Заглавная страница Избранные статьи Случайная статья Познавательные статьи Новые добавления Обратная связь FAQ Написать работу КАТЕГОРИИ:  Археология Биология Генетика География Информатика История Логика Маркетинг Математика Менеджмент Механика Педагогика Религия Социология Технологии Физика Философия Финансы Химия ЭкологияТОП 10 на сайте Приготовление дезинфицирующих растворов различной концентрацииТехника нижней прямой подачи мяча. Франко-прусская война (причины и последствия) Организация работы процедурного кабинета Смысловое и механическое запоминание, их место и роль в усвоении знаний Коммуникативные барьеры и пути их преодоления Обработка изделий медицинского назначения многократного применения Образцы текста публицистического стиля Четыре типа изменения баланса Задачи с ответами для Всероссийской олимпиады по праву 
Мы поможем в написании ваших работ! ЗНАЕТЕ ЛИ ВЫ?
Влияние общества на человека
Приготовление дезинфицирующих растворов различной концентрации Практические работы по географии для 6 класса Организация работы процедурного кабинета Изменения в неживой природе осенью Уборка процедурного кабинета Сольфеджио. Все правила по сольфеджио Балочные системы. Определение реакций опор и моментов защемления |
Расчет параметров транзисторовСодержание книги
Поиск на нашем сайте
Таблица 3.1.1 Исходные параметры транзистора КТ805А
Основные параметры дрейфового транзистора при малых уровнях токов определяются по формулам, которые помещены ниже. Размеры транзистора определяются, исходя из особенностей конструкции и величины Δ (обычно принимают Δ=3…4 мкм). Ширина эмиттера Rэ=3Δ, площадь эмиттера Sэ=300 мкм2 Длина эмиттера:
Длина базы: Значения омических сопротивлений областей транзистора можно оценить по формулам:
где Кк = 0 для конструкции с одним базовым контактом; Ширина базы составляет: где
Коэффициент переноса где
Коэффициенты
Максимальные напряжения переходов (коллектор – база, эмиттер – база, эмиттер - коллектор) рассчитываются по формулам:
Инверсный коэффициент передачи транзистора (Bi) можно определить по следующей формуле:
(13)
Емкость перехода коллектор-база эмиттер – база определим как:
Обратный ток эмиттера определяется по формуле:
Обратный ток коллектора определяется по формуле:
[8. стр.20-27] Расчет параметров транзистора, необходимых для реализации транзистора VT1 в интегральном исполнении, показал что длина эмиттера Ze=144 мкм достаточно велика. Отношение параметров Zе/Re>1, следовательно целесообразно длинную эмитерную полоску разделить на несколько коротких эмиттеров, что и было сделано в ходе разработки топологии ИМС. Решив неравенство
Таблица 3.1.2 Расчетные параметры транзистора КТ805А.
Таблица 3.1.3 Исходные параметры транзистора КТ502Е
Расчет параметров транзисторов структуры p-n-p практически аналогичен расчету транзисторов структуры n-p-n. Ширина эмиттера Rэ=3Δ, площадь эмиттера Sэ=300 мкм2 Длина эмиттера:
Длина базы: Значения омических сопротивлений областей транзистора можно оценить по формулам:
где Кк = 0 для конструкции с одним базовым контактом; Ширина базы составляет: где
Коэффициент переноса где
Коэффициенты
Максимальные напряжения переходов (коллектор – база, эмиттер – база, эмиттер - коллектор) рассчитываются по формулам:
Инверсный коэффициент передачи транзистора (Bi) можно определить по следующей формуле:
(30)
Емкость перехода коллектор-база и эмиттер – база определим как:
Обратный ток эмиттера определяется по формуле:
Обратный ток коллектора определяется по формуле:
Таблица 3.1.4 Расчетные параметры транзистора КТ502Е
Расчет параметров диодов Диоды формируются на основе одного из переходов планарно – эпитаксиальной структуры. Диоды сформированные на основе перехода эмиттер – база, характеризуются наименьшими значениями обратного тока за счет малой площади и самой узкой области объемного заряда. Для других структур значение паразитной емкости характеризуется временем восстановления обратного сопротивления, т.е. временем переключения диода из открытого состояния в закрытое. Оно минимально (около 10 нс) для перехода эмиттер – база, при условии, что переход коллектор – база закорочен, при условии, что переход переход коллектор – база закорочен, так при такой диодной структуре заряд накапливается только в базовом слое. В других структурах заряд накапливается не только в базе, но и в коллекторе, поэтому время восстановления обратного сопротивления составляет 50…100нс. Диод на основе транзисторной структуры с замкнутым переходом база – коллектор предпочтительнее использовать в цифровых ИМС, поскольку он обеспечивает наибольшее быстродействие. Диод на основе перехода эмиттер – база применяют в цифровых схемах в качестве накопительного диода. Диоды с замкнутым переходом база – эмиттер, имеющие наибольшие напряжения пробоя, могут быть использованы в качестве диодов общего назначения [8, стр. 27,29].
