Лабораторная работа № 5. Исследование биполярных транзисторов

 

Схемы включения биполярных транзисторов

Различают три схемы включения биполярных транзисторов
(рисунок 35):

· с общей базой (ОБ)

· с общим эмиттером (ОЭ)

· с общим коллектором (ОК).

 

 

 

ОБ ОЭ ОК

Рис. 35. Основные схемы включения транзисторов

 

Характеристики биполярных транзисторов

На практике чаще всего используются два семейства ВАХ транзисторов - входные и выходные.

Входные характеристики определяют зависимость входного тока (базы или эмиттера, в зависимости от способа включения транзистора) от входного напря­жения при фиксированных значениях выходного напряжения.

Выходные характеристики определяют зависимость выходного тока от выходного напряжения при фиксированных значениях входного тока (базы или эмит­тера, в зависимости от способа включения транзистора).

Входные и выходные характеристики транзисторов используются для расчета цепей смещения и стабилизации режима, расчета конечных состояний ключевых схем (режима отсечки, насыщения).

 

Входные характеристики

Входные характеристики имеют вид, аналогичный характеристикам диодов: ток экспоненциально возрастает с увеличением входного напряжения. При по­вышении и понижении температуры входные характеристики смещаются в сторону меньших и больших входных напряжений соответственно.

 

Выходные характеристики

Особенностью выходных характеристик транзистора, включенного по схеме с ОБ, является слабая зависимость тока коллектора от напряжения коллектор-база Uкб. При больших напряжениях Uкб происходит пробой коллекторного перехода. При увеличении температуры выходные характеристики смещаются в сторону боль­ших токов из-за увеличения обратного тока Iко.

У транзистора, включенного по схеме с ОЭ, ток коллектора более сильно зави­сит от напряжения коллектор-эмиттер. Резкое возрастание тока коллектора начина­ется при меньшем коллекторном напряжении, чем для включения транзистора по схеме с ОБ. При повышении температуры выходные характеристики значительно смещаются в сторону больших токов, их наклон сильно увеличивается.

 

Исследование ВАХ биполярных транзисторов

Схема для исследования ВАХ транзистора p-n-p типа в схеме с ОБ показана на рисунке 36.

Семейство входных ВАХ Ie=f(Ueb) снимается при фиксированных значениях Ukb путем измене­ния тока Ie и измерения Ueb.

Семейство выходных ВАХ Ik=f(Ukb) снимается при фик­сированных значениях Ie, путем изменения напряжения Ukb и измерения Ik.

 

Рис. 36. Схема для исследования ВАХ биполярного транзистора (схема с ОБ)