Список к теме 1.3 «Процессы и инструменты нанотехнологий»

1. Gimzewski, J. K. and С Joachim. 1999. Nanoscale science on single molecules using local probes. Science 283:1683-1688.

2. Noy, A., D. V. Vezenov, and С. М. Lieber. 1997. Chemical force microscopy. Ann. Rev. Materials Science 27:381-421.

3. Knoll, B. and F. Keilmann. 1999. Near-field probing of vibrational absorption for chemical microscopy. Nature 399 (13 May): 134-137.

4. Eigler, D. M.,C. P. Lutz, and W. E. Rudge. 1991. An atomic switch realized with the scanning tunneling microscope. Nature 352(6336) (Aug 15): 600—603.

5. Wada, Y. 1997. Atom electronics: A proposal of atom/molecule switching devices. Surface Science 386:265-278.

6. Minne, S. C, et al. 1996. Independent parallel lithography using the AFM. /. Vac. Sci.Technol. В 14:2456.

7. Miller, S. A, K. L. Turner, and N. C. MacDonald. Microelectromechanical scanning probe instruments for array architectures. Rev. Sci. Instrum. 1997. 68: 4155-4162.

8. Minne S. C, G. Yaralioglu, S. R. Manalis, J. D. Adams, J. Zesch, A. Atalar and C. F. Quate. 1998. Automated parallel high-speed atomic force microscopy. Appl. Phys. Lett.72:2340-2342.

9. Korgel B. A., N. Сборка и организация сверхрешеток из нанокристаллов серебра: упорядоченные сферы. J. Phys. Chem. B.1998.102. № 43. с.379-388.

10. Sarathy K.V. Упорядоченные структуры из наночастиц Au, Ag и Pt, стабилизированные тиопроизводными. J. Phys. Chem. B. 1997.101, № 48 с.9876-9880.

Список к теме 2.1
«Субмикронные полупроводниковые транзисторы»

1. Гуреева О. Транзисторная история. Изобретение транзисторов и развитие полупроводниковой электроники // Компоненты и технологии, № 9, 2006.

2. Левин А. Транзистор – дитя многих родителей // Компьютера, № 45 (617), 2005. / Электронный ресурс: http://offline.computerra.ru

3. Меркулов В. 60 лет создания транзистора. Начало применения полупроводников // Радио, № 12, 2007, с. 7–9.

4. Маллер Р., Кейминс Т. Элементы интегральных схем. Пер. с анг. – М.: Мир, 1989. – 630 с.

5. Полевые транзисторы на арсениде галлия. Принципы работы и технология изготовления. Пер. с англ./ Под ред. Д.В. Ди Лоренцо, Д.Д. Канделуола. – М.: Радио и связь, 1988. – 496 c.

6. Пасынков В.В., Чиркин Л.К. Полупроводниковые приборы. – СПб.: Лань, 2006. – 480 с.

7. Степаненко И.П. Основы микроэлектроники. – М.: Лаборатория базовых знаний, 2004. – 488 с.

8. Сугано Т., Икома Т., Такэиси Ё. Введение в микроэлектронику. Пер. с яп. – М.: Мир, 1988. – 320 с.

9. Меркулов Д., Меркулов В. CeBIT 2008: микропроцессоры INTEL – поступь технологий // Радио, № 9, 2008, С. 4-8.

10. Транзистор: 60 лет больших свершений маленького элемента // Компьютер Пресс, № 12, 2007 / Электронный ресурс: http://www.compress.ru

11. Хвостов В. В. Физические основы молекулярной и наноэлектроники. Презентации / Электронный ресурс: http://phys-elec.clan.su/

12. Нанотехнология: физика, процессы, диагностика, приборы / Под ред. Лучинина В. В., Таирова Ю. М. – М.: ФИЗМАТЛИТ, 2006. – 552 с.

13. Нанотехнологии в электронике / Под ред. Ю. А. Чаплыгина – М.: Техносфера, 2005. – 448 с.

14. Нанотехнологии в полупроводниковой электронике / Отв. Редактор А. Л. Асеев. – Новосибирск: Изд-во СО РАН, 2004. – 368 с.

15. Пожела Ю. Физика быстродействующих транзисторов. – Вильнюс: Мокслас, 1989. – 264 с.

16. Лихарев К. К. О возможности создания аналоговых и цифровых интегральных схем на основе дискретного одноэлектронного туннелирования // Микроэлектроника. – 1987. – Т.16, вып. 3. – С. 195-209.

17. Рамбиди Н. Г. Нанотехнологии и молекулярные компьютеры. – М.: Физматлит, 2007. – 256 с.