3.2.1 Расчет параметров диода Д242Б
Ширина эмиттера Rэ=3Δ, площадь эмиттера Sэ=300 мкм2 Длина эмиттера:
Длина базы: Значения омических сопротивлений областей транзистора можно оценить по формулам:
где Кк = 0 для конструкции с одним базовым контактом; Ширина базы составляет: где
Коэффициент переноса где
Коэффициенты
Максимальные напряжения переходов (коллектор – база, эмиттер – база, эмиттер - коллектор) рассчитываются по формулам:
Инверсный коэффициент передачи транзистора (Bi) можно определить по следующей формуле:
(13)
Емкость перехода коллектор-база и эмиттер – база определим как:
Обратный ток эмиттера определяется по формуле:
Обратный ток коллектора определяется по формуле:
3.2.2 Расчет параметров диода Д303
Ширина эмиттера Rэ=3Δ, площадь эмиттера Sэ=300 мкм2 Длина эмиттера:
Длина базы: Значения омических сопротивлений областей транзистора можно оценить по формулам:
где Кк = 0 для конструкции с одним базовым контактом; Ширина базы составляет: где
Wb= 5E-7 мкм
Коэффициент переноса где
Коэффициенты
Максимальные напряжения переходов (коллектор – база, эмиттер – база, эмиттер - коллектор) рассчитываются по формулам:
| ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
| Поделиться: |
- концентрация донорной примеси в эмиттерной области на поверхности
- концентрация донорной примеси в эмиттерной области у эмиттерного перехода
- поверхностная концентрация акцепторов в базе
- концентрация донорной примеси в коллекторе
- удельное объемное сопротивление коллекторной области
- удельное поверхностное сопротивление пассивной области базы
ð
- удельное поверхностное сопротивление активной области базы
ð
- диффузионная длина дырок в эмиттере
- коэффициент диффузии дырок в эмиттере
- диффузионная длина электронов в базе
- коэффициент диффузии электронов в базе
- диффузионная длина дырок в коллекторе
- коэффициент диффузии дырок в коллекторе
- концентрация носителей зарядов в собственном полупроводнике
- относительная диэлектрическая проницаемость полупроводника
; (1)
мкм
(2)
(3)
Ом
(4)
Ом
, 
-удельное поверхностное сопротивление пассивной и активной областей базы, Ом/□; (100 – 300) Ом/□; (1 – 10) кОм/□; hк – толщина коллекторной области, см,(2 -10) мкм; hб – глубина залегания p-n – перехода база – коллектор, см, (1 - 3) мкм; ρк – удельное объемное сопротивление коллекторной области Ом*см; (0,1 – 1)
(5)
=(0,5 – 2,5) мкм
мкм
вычисляется по формуле:
(6)
- диффузионная длина базы, 
=(2 – 50) мкм; 
- концентрация донорной примеси у эмиттерного перехода,
=(0,1–1) * 1018 см; 
- концентрация донорной примеси в коллекторе, см-3, 
=(0,05 – 1)*1017;
, 
и высчитываются по формулам:
(7)
мкм;
(8)
(9)
(10)
В
(11)
В
(12)
В
- концентрация носителей заряда в собственном полупроводнике.
(14) 
Ф;
(15) 
Ф;
(16)
А;
(17) 
А;
получили, что М=3. Следовательно исходный эмиттер разбиваем на три полоски. 
