Список к теме 2.4 «Нанотранзисторы на основе фуллереновых материалов и молекулярных структур»

1. Мальцев, П.П. Наноматериалы / П.П. Мальцев. – М.:Техносфера, 2005. – 153 с.

2. Лускинович, П. Нанотехнология / П. Лускинович // Компьютера, № 2, 2003.

3. Пул, Ч. Нанотехнологии: Учебник-монография / Ч. Пул, Ф. Оуэнс. - Москва:Техносфера, 2004. – 328 с.

4. Дьячков, П.Н. Углеродные нанотрубки. Материалы для компьютеров XXI века / П.Н. Дьячков // Природа, № 11, 2000.

5. Лускинович П. Нанотехнология и наночипы. Часть 1 // Инженерная микроэлектроника, № 6, 2001.

6. Лускинович П. Нанотехнология и наночипы. Часть 2 // Инженерная микроэлектроника, № 10, 2001.

7. Wang D.P. a.o. Carbon Nanotube Gated Lateral Resonant Tunneling Field-Effect Transistors. //Appl. Phys. Lett. - 2005.- v.87, N.15. – p.152102.

8.Stankovich S., Dikin1 D. A., Dommett G.H. B. Et al. Graphene-based composite materials // Nture,Vol 442, 20 July, 2006.

9. Xuan Y., Wu Y. Q., Shen T., Qi M., Capano M. A., Cooper J. A., Yea P. D. Atomic-layer-deposited nanostructures for graphene-based nanoelectronics // Appl. Phys. Lett. 92, 2008, 013101.

10. Novoselov K. S. et al. Electric Field Effect in Atomically Thin Carbon Films, Science 306, 666 (2004)

11. M. Suemitsu et al. Presented at 14th Int. Conf. Solid Films and Surfaces, Dublin, June 30, 2008 (submitted to e-Journal of Surface Science and Nanotechnology)

12. Novoselov K. S. et. al. Room-Temperature Quantum Hall Effect in Graphene Science 315, 1379 (2007).

13. Ponomarenko L. A., Schedin F., Katsnelson M. I., Yang R., Hill E. W., Novoselov K. S., Geim A. K. Chaotic Dirac Billiard in Graphene Quantum Dots // Science 18 April 2008: Vol. 320. no. 5874, PP. 356 – 358.

14. Рамбиди Н. Г. Нанотехнологии и молекулярные компьютеры. – М.: ФИЗМАТЛИТ, 2007. – 256 с.

15. Рамбиди Н. Г. Нанотехнология и молекулярные вычислительные устройства // Наука в России. – 2006. – N 6(156). – С.38-46.

16. Dominique Vuillaume New concepts for nanophotonics and nano-electronics. Molecular-scale electronics // C. R. Physique 9 (2008) 78–94.

17. R.M. Metzger, B. Chen, U. Hopfner, M.V. Lakshmikantham, D. Vuillaume, T. Kawai, X. Wu, H. Tachibana, T.V. Hughes, H. Sakurai, J.W. Baldwin, C. Hosch, M.P. Cava, L. Brehmer, G.J. Ashwell, Unimolecular electrical rectification in hexadecyquinolinium tricyanoquinodimethanide, J. Am. Chem. Soc. 119 (43) (1997) 10455–10466.

18. D. Vuillaume, B. Chen, R.M. Metzger, Electron transfer through a monolayer of hexadecylquinolinium tricyanoquinodimethanide, Langmuir 15 (11) (1999) 4011–4017.

19. S. Lenfant, D. Guerin, F. Tran Van, C. Chevrot, S. Palacin, J.-P. Bourgoin, O. Bouloussa, F. Rondelez, D. Vuillaume, Electron transport through rectifying self-assembled monolayer diodes on silicon: Fermi level pinning at the molecule–metal interface, J. Phys. Chem. B 110 (28) (2006) 13947–13958.

20. S. Lenfant, C. Krzeminski, C. Delerue, G. Allan, D. Vuillaume, Molecular rectifying diodes from self-assembly on silicon, Nano Lett. 3 (6) (2003) 741–746.

Список к теме 2.5
«Приборы на основе эффекта полевой эмиссии»

1. Елинсон М.И., Васильев Г.Ф. Автоэлектронная эмиссия. - М.: Госиздат физ.-мат. лит., 1958. – 272с.

2. Елинсон М.И., Кудинцева Г.А., и др. Ненакаливаемые катоды. – М.: Советское радио, 1974.

3. Добрецов Л. Н., Гомоюнова М. В. Эмиссионная электроника. – М.: Наука, 1966, 564 с.

4. 4. Spindt C.A., Brodie I., Humphrey L., Westerberg E. R. Physical properties of thin-film field emission cathodes with molybdenum cones // J. of Appl.Phys., v.47, № 12, 1976, p. 5248-5263.

5. Spindt C.A., Shoulders K.R. In: Conf. Tube Techniques, 8, N.Y., 1972. Papers. Spons, by IEEE Electron. Devices Groups, N.Y., 1973, p. 143-147.

6. Трубецков Д. И. Вакуумная микроэлектроника // Соросовский образовательный журнал, № 4, 1997, С.58-64.

7. Дюжев Н.А., Козлов А.И., Махов В.И., Серовайский В.М. Быстродействие микроэлектронных триодных структур с автоэлектронными катодами // Микроэлектроника, том.19, вып.5, 1990, с.478-485.

