Перечень лабораторных и практических работ

Лабораторная работа№1

 «Исследование полупроводниковых выпрямительных диодов»

Лабораторная работа№2

«Исследование типовых схем включения транзисторов»

Лабораторная работа№3.

«Исследование свойств полевого транзистора в схеме включения с общим истоком»

Лабораторная работа №4

 «Исследование свойств тиристоров»

Лабораторная работа №5

«Исследование свойств диодных и транзисторных оптопар»

Лабораторная работа №6

 «Исследование однофазных выпрямителей»,

 Лабораторная работа №7

 «Исследование стабилизатора напряжения»

Лабораторная работа №8

 «Исследование однотактного усилителя»,

Лабораторная работа№9

«Исследование работы и параметров схемы автогенератора типа LC

2.Практическая работа

 «Расчет параметров однокаскадных усилителей постоянного тока»

 

Лабораторная работа №1

Исследование полупроводниковых выпрямительных диодов

Цель. Изучение свойств полупроводникового диода путем практического снятия его вольт-амперной характеристики и расчета параметров.

Схема для снятия вольт-амперной характеристики полупроводникового диода.

Расчетные формулы:

– сопротивление постоянному току

дифференциальное сопротивление

крутизна характеристики   

Таблица.

 

№ п/п	Прямая ветвь		Обратная ветвь
	Uпр., В	Iпр., мА	Uобр., В	Iобр., мкА
1. 2. 3. 4. 5.

 

Группа	Ф.И.О	Подпись	Дата		Лист
Выполнил
Проверил

 

Вольт-амперная характеристика диода

Контрольные вопросы

 

1. Пояснить как образуется p-n-переход.

2. Свойства p-n-перехода, потенциальный барьер.

3. Виды полупроводниковых диодов, назначение, область применения, основные параметры и характеристики.

4. Что называют прямым включением диода?

5. Какой ток протекает через диод при его обратном включении и чем он вызван?

6. Какое явление называется пробоем диода? Виды пробоя.

7. Что называют дифференциальным сопротивлением диода?

Лабораторная работа №2

Исследование типовых схем включения транзисторов..

Цель. Научиться снимать опытным путем входные выходные характеристики полупроводникового транзистора и определять по ним статические параметры транзистора.

Схема для снятия входных и выходных характеристик полупроводникового транзистора.

Таблица №1.

(снятие входных характеристик)

UК1=0 В		UК2=5 В		UК3=10 В		UК4=15 В		UК5=20 в
UБ	IБ	UБ	IБ	UБ	IБ	UБ	IБ	UБ	IБ
В	мкА	В	мкА	В	мкА	В	мкА	В	мкА

 

Таблица №2

(снятие выходных характеристик)

IБ1 =5 мА		IБ2=10 мА		IБ3=15 мА		IБ4=20 мА
UК	IК	UК	IК	UК	IК	UК	IК
В	мА	В	мА	В	мА	В	мА

 

Группа	Ф.И.О	Подпись	Дата		Лист
Выполнил
Проверил

Семейство входных характеристик