- коэффициент передачи
- коэффициент инжекции эмиттерного перехода
- коэффициент переноса
-диффузионная длина акцепторов
- диффузионная длина доноров
-ширина базы
-инверсный коэффициент передачи
-площадь эмиттера
- площадь базы
-коэффициент
- обратный ток эмиттера
- обратный ток коллектора
-температурный потенциал
-емкость перехода коллектор-база
- емкость перехода эмиттер-база
-максимальное напряжение коллектор-база
- максимальное напряжение эмиттер-база
- максимальное напряжение эмиттер- коллектор
-омическое сопротивление базы
- омическое сопротивление коллектор
- концентрация донорной примеси в эмиттерной области на поверхности
- концентрация донорной примеси в эмиттерной области у эмиттерного перехода
- поверхностная концентрация акцепторов в базе
- концентрация донорной примеси в коллекторе
- удельное поверхностное сопротивление пассивной области базы
ð
- удельное поверхностное сопротивление активной области базы
ð
- диффузионная длина дырок в эмиттере
- диффузионная длина электронов в базе
- диффузионная длина дырок в коллекторе
- коэффициент диффузии дырок в коллекторе
- концентрация носителей зарядов в собственном полупроводнике
- относительная диэлектрическая проницаемость полупроводника
; 
мкм
(18)
(19)
Ом
(20)
Ом
, 
-удельное поверхностное сопротивление пассивной и активной областей базы, Ом/□; (100 – 300) Ом/□; (1 – 10) кОм/□; hк – толщина коллекторной области, см,(2 -10) мкм; hб – глубина залегания p-n – перехода база – коллектор, см, (1 - 3) мкм; ρк – удельное объемное сопротивление коллекторной области Ом*см; (0,1 – 1)
=(0,5 – 2,5) мкм
вычисляется по формуле:
- диффузионная длина базы, 
- концентрация донорной примеси у эмиттерного перехода,
=(0,1–1) * 1018 см; 
- концентрация донорной примеси в коллекторе, см-3, 
, 
и высчитываются по формулам:
(22)
мкм;
(23)
(24)
(25)
В
(26)
В
(27)
В
- концентрация носителей заряда в собственном полупроводнике.
(31) 
Ф;
(32) 
Ф;
(33)
А; 
- коэффициент передачи
- коэффициент инжекции эмиттерного перехода
- коэффициент переноса
-диффузионная длина акцепторов
- диффузионная длина доноров
-инверсный коэффициент передачи
-площадь эмиттера
- площадь базы
-коэффициент
-емкость перехода коллектор-база
- емкость перехода эмиттер-база
- максимальное напряжение эмиттер-база
- максимальное напряжение эмиттер- коллектор
-омическое сопротивление базы
- омическое сопротивление коллектор
; (1)
мкм
(2)
Ом
(4)
Ом
, 
-удельное поверхностное сопротивление пассивной и активной областей базы, Ом/□; (100 – 300) Ом/□; (1 – 10) кОм/□; hк – толщина коллекторной области, см,(2 -10) мкм; hб – глубина залегания p-n – перехода база – коллектор, см, (1 - 3) мкм; ρк – удельное объемное сопротивление коллекторной области Ом*см; (0,1 – 1)
(5)
=(0,5 – 2,5) мкм
мкм
вычисляется по формуле:
(6)
- диффузионная длина базы, 
=(2 – 50) мкм; 
=(0,1–1) * 1018 см; 
(7)
(8)
мкм; 
(10)
В
(11)
В
(12)
В
Ф;
Ф;
(16)
А;
(17) 
А;
; (18)
мкм
(19)
(20)
Ом
(21)
Ом
-удельное поверхностное сопротивление пассивной и активной областей базы, Ом/□; (100 – 300) Ом/□; (1 – 10) кОм/□; hк – толщина коллекторной области, см,(2 -10) мкм; hб – глубина залегания p-n – перехода база – коллектор, см, (1 - 3) мкм; ρк – удельное объемное сопротивление коллекторной области Ом*см; (0,1 – 1)
=(0,5 – 2,5) мкм
вычисляется по формуле:
- диффузионная длина базы, 
=(2 – 50) мкм; 
=(0,05 – 1)*1017;
(24)
мкм;
мкм; 
(26)
(27)
В
(28)
