Основные физические процессы в солнечной ячейке.

 

Энергетическая диаграмма р-n перехода представлена на рис.2.

При попадании света на фотоэлемент возможны следующие виды фотоактивного поглощения:

1) Электрон переходит из валентной зоны на уровень ионизированного акцептора E_А, при этом в валентной зоне появляется дырка. Она суть основной носитель в p-области и она не может преодолеть потенциальный барьер. Поэтому дырка останется в p-области и не создает обратного тока. Электрон на акцепторном уровне не может перемещаться и также не дает вклада в фототок.

2) Электроны переходят из валентной зоны в зону проводимости, возникают два носителя – дырка в валентной зоне и электрон в зоне проводимости. Дырка в валентной зоне p-области является основным носителем и не участвует в образовании обратного тока из-за потенциального барьера. Электрон в зоне проводимости p-области является неосновным носителем, для него не существует барьера, поэтому он двигается к p-n переходу и скатывается с него, создавая обратный ток.

 

 

 

Рис. 2. Энергетическая диаграмма p-n-перехода, E_F - уровень Ферми, E_D – энергетический уровень донора, E_A – энергетический уровень акцептора.

 

3) Если электронно-дырочная пара возникла в p-n переходе, то поле объемного заряда растаскивает их в разные стороны – дырки в p-область, электроны в n-область.

Таким образом, второй и третий процессы приводят к накоплению дырок в p-области и, аналогично, электронов в n-области, что создает дополнительную разность потенциалов.

Накопление неравновесных носителей заряда в соответствующих областях не может продолжаться бесконечно, так как разделенные электроны и дырки продолжают притягиваться друг к другу (обратный ток). Они создают электрическое поле, которое понижает высоту потенциального барьера между n- и p-областями на величину возникающей фото-ЭДС. Это понижение барьера уменьшает величину разделяющего поля в p-n переходе и аналогично прямому включению p-n перехода.

Плотность тока через фотодиод.

Вдали от p-n перехода электрическое поле очень слабое, поэтому основным механизмом движения носителей там является диффузия. Не все фотоэлектроны, возникающие при поглощении света, дойдут до p-n перехода, так как на этом пути возможна рекомбинация носителей заряда. Дойдут лишь те носители заряда, у которых время пути до перехода меньше времени жизни электрона в зоне проводимости (или расстояние до перехода больше длинны диффузионного пробега).

Плотность тока через фотодиод складывается из тока электронов в р-области, дырок в n-области и электронно-дырочных пар, появившихся в p-n переходе:

где g – количество электронно-дырочных пар, родившихся в единицу времени с единицы площади p-n перехода.

Основные характеристики фотоэлемента.

ВАХ.

Основной характеристикой фотоэлемента является его вольт-амперная характеристика (ВАХ), при различных освещенностях или световых потоках (рис.3а). При отсутствии освещения (J=0) ВАХ имеет вид характерный для обычного р-n перехода. При увеличении освещенности (J₁ и J₂) появляется обратный ток неосновных носителей и вся кривая смещается вниз.

 

 

Рис.3. Общий вид (а) и рабочая область (б) вольт-амперной характеристики фотоэлемента.

 

Точки пересечения ВАХ с осью напряжений соответствуют значениям фото-ЭДС (или напряжению холостого хода U_хх) при разных освещенностях (для кремниевого фотоэлемента фото-ЭДС имеет порядок ~0,5–0,55 В). Точки пересечения ВАХ с осью токов соответствуют значениям токов короткого замыкания I_кз. У кремниевых фотоэлементов плотность тока короткого замыкания при средней освещенности солнечным светом имеет порядок ~20-25 мА/см².

По ВАХ при различных освещенностях фотоэлемента можно выбрать оптимальный режим работы фотоэлемента, т.е. оптимальное сопротивление нагрузки, при котором в нагрузке будет выделяться наибольшая мощность. Оптимальному режиму работы фотоэлементов соответствует наибольшая площадь вписанного прямоугольника с вершиной на ВАХ при заданной освещенности (рис.3б). Для кремниевых фотоэлементов при оптимальной нагрузке напряжение нагрузки составляет ~0,35-0,4 В, плотность тока 15-20 мА/см².

Так как рабочей областью является область прямого смещения р-n перехода и обратного тока, то обычно ВАХ фотоэлемента переворачивают и она имеет вид, приведенный на рис.4.

Рис. 4. Вольт-амперная характеристика ФЭ при разных интенсивностях света J и линия оптимальной нагрузки.