Химическое травление потоком нейтральных частиц  

Одним из наиболее процессов травления является травление потоком химически активных но нейтральных частиц. К таким частицам относятся свободные радикалы и некоторые короткоживущие молекулярные комплексы, которые возникаю в плазме соответствующих газов. СВЧ разряд в реактивном газе возбуждается в кварцевой трубе, помещенной в волновод. За счет разницы давлений в разрядной камере и реакторе плазма распространяется по транспортной трубе в разрядную камеру. Заряженные частицы быстро рекомбинируют, тогда как радикалы достигают обрабатываемой пластины.

Основное применение такого процесса находится в технологических операциях связанных с изотропным но высоко селективным травлением. Например, при удалении резистов, при травлении маски из нитрида кремния на оксиде или поликремнии в LOCOS процессах. При применении этих процессов в комбинации с пассивирующими слоями на боковых стенках линий было достигнуто травление с высокой анизотропией, достаточной для травления структур с высоким отношением высоты к ширине линий.

Двойной «Дамасцен» Процесс

На пластину осаждается изолирующий оксид, в котором вытравливается структура под алюминиевую разводку методами реактивного ионного травления с использованием фоторезистной маски. После травления оксида и снятия резиста, структура заполняется алюминием. Оставшийся алюминий на областях, где структуры не должны оставаться, удаляется методом химико-динамической полировки, и осаждается второй изоляционный слой. С использованием Damascene-процесса, типичные для реактивного ионного травления проблемы, например недостаточная селективность фоторезиста, недостаточный контроль профиля и коррозии, можно избежать. С другой стороны, появляются проблемы с травлением оксида, заполнением узких структур алюминием и полировкой 'мягкого' алюминия.

В методике химико-динамической полировки пластина устанавливается на вращающемся подложкодержателе (рис. 6), который прижимается к вращающемуся столу с полировальником. Благодаря этим двум вращениям, поверхность пластины заземлена. Технология шлифовки химически усиливается суспензией, которая вводится на полировальник. Суспензия состоит из маленьких частиц для улучшения процесса шлифовки и травителя, реагирующего с материалом, который требуется удалить, и не реагирует с нижележащим материалом. Таким образом, возможно избирательное удаление пленок.

Рис. 6. Схема методики CMP.

Типичная последовательность технологических операций - "Двойной Дамасцен Процесс", показана на рис. 7. В первом шаге осаждается ILD оксид (рис. 7a). После литографии контактного окна (рис. 7b), оно травится реактивным ионным травлением оксида (рис. 7с). Удаляется фоторезист (рис. 7d), и проводится вторая литография для формирования рисунка металлических структур (рис. 7e). Металлические структуры вытравливаются в оксиде в фиксированном по времени RIE процессе (рис. 7f). Время травления в комбинации со скоростью травления определяют глубину структур. После удаления фоторезиста (рис. 7g), осаждается алюминий (рис. 7h). В завершении металлические структуры формируются за счет процесса CMP (рис. 7i). Последовательность заканчивается плоской поверхностью после второго осаждения оксида (рис. 7j).

В таблице 1 сравниваются технологические операции для Двойного Дамасцен процесса и последовательности RIE. Двойной Дамасцен процесс имеет на 6 технологических операций меньше чем последовательность RIE. Это приводит к уменьшению стоимости модуля на 13% и уменьшению времени процесса на 18% для 256 М DRAM [13].

Рис. 7. Последовательность Двойного Дамасцен Процесса.

Таблица 1. Сравнение последовательности RIE и «Dual Damascene».