Логический вентиль 2-И в ТТЛ схемотехнике (7408). Схема. Принцип работы.

Использует в качестве входного каскада схему из двух встречных диодов и имеет выход типа «Push-pull»

Основан на многоэмиттерном транзисторе и имеет выход типа «открытый коллектор»

 

1.1.3. Имеет транзистор с двумя эмиттерами во входном каскаде и выход типа «Push-pull»

1.2. Логический сигнал это:

Оптический дискретный сигнал с квантованием по уровню

1.2.2. Электрический дискретный сигнал с квантованием по уровню

Электрический дискретный сигнал с квантованием по времени

 

 

1.3. Дискретный сигнал - это сигнал, в котором физическая величина, кодирующая информацию:

Принимает любые значения из заданного диапазона от минимума до максимума.

Квантуется по времени, т.е. постоянна в течение заданных временных интервалов, и не имеет ограничений.

1.3.3. Квантуется по уровню и/или по времени, и может принимать значения из заданного диапазона от минимума до максимума

 

 

1.4. Аналоговый сигнал это:

1.4.1. Сигнал, в котором физическая величина, кодирующая информацию, изменяется непрерывно и может принимать любое значение из заданного диапазона от минимума до максимума.

1.4.2. Сигнал, повторяющий по форме звуковые колебания, передаваемый по электрическим кабелям (например, сигнал тональной частоты телефонной линии или сигнал в кабеле наушников).

Сигнал, передающий звуковые колебания по протоколу BlueTooth на беспроводные наушники.

 

1.5. При управлении нагрузкой с помощью биполярного транзистора управляющим воздействием является:

1.5.1. Сила тока, протекающего между базой и эмиттером, при напряжении не менее 0,6В.

Напряжение между базой и эмиттером.

Сила тока, протекающего между коллектором и эмиттером, при напряжении более 0,6В.

 

 

1.6. При управлении нагрузкой с помощью МОП транзистора управляющим воздействием является:

Сила тока, протекающего между затвором и стоком.

1.6.2. Напряжение между затвором и подложкой.

Сила тока, протекающего между затвором и подложкой.

 

 

1.7. При управлении нагрузкой с помощью биполярного транзистора управляемым воздействием является:

Сила тока, протекающего между коллектором и эмиттером.

1.7.2. Сопротивление между коллектором и эмиттером.

Напряжение между коллектором и эмиттером.

 

1.8. При управлении нагрузкой с помощью МОП транзистора управляемым воздействием является:

Сопротивление между стоком и подложкой.

Сила тока между стоком и истоком.

1.8.3. Сопротивление между стоком и истоком.

 

 

Инвертор с выходом с открытым коллектором в ТТЛ схемотехнике. Схема. Принцип работы.

Имеет один входной каскад с одноэмиттерным транзистором на месте многоэмиттерного, один промежуточный каскад инверсии и выходной каскад.

1.9.2.