Логический элемент технологии ттлш с пониженной мощностью потребления: схема, принцип работы, передаточная характеристика

 

Технология ТТЛШ с пониженной мощностью потребления

(Low power Schotky)

ТТЛШ с пониженной мощностью потребляют меньше мощности чем просто ТТЛШ.

Элемент 2И-НЕ:

Функция И реализована на диодах VD3, VD4.

Диоды будут закрытыми при подаче логической 1. В базу транзистора VT1 поступает ток через резистор R1. Открываются транзисторы VT1, VT5 в режиме насыщения.

Закрываются транзисторы VT3, VT4. На выходе уровень логического поля.

Подадим на вход (1) логический 0. Будет закрыт транзистор VT1, потому закроется транзистор VT5. Транзисторы VT3 и VT4 будут открыты.На выходе высокий уровень напряжения.

Наличие диодов VD1, VD2 уменьшает входные токи элементов.

При изменении температуры изменение выходных уровней меньше, чем в предыдущих схемах.

 

Инвертор КМОП: схемотехника, принцип действия, параметры и характеристики

Выполняет логическую операцию инверсии (отрицания).

Элемент НЕ

КМОП

В основе схемы лежит КМОП ключ.

Диоды организовывают систему защиты. Диоды на входе предохраняют входы инвертора от высокого напряжения.

Цепочка RC (C-емкость диода VD₁) – защищает выход инвертора от короткого замыкания на общий провод и цепью питания.

28. Базовый логический элемент ТТЛ: схемотехника, принцип работы, параметры и характеристики

Простейший базовый элемент ТТЛ, в соответствии с рисунком 2а, за счет использования многоэмиттерного транзистора, объединяющего свойства диода и транзисторного усилителя, позволяет увеличить быстродействие, снизить потребляемую мощность и усовершенствовать технологию изготовления микросхемы.

Базовый элемент ТТЛ также выполняет логическую операцию И-НЕ. При низком уровне сигнала (логический 0) хотя бы на одном из выходов многоэмиттерного транзистора VT₁ последний находится в состоянии насыщения, а VT₂ закрыт. На выходе схемы существует высокий уровень напряжения (логическая единица). При высоком уровне сигнала на всех входах VT₁ работает в активном инверсном режиме, а VT₂ находится в состоянии насыщения. Описанный здесь базовые элемент ТТЛ, несмотря на прощеную технологию изготовления, не нашел широкого применения из-за низкой помехоустойчивости, малой нагрузочной способностью и малого быстродействия при работе на емкостную нагрузку. Его целесообразно использовать лишь при разработке микросхем с открытым коллектором, в соответствии с рисунком 2б, для включения внешних элементов индикации, когда не требуется высокая помехоустойчивость и большая нагрузочная способность.