8. Голеницкий И.И., Марычева Л.Н.., Победоносцев А.С., Сазонов В.П., Чубун Н.Н. Расчет параметров вакуумного микротриода с автоэмиссионным катодом. – Электронная техника, сер. Электроника СВЧ, вып.6 (430), 1990, с.8-10.

9. Горфинкель Б.И., Петров Е.Н. Методы моделирования вакуумных катодолюминесцентных индикаторов. – Электронная промышленность, №5-6 (111-112), 1982, с.92-95.

10. Славянский В.В., Солтамов У.Б., Сушков А.Д., Карпов Л.Д. Исследование полей и траекторий электронов в осесимметричных ячейках микрокатодов // Электронная техника, сер. Электровакуумные и газоразрядные приборы, вып.4 (87), 1981, с.3-5.

11. Karpov L.D., Genelev A.P., Mirgorodski Y.V., Tikhonsky A.N., Pattering and Electrical Testing of Field Emission Arrays with Novel Emitter Geometries // Technical Digest of 9th Int. Vacuum Microelectronics Conf., Saint-Petersburg, Russia, July 7 - 12, 1996, P.542-546.

12. Бондаренко Б.В. Макуха В.И. Диоды и триоды с лезвийным катодом // Электронная техника, сер. Электровакуумные и газоразрядные приборы, вып.7, 1974, с.29-32.

13. Ganguly, A. K.; Phillips, P. M.; Gray, H. F. Linear theory of a field-emitter-array distributed amplifier // Journal of Applied Physics (ISSN 0021-8979), vol. 67, June 1, 1990, P. 7098-7110.

14. Вакуумный транзистор Карпова. Патент РФ № 2089004, 28.08.1997г.

15. Genelev A.P., Levitsky A.A., Zasemkov V.S., Field Emission Structure with Shottky-Barrier Electrode // Mat. Res. Soc. Symp. Proc. Vol 621, 2000, San Francisco, USA, R5.6.1- R5.6.5.

16. M.G. Ancona, Modeling of Thermal Effects in Silicon Field Emitters, VIII Int. Vac. Microelectronics Conf., July 30-Aug. 3, 1995, Portland, Oregon, Techn. Digest of IVMC-95, P.61-65.

17. Казанцев В.В., Левицкий А.А., Ряхов В.Ф. К оценке теплового режима полупроводникового автоэмиссионного катода // Матер.межд.конф «Системные проблемы качества, математического моделирования, информационных, электронных и лазерных технологий», часть.4. – М.: Радио и связь, 2002, С.147-150.

18. Parameswaran L., Murphy R.A. Field-Emitter-Array Cold Cathode Arc-Protection Methods – A Theoretical Study // Mat. Res. Soc. Symp. Proc. Vol. 621, 2000, R.4.6.1-R.4.6.13

19. Рахимов А.Т. Автоэмиссионные катоды (холодные эмиттеры) на нанокристаллических углеродных и наноалмазных плёнках (физика, технология, применение) Успехи физических наук. Т.170, №9, 2000 с.997-999.

20. Анодные оксидные пленки. Перевод с англ. под ред. Л.Н. Закгейма и Л.Л. Одынца. Ленинградское отделение, «Энергия», 1967.

21. Тареев Б. М. Лернер М. М. Оксидная изоляция. Изд. 2-е, перераб. М., «Энергия», 1975.

22. Мухуров Н.И., Котова И.Ф., Гасенкова И.В., Галдецкий А.В., Чубаренко В.А. Исследование металла, осаждаемого в нанопоры анодного оксида алюминия при формировании подложек микроэлектронных устройств // Микроэлектроника, 2001, Т.30, № 3, С.218-222.

23. Сокол В.А. Электрохимическая технология микро- и наноэлектронных устройств // Доклады БГУИР, №3, 2004, С.18-26.

24. Sokol V.A., Kuraev A.A., Sinitsyn A.K., Grinis L.M. Fabrication and performance simulation of nanodimensional matrix field-emission cathodes. in: Physics, Chemistry and Application of Nanostructures, ed. Borisenko V.E., Filonov A.V., Gaponenko S.V., Gurin V.S. 1999. РР.280-286.

25. Pirio1 G., Legagneux1 P., Pribat1 D., Teo K.B.K., Chhowalla M., Amaratunga G.A.J., Milne W.I. Fabrication and electrical characteristics of carbon nanotube field emission microcathodes with an integrated gate electrode // Inst. of Physics Publishing, Nanotechnology 13, 2002, P. 1–4.

26. Baptist R. Microtips fluorescent displays. – L’Onde Ėlectrique, vol. 71, Novembre-Dėsembre № 6/37, P.36-42.

27. Драч В.А., Егоров Н.М., Засемков В.С., Левицкий А.А. Полевые эмиссионные дисплеи // Материалы 2-й Всероссийской научно-практ.конф. с междун. участием "Достижения науки и техники – развитию сибирских регионов", 16-18 марта 2000г., Красноярск, часть 3, изд.Красноярск: КГТУ, 2000, с.78-79.

28.Генелев А.П., Драч В.А., Егоров Н.М., Засемков В.С., Левицкий А.А. FED технологии – будущее плоских дисплеев // Наука - производству, 3(28), 2000, С.7-9.

29. Татаренко Н.И., Кравченко В. Ф. Автоэмиссионные наноструктуры и приборы на их основе. – М.: ФИЗМАТЛИТ, 2006. – 192 с.