Обозначение биполярных транзисторов в схемах

 

а) п–р–п         б) р–п–р

ПРИЛОЖЕНИЕ 3

 

СТАТИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ТРАНЗИСТОРОВ

           а)

 

 

         б)

 

Рис. П. 1: а) входная характеристика для активного режима

транзистора n - p - n; б) выходные характеристики транзистора n -р- n типа КТ819.

 

 

 а)

 

 

 

б)

 

 

            

 

 

Рис. П.2: а) входная характеристика для активного режима р-п-р транзистора; б) выходные характеристики p - n -р транзистора типа КТ842.

 

 

               

 

Рис. П.З. входная характеристика маломощных биполярных транзисторов КТ 326 (р-п-р) и КТ 340 (п-р-п)

 

 

            

 

 

Рис. П.4. Выходные характеристики маломощных транзисторов КТ 326 (p - n -р) и КТ 340 (п-р-п)

 

   

 

 

а)

 

                            

 

 

 

           б)

 

Рис. П.5: а) входная характеристика для режима насыщения ключевого транзистора; б) начальный участок выходных характеристик ключевого транзистора

 

 

 

 

Рис. П.6. Выходные характеристики МДП транзистора с п -каналом

 

Рис. П.7. Выходные характеристики транзистора с вертикальным n-каналом и управляющим р- n переходом

 

 

 

 

 

 

           б)

 

 

Рис. П.8: а) проходная характеристика полевого МДП транзистора с встроенным n-каналом; б) выходные характеристики

 

 

 

                          а)

 

 

                          б)

 

Рис. П.9: а) проходная характеристика полевого транзистора с управляющим р- n переходом (n -канал); б) выходные характеристики

 

ПРИЛОЖЕНИЕ 4

 

ВЫСОКОЧАСТОТНЬШ ПАРАМЕТРЫ БИПОЛЯРНЫХ И ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ

Таблица 1

Высокочастотные параметры биполярных транзисторов

Тип
Парам.	|ß|	f	СК	СЭ	τК	I^*К	ξ
КТ 326	4	100 МГц	5 пФ	4 пФ	450 нс	10 мА	3
КТ 340	3	100 МГц	4 пФ	14 пФ	150 нс	5 мА	3

 

 

Таблица 2

Высокочастотные параметры полевых транзисторов

Тип
Параметры	Сзи	Сзс	Uси	rК1
КП 313	7 пФ	1 пФ	10 В	1/S
КП 302	20 пФ	8 пФ	7 В

 

ПРИЛОЖЕНИЕ 5

ТАБЛИЦЫ ВАРИАНТОВ ЗАДАНИЙ

Таблица 1

Варианты заданий для четной предпоследней цифры

Вариант	UКЭ=, В	IК=, мА	Примечания	EC, В	RН, Ом	IC0, А	UСИ0, В	UМЗИ, В	Примечания
00	5	15	В задаче 2 использовать транзистор КТ 326	50		2	20	15	В задаче 4 использовать транзистор КП 907 В задаче 6 использовать транзистор КП 313
01	8	20		50		1,5	20	15
02	6	30		50		0,9	20	5
03	4	40		50		0,5	30	5
04	2	40		50		0,5	20	3
05	6	10		40	10	2		15
06	7	20		40	10	1,5		10
07	5	30		40	10	1		5
08	3	40		40	22	0,9		5
09	1	20		40	40	0,5		3
20	5	30			7,5	2	20	15
21	8	15			10	1,5	20	10
22	6	25			17	0,9	20	5
23	4	35			30	0,5	20	3
24	2	25			20	0,5	25	3
25	5	7		30	5		20	15
26	7	15		30	6,7		20	10
27	5	25		30	11		20	5
28	3	35		30	20		15	5
29	1	12		30	20		20	3
40	2	10			3,3	1,5	20	10
41	3	20			5,6	0,9	20	5
42	4	30			13,3	0,75	15	5
43	5	40			13,3	0,75	15	2
44	6	25			20	0,5	15	2
45	7	10	В задаче 2 транзистор КТ 340	40		3	10	3	В задаче 4 использовать КП 801
46	6	20		40		2	15	7
47	6	30		40		1,7	20	10
48	4	40		40		1,3	25	10
49	2	25		40		1	30	10
60	5	10		30	10	3		3
61	7	20		30	10	2		7
Вариант	UКЭ=, В	IК=, мА	Примечание	EC, В	RН, Ом	IC0, А	UСИ0, В	UМЗИ, В	Примечания
62	5	30		30	7,5	2		10
63	3	40		30	6	1,7		10
64	1	15		30	3,8	1,3		5
65	7	10			5	3	10	3
66	8	15			7,5	2	10	7
67	6	25			5	2	15	10
68	4	35			10	1	15	10
69	2	45	В задаче 2 использовать транзистор КТ 340		15	1	20	5	В задаче 6 использовать транзистор КП 302
80	8	10		20	3,3		10	3
81	7	15		20	5		10	7
82	5	25		20	8,3		10	5
83	3	35		20	7,5		15	5
84	3	45		20	5		15	5
85	2	10			5	2	5	5
86	3	20			10	1	5	5
87	4	30			1,7	3	10	5
88	5	40			2,5	2	10	5
89	6	40			4,2	1,2	10	5

