Заглавная страница Избранные статьи Случайная статья Познавательные статьи Новые добавления Обратная связь КАТЕГОРИИ: АрхеологияБиология Генетика География Информатика История Логика Маркетинг Математика Менеджмент Механика Педагогика Религия Социология Технологии Физика Философия Финансы Химия Экология ТОП 10 на сайте Приготовление дезинфицирующих растворов различной концентрацииТехника нижней прямой подачи мяча. Франко-прусская война (причины и последствия) Организация работы процедурного кабинета Смысловое и механическое запоминание, их место и роль в усвоении знаний Коммуникативные барьеры и пути их преодоления Обработка изделий медицинского назначения многократного применения Образцы текста публицистического стиля Четыре типа изменения баланса Задачи с ответами для Всероссийской олимпиады по праву Мы поможем в написании ваших работ! ЗНАЕТЕ ЛИ ВЫ?
Влияние общества на человека
Приготовление дезинфицирующих растворов различной концентрации Практические работы по географии для 6 класса Организация работы процедурного кабинета Изменения в неживой природе осенью Уборка процедурного кабинета Сольфеджио. Все правила по сольфеджио Балочные системы. Определение реакций опор и моментов защемления |
Уширение линий, микродеформации и области когерентного рассеяния.
Область когерентного рассеяния - Область вещества, рассеивающая падающее излучение когерентно (согласованно), т. е. так, что фаза падающего излучения однозначно определяет фазу рассеянного излучения. В рентгеновской дифракции ОКР (область когерентного рассеяния) есть характерная область кристалла, рассеивающая рентгеновское излучение когерентно и независимо от других таких же областей. Размер ОКР измеряется экспериментально на основании данных об уширении дифракционных отражений и используется для оценки размеров кристаллитов в поликристаллах или в нанокристаллических порошках. В этих случаях размер ОКР, как правило, отождествляют со средним размером кристаллитов. Размер ОКР обычно на 10–15% ниже результатов определения размера малых частиц (зерен) с помощью электронной микроскопии, поскольку область когерентного рассеяния соответствует внутренней (упорядоченной) области зерна и не включает сильно искаженные границы. РЕНТГЕНОГРАФИЯ, совокупность методов исследования строения кристаллич. и аморфных в-в, основанных на изучении дифракции рентгеновских лучей. В Р. используют в осн. характеристич. рентгеновское излучение (см. Рентгеновская спектроскопия); дифракц. картины регистрируют либо фотометодом, т.е. на рентгеновской пленке (рентгенограммы), или дифрактометрич. методом-с Помощью счетчиков ионизирующего излучения (дифрактограммы). Рентгенографич. методы позволяют прецизионно измерять параметры кристаллич. решетки (см. Рентгеновский структурный анализ), исследовать процессы образования и распада твердых р-ров, устанавливать их тип и концентрацию, определять величины макронапряжений в изделиях, коэф. теплового расширения и их анизотропию, изучать процессы диффузии, исследовать фазовые диаграммы, определять в них границы р-римости фаз (см. Рентгеновский фазовый анализ). В поликристаллич. образцах методами Р. устанавливают размеры кристаллич. блоков, к-рые могут существенно влиять на разл. св-ва материалов (напр., мех., магн., катали-тич.). Размеры кристаллич. блоков более 0,1 мкм определяют по числу точечных дифракц. рефлексов на рентгенограмме, размеры блоков 0,1-1 мкм-по анализу интегральной интенсивности дифракц. пиков. Блоки размером менее 0,1 мкм вызывают уширение дифракц. пиков; их размеры определяют по полуширине профиля интенсивности дифракц. пика, или методом фурье-анализа распределения интенсивности в дифракц. пиках. Последний метод позволяет точнее определять также значения неориентир. микродеформаций и концентраций деформац. и двойниковых ошибок в периодичности расположения атомных слоев кристаллич. решетки. Анализ дифракц. картин дает сведения о процессах упорядочения в твердых р-рах, позволяет оценить силы межатомного взаимодействия.
Разнообразные дефекты кристаллической решетки, в том числе примесные атомы, приводят к непостоянству расстояний между атомными плоскостями, что вызывает микродеформацию.
Деформация с дальнодействием, сравнимым с 10 межатомными расстояниями. Это напряжения, усредняемые измерением макронапряжения. Микронапряжение не измеряется существующими методами. Дисперсия распространения микронапряжения может измеряться дифракцией рентгеновских лучей.
Рентгенографические методы позволяют определять углы разориентировки и размеры блоков мозаики — областей с правильным строением, повёрнутых одна относительно другой (разориентированных) на очень малые углы. Измельчение блоков мозаики сопровождается упрочнением материалов, характеристики мозаичности связаны с плотностью дислокаций. О размерах блоков мозаики ~ 0,05—0,1 мкм судят по размытию (уширению) дебаевских колец (рис. 1). Если уширение обусловлено только мозаичностью, то усреднённые значения размеров блоков: D = l/bcosJ, где b — полуширина размытой линии, l — длина волны использованного излучения. Средний угол разориентировки блоков J определяют по эффектам двойного вульф-брэгговского рассеяния в малоугловой ооласти (при e = 2J£ 0,5°), когда первично отражённый луч отражается ещё раз от подходящим образом ориентированного блока в направлении исходного пучка (рис. 2). В окрестности первичного луча появляется дополнительное диффузное рассеяние, интенсивность которого I (e) определяет J: I (e) = Аe-1ехр {—Be2/J2}, где А и В— постоянные величины. 1. Профили линий дебаеграммы: а — узкие (неуширенные) сплошные отражения от кристаллитов размерами ~ 0,5 мкм; б — уширенные отражения от блоков мозаики размерами 0,1—0,2 мкм. b — полуширина размытой линии.
|
|||||
Последнее изменение этой страницы: 2017-02-08; просмотров: 1206; Нарушение авторского права страницы; Мы поможем в написании вашей работы! infopedia.su Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав. Обратная связь - 18.117.91.153 (0.004 с.) |