала, чтобы избежать значительного шунтирования источника.

  Для компенсации смещения нулевого напряжения на выходе ОУ, вызван­ного входными токами ОУ, общие сопротивления резисторов, подключенных к различным дифференциальным входам, равны (R₂ = R₁; рис. 4а; 4б; 4г; 4д; ; рис. 4в).

К пункту 2.2

  Выбирать ОУ по приложению 4 следует исходя из коэффициента усиле­ния по напряжению К_U >> К_U1 + К_U2 (для схем рис. 4а, б, г, д; К_U2 = 0) и сопро­тивления источника сигнала:

R_G £ 10 кОм    140 УД7, 140 УД6

R_G £ 10 кОм   140 УД6, 140 УД14

R_G £ 10 кОм    140 УД14, 140 УД8, КР544 УД1

R_G £ 10 кОм   140 УД8, КР544 УД1.

  Необходимо проверить выбранный ОУ.

  Операционный усилитель должен обеспечить требуемый динамический диапазон выходных напряжений

,

  где D -динамический диапазон, дБ; U_ВЫХМАХ - максимальное выходное напряжение, В; U_ВЫХМIN - минимальное выходное напряжение, В.

  Минимальное выходное напряжение ОУ ограничено напряжением сме­щения нуля, вызванное разностью входных токов внутреннего смешения ОУ и их тепловыми дрейфами.

  Порядок проверки ОУ по напряжению смещения нуляприведен в табли­це 7.

  В формулах таблицы7 использованы обозначения:

Di_ВХ - разность входных токов ОУ, А;  - тепловой дрейф разности вход­ных токов, А/°С; Т_М - наибольшая температура окружающей среды,^оС; Т_О - температура, при которой измеряются параметры ОУ; U_{ВЫХМАХОУ} - макси­мальное выходное напряжение ОУ при номинальном питании, В; D -динамиче­ский диапазон выходного напряжения, дБ; U_СМВ - внутреннее смещение на вхо­де ОУ, В; - тепловой дрейф внутреннего смещения на входе ОУ, В/°С.

  Если U_{СМ_ДОП} ³ U_СМS  ,то ОУ выбран правильно. В противном случае, необходимо выбрать другой ОУ из приложения 4 и выполнить вновь пункт 2.2 задания. Напряжение питания схемы типовое для ОУ.

 

К пункту 2.3

  Максимальная амплитуда входного сигнала для усилителей постоянного и переменного токов (рис. 4а; 4б; 4г; 4д):

.

  В суммирующем усилителе (рис. 4в) предполагается одинаковое влияние входных напряжений на выходное:

;

.

 

 

Таблица 5

№	Расчетные величины	Инвертирующ. усилитель постоянного тока (рис.4а)	Неинвертир. усилитель постоянного тока (рис.4б)	Инвертирующий усилитель переменного тока (рис. 4г)	Неинвертирующий усилитель переменного тока (рис. 4д)
1	Сопротивление резистора R1	R1 = (5 ¸ 10) RG1	R1 = (5 ¸ 10) RG1	R1 = (5 ¸ 10) RG1	R1 = (5 ¸ 10) RG1
2	Сопротивление резистора R2	R2 = R1	R2 = R1	R2 = R1	R2 = R1
3	Сопротивление резистора цепи обратной cвязи R3	R3 = KU1 R1	R3 = (KU1 - 1) R1	R3 = KU1 R1	R3 = (KU1 - 1) R1
4	Емкость разделительного конденсатора С1	-	-

                 

                                                                                                                                                                           Таблица 6

№	Расчетная величина	KU1 RG1 ³ KU2 RG2	KU1 RG1 < KU2 RG2
1	Сопротивление резистора R1	R1 = (5 ¸ 10) RG1	R1 = (5 ¸ 10)RG2 KU2 / KU1
2   3     4	Сопротивление резистора R2 Сопротивление резистора R3  Сопротивление резистора цепи обратной связи R4	R4 = KU1 R1

 

Принципиальные электрические схемы устройств на операционных усилителях

Рис. 4. а – инвертирующий усилитель постоянного тока;

б – неинвертирующий усилитель постоянного тока;

Рис. 4. в – суммирующий усилитель постоянного тока;

г – инвертирующий усилитель переменного тока;

Рис. 4. д – неинвертирующий усилитель переменного тока;

 

Таблица 7

№	Расчетная величина	Схема
		Рис. 4а	Рис. 4б	Рис. 4в	Рис. 4г	Рис. 4д
1	Сопрот. по пост. току подключен. между вход. ОУ и нулевой точкой RВХ. 0	RВХ.0 = R2	RВХ.0 = R2	RВХ.0 = R3	RВХ.0 = R2	RВХ.0 = R2
2	Допустимое напряжение смещения приведенное ко входу ОУ UСМ. ДОП
3	Напряж. смещен. ОУ вызван. разностью входных    токов и ее теплов. дрейфом UСМ. I
4	Напряж. смещен. вызван. внутрен. смещен. ОУ и его тепловым дрейфом UСМ. U
5	Суммарное напряжение смещения приложен. между входами ОУ UСМ. S

 

ПРИЛОЖЕНИЯ

Приложение 1

КТ315Б

КТ315Г

КТ375А

КТ375Б

КТ3102А

КТ3102Б

Параметр Предел. допустим. напряжение коллектор –эмиттер U_{КЭ ДОП}, В     15     25     60     30     50     30 Максим. постоян. ток коллектора I_{К ДОП}, мА   100   100     100   100   100   100 Допустим. мощн. рассеиваемая на коллекторе Р_{К ДОП}, мВ   150     150   400   400   250   250 Статический коэф. усиления тока базы в схеме с ОЭ   50 – 350   50 – 350   10 – 100   50 – 140   100-250   200-500 Максимальная температура перехода Т_{П МАХ}, ^ОС   120   120   125   125   125   125 Входная характеристика рис. 5   а   а   в     в   д   д Выходная характеристика рис. 5   б   б   г   г   е   е

 

Приложение 2

 

ОГЛАВЛЕНИЕ

 

Раздел 1. Общие методические указания по изучению дисциплины                               3

        1.1. Цели и задачи курса                                                                                        3

        1.2. Распределение учебного времени на изучение дисциплины                             4

        1.3. Библиографический список                                                                                       5

Раздел 2. Содержание учебных модулей дисциплины и

            методические указания по их изучению                                                                   5

Раздел 3. Задания для контрольной работы и методические

            указания по ее выполнению                                                                                   8

        3.1. Методические указания по выполнению контрольной работы                        8

        3.2. Задание для контрольной работы                                                                         9

        3.3. Методические указания по выполнению заданий                                            11

Приложения                                                                                                                               24

 

 

МИНИСТЕРСТВО СЕЛЬСКОГО ХОЗЯЙСТВА РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ

ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ

УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ

Российский государственный аграрный заочный университет

 

Факультет энергетики и охраны водных ресурсов

Кафедра электрооборудования и автоматики

 

 

ЭЛЕКТРОННЫЕ УСТРОЙСТВА И

МИКРОПРОЦЕССОРНАЯ ТЕХНИКА

 

МЕТОДИЧЕСКИЕ УКАЗАНИЯ

ПО ИЗУЧЕНИЮ ДИСЦИПЛИНЫ И ЗАДАНИЯ

ДЛЯ КОНТРОЛЬНОЙ РАБОТЫ

 

студентам 3*, 4 курсов направления подготовки бакалавров

Агроинженерия