Параметры элементов схемы используемые при разработке ИМС приведены в таблицах 1.1 – 1.4.
Таблица 1.1 - Параметры транзистора КТ 805А [4, стр. 491,502,503,524]
Параметр
| Обозначение
| Единица
измерения
| Данные о параметрах
|
Максимально допустимый постоянный
ток коллектора
| Ikmax
| А
| 5
|
Максимально допустимый импульсный
ток коллектора
| Ik, и max
| A
| 8
|
Постоянное напряжение коллектор – эмиттер при определенном сопротивлении в цепи база - эмиттер
| Uкэ R
| В
| 100
|
Постоянное напряжение коллектор – эмиттер
| Uкэ
| В
| 100
|
Граничное напряжение биполярного транзистора
| U кэо гр
| В
| 160
|
Сопротивление перехода база - эмиттер
| Rбэ
| кОм
| 0.01
|
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора
| Pк
| Вт
| 30
|
Постоянный ток базы
| Iб
| А
| 2
|
Постоянный ток эмитера
| Iэ
| А
| 2
|
Максимально допустимое постоянное напряжение коллектор - база
| Uкб max
| В
| 150
|
Максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер - база
| Uэб max
| В
| 5
|
Коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером: отношение постоянного тока коллектора к постоянному току базы
| h21э
| -
| 15
|
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером: частота, на которой h21э транзистора (включенного по схеме с общим эмиттером) равен единицы
| fгр
| МГц
| 10
|
Постоянный обратный ток коллектора
| Iкбо
| мА
| 60
|
Постоянный обратный ток коллектор – эмиттер при определенном сопротивлении в цепи база - эмиттер
| Ikэr
| мА
| 60
|
Постоянный обратный ток эмитера
| Iэбо
| мА
| 100
|
Напряжение насыщения коллектор - эмитер
| Uкэ нас
| В
| 2.5
|
Продолжение табл. 1.1
Напряжение насыщения база - эмиттер
| Uбэ нас
| В
| 2.5
|
Время рассеивания параметра биполярного транзистора
| tрас
| мкс
| -
|
Время включения параметра биполярного транзистора
| tвкл
| мкс
| -
|
Время включения параметра биполярного транзистора
| tвыкл
| мкс
| -
|
Емкость коллекторного перехода. При увеличении обратного напряжения емкость уменьшается
| Ск
| пф
| 60
|
Емкость эмиттерного перехода. При увеличении обратного смещения на эмиттере емкость уменьшается.
| Сэ
| пф
| 115
|
Температура p-n перехода
| Тп
| ◦С
| <100
|
Таблица 1.2 - Параметры транзистора КТ 502Е[4, стр.491,500,501,524]
Параметр
| Обозначение
| Единица
измерения
| Данные о параметрах
|
Максимально допустимый постоянный
ток коллектора
| Ikmax
| мА
| 150
|
Максимально допустимый импульсный
ток коллектора
| Ik, и max
| мA
| 350
|
Постоянное напряжение коллектор – эмиттер при определенном сопротивлении в цепи база - эмиттер
| Uкэ R
| В
| 60
|
Постоянное напряжение коллектор – эмиттер
| Uкэ
| В
| 60
|
Сопротивление перехода база - эмиттер
| Rбэ
| Ом
| 10
|
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора
| Pк
| мВт
| 350
|
Коэффициент шума транзистора
| Кш
| Дб
| -
|
Постоянный ток эмитера
| Iэ
| мА
| 1
|
Максимально допустимое постоянное напряжение коллектор - база
| Uкб max
| В
| 90
|
Максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер - база
| Uэб max
| В
| 5
|
Коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером: отношение постоянного тока коллектора к постоянному току базы
| h21э
| -
| 40…120
|
Продолжение табл. 1.2
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером: частота, на которой h21э транзистора (включенного по схеме с общим эмиттером) равен единицы
| fгр
| кГц
| 1
|
Постоянный обратный ток коллектора
| Iкбо
| мкА
| 1
|
Постоянный обратный ток коллектор – эмиттер при определенном сопротивлении в цепи база - эмиттер
|
|
|
|
Постоянный обратный ток коллектора - эмиттера
| Iкэо
| мкА
| 1
|
Напряжение коллектор - база
| Uкб
| В
| 3
|
Ток коллектора
| Iк
| мА
| 0.6
|
Ток перехода коллектор - эмитттер
| Iкэо
| мкА
| 50
|
Выходная полная проводимость
| H22э
| мкСм
| 5
|
Емкость коллекторного перехода. При увеличении обратного напряжения емкость уменьшается
|
Ск
|
пф
|
20
|
Температура p-n перехода
| Тп
| ◦С
| <80
|
Таблица 1.3 - Параметры диода Д303[4, стр.473,474,476]
Параметр
| Обозначение
| Единица
измерения
| Данные о
параметрах
|
Средний прямой ток: среднее за период
значение тока через диод
| Iпр.ср.
| А
| 3
|
Импульсный прямой ток: наибольшее мгновенное значение прямого тока, исключая повторяющиеся и неповторяющиеся переходные токи
| Iпр.и.
| А
| -
|
Максимально допустимое постоянное обратное напряжение
| Uобр max
| В
| 150
|
Среднее прямое напряжение: среднее за период значение прямого напряжения при заданном среднем прямом токе
| Uпр ср
| В
| 0.3
|
Средний прямой ток: среднее за период значение прямого тока через диод
| Iпр.ср
| А
| 3
|
Постоянный обратный ток, обусловленный
постоянным обратным напряжением
| Iобр
| мА
| 1
|
Время обратного восстановления: время переключения диода с заданного прямого тока на заданное обратное напряжение от момента прохождения тока через нулевое значение до момента достижения обратным током заданного значения
| Tвос.обр
| мкс
| -
|
Максимально допустимая частота: наибольшая
частота подводимого напряжения и импульсов тока, при которых обеспечивается надежная работа диода
| fmax
| кГц
| 5
|
Таблица 1.4 - Параметры диода Д242Б [4, стр.473,474,476]
Параметр
| Обозначение
| Единица
измерения
| Данные о
параметрах
|
Средний прямой ток: среднее за период
значение тока через диод
| Iпр.ср.
| А
| 5
|
Импульсный прямой ток: наибольшее мгновенное значение прямого тока, исключая повторяющиеся и неповторяющиеся переходные токи
| Iпр.и.
| А
| -
|
Максимально допустимое постоянное обратное напряжение
| Uобр max
| В
| 100
|
Среднее прямое напряжение: среднее за период значение прямого напряжения при заданном среднем прямом токе
| Uпр ср
| В
| 1.5
|
Средний прямой ток: среднее за период значение прямого тока через диод
| Iпр.ср
| А
| 5
|
Постоянный обратный ток, обусловленный
постоянным обратным напряжением
| Iобр
| мА
| 3
|
Время обратного восстановления: время переключения диода с заданного прямого тока на заданное обратное напряжение от момента прохождения тока через нулевое значение до момента достижения обратным током заданного значения
| Tвос.обр
| мкс
| -
|
Максимально допустимая частота: наибольшая
частота подводимого напряжения и импульсов тока, при которых обеспечивается надежная работа диода
| fmax
| кГц
| 1.1
|