 

Примечание: вариант задачи 1 для чётной предпоследней цифры определяется суммированием 10 к двум последним цифрам зачетной книжки.

 

Таблица 2

Варианты заданий для нечетной предпоследней цифры

Вариант	EК, В	RН, Ом	IБ=, мА	IМБ, мА	Примечания		IC0, А	UСИ0, В	Примечания
10	10	2	100	50	В задаче 1 использовать транзистор КТ 819 В задаче 3 использовать транзистор КТ 828		0,8	4	В задаче 5 использовать транзистор КП 313
11	10	2	60	40			1,2	4
12	10	2	40	40			2,0	4
13	10	2	20	40			3,0	4
14	10	2	20	20			4,7	4
15	9	1,8	100	50			1,3	5
16	9	1,8	60	40			3,1	5
17	9	1,8	40	40			5	5
18	9	1,8	20	40			6,5	5
19	9	1,8	20	20			7,9	6
30	8	1,6	100	50			2,1	6
31	8	1,6	60	40			4,1	6
32	8	1,6	40	40			5,1	6
33	8	1,6	20	40			6,6	6
34	8	1,6	20	20			8,1	6
35	7	1,4	100	50			2,3	7
36	7	1,4	60	40			4,3	7
37	7	1,4	40	40			6,8	7
38	7	1,4	20	40			8,3	7
39	7	1,4	20	20			9,8	7
50	6	1,2	100	50			2,4	8
51	6	1,2	60	40			4,4	8
52	6	1,2	40	40			5,3	8
53	6	1,2	40	20			6,9	8
54	6	1,2	20	20			8,5	8
55	50	10	120	40	В задаче 1 использовать транзистор КТ 842 В задаче 3 использовать транзистор КТ 828		1	3	В задаче 5 использовать транзистор КП 302
56	50	12	100	40			2,4	3
57	50	16	80	40			4,5	3
58	50	20	60	40			6,8	3
59	50	25	40	20			9,7	3
70	40	8	120	40			1	4
71	40	10	100	40			2,5	4
72	40	12	80	40			4,6	4
73	40	16	60	40			6,9	4
74	40	20	40	20			9,8	4
75	30	6	120	40			9,1	5
76	30	7	100	40			2,6	5
Вариант	EК, В	RН, Ом	IБ=, мА	IМБ, мА	Примечания	IC0, А		UСИ0, В	Примечания
77	30	8	80	40			4,7	5
78	30	12	60	40	В задаче 1 использовать транзистор КТ 842 В задаче 3 использовать транзистор КТ 828	7		5	В задаче 5 использовать транзистор КП 302
79	30	16	40	20		9,8		5
90	20	4	120	40		1,2		6
91	20	5	100	40		2,7		6
92	20	6	40	40		4,7		6
93	20	7	60	40		7		6
94	20	8	40	20		9,9		6
95	15	3	120	40		1,3		8
96	15	4	100	40		8,8		8
97	15	5	80	40		4,9		8
98	15	6	60	40		7,2		8
99	15	7	40	20		10,1		8

 

Примечание: вариант задачи 2 для нечётной предпоследней цифры определяется суммированием 10 к двум последним цифрам зачетной книжки.

 

ОГЛАВЛЕНИЕ

Общие замечания………………………………………………                3

Список литературы………………………………………….                …3

Бюджет времени (в часах)………………………………            …… …4

Методические указания по самостоятельному изучению курса………..4

1. Общие сведения об электронных приборах……………..……           5

2. Полупроводниковые приборы……………………………           ..… 6

Содержание лекций………………………………………             ….…..23

Общие замечания к выполнению контрольной работы…          …….25

Содержание задач контрольной работы                                                  26

Методические указания по выполнению контрольной работы             27

Приложение 1. Список применяемых обозначений……           …….. 45

Приложение 2. Обозначение полевых и биполярных транзисторов

в схемах                                                                                                              47

Приложение 3. Статические характеристики транзисторов…………… 48

Приложение 4. Высокочастотные параметры биполярных и полевых транзисторов………………………………………………………… …… 55

Приложение 5. Таблицы вариантов заданий……                     ……… 56