18. Валиев К., Орликовский А. Кремниевый нанотранзистор сохраняет свои позиции // ЭЛЕКТРОНИКА: Наука, Технология, Бизнес, № 3, 2004, С. 46-49.

19. Щука А. А. Электроника. – СПб.: БХВ-Петербург, 2005. – 800 с.

20 Головин Ю. И. Введение в нанотехнику. – М.: Машиностроение, 2007. – 496 с.

21. Интегрированные транзисторы CMOS tri-gate. Подготовка к созданию технологий будущего поколения // Компьютер Пресс, № 10, 2006 / Электронный ресурс: http://www.compress.ru.

22. Электронный ресурс: http://www.intel.com/technology/

Список к теме 2.2
«Гетероструктурные транзисторы
и транзисторы на квантовых эффектах»

1. Пасынков В.В., Чиркин Л.К. Полупроводниковые приборы. – СПб.: Лань, 2006. – 480 с.

2. Пожела Ю. К. Физика быстродействующих транзисторов. – Вильнюс: Мокслас, 1989. – 264 с.

3. Шалимова К. В. Физика полупроводников. – М.: Энергоатомиздат, 1985. – 391 с.

4. Фистуль В. И. Введение в физику полупроводников. – М.: Высш.шк., 1984. – 352 с.

5. Зи С. Физика полупроводниковых приборов: в 2-х книгах. Пер. с англ. – М.: Мир, 1984. – 456 с.

6. Александров Р. Монолитные интегральные схемы СВЧ: взгляд изнутри // Компоненты и технологии, № 9, 2005.

7. Duh K.H.G.> Pospirszalski M.W., Koop W.F. et al. Ultra-low-noise cryogenic high-electron-mobility transistors // IEEE Trans. Electron Dev. 1988. Vol. ED-35, № 3, P.249–256.

8. M. Rudolph, R. Doerner. Key Issues of Compact Models for GaAs Heterojunction Bipolar Transistors // IEEE Transaction, 2005.

9. Lee K., Shur M., Drummond T. J. et al. Charge control modeling of inverted GaAs-GaAs modulation doped FET’s (MO FET’s) // J. Vac. Sci. Technol. 1986. Vol. 82, № 1. P.113-116.

10. Mizutani T., Fujita S., Yanagava F. Complimentary circuit with AlGaAs/GaAs heterostructure MISFETs employing high-mobility-ttwo-dimensional electron and hole gases // Electron. Lett. 1985, Vol. 21, № 23, P.1116-1117.

11. Solomon P. M., Morkoc H. Modulation-doped GaAs/AlGaAs heterojunction field-effect transistors (MODFET's), ultrahigh-speed device for supercomputers // IEEE Trans. Electron Dev. 1984. Vol. ED-31, N 8. P. 1015-1027.

12. Dingle R. New high-speed III- V devices for integrated circuits // IEEE Trans. Electron Dev. 1984. Vol. ED-31, N 11. P. 1662-1667.

13. Кальфа А.А., Тагер А. С. Гетероструктуры с селективным легировнием и их применение // Многослойные полупроводниковые структуры и сверхрешетки. – Горький, Институт прикладной физики АН СССР, 1984. С.104-131.

14. Гергель В. А., Мокеров В. Г., Тимофеев М. В. Квантово-механические особенности эффекта поля в гетеротранзисторах с модуляционным и δ-легированим // Физика и техника полупроводников, 2000, т.34, вып.2, С.234–238.

15. Алексеев А. Н., Александров С. Б., Бырназ А. Э. И др. Многослойные гетероструктуры AlN/(Al,Ga)N/GaN/(Al,Ga)N для мощных полевых транзисторов, полученные аммиачной молекулярно-лучевой эпитаксией // Письма в журнал технической физики. – 2005. - Т.31, - Вып. 20, - С. 19-27.

16. Александров С. Б., Алексеев А. Н., Бырназ А. Э. и др. Многослойные AlN/(Al,Ga)N/GaN/(Al,Ga)N гетероструктуры с каналом на основе квантовой ямы для мощных полевых транзисторов // Наноструктуры: Физика и Технология, - 2006. – С. 246.

17. Kaminska E., Piotrowska1 A., Szczesny A. et al. Thermally stable Ru-Si-O gate electrode for AlGaN/GaN HEMT // Phys. Stat. Sol.2, 2005, No. 3, 1060–1064.

18. Основы наноэлектроники: учебное пособие / В.А. Гридчин, В. П. Драгунов, И.Г. Неизвестный. – М.: Физматкнига, 2006. – 496 c.

19. Физический энциклопедический словарь. – М.: Сов.энциклопедия, 1983. – 928 с.

20-35к. Frensley W. R. Quantum transport calculation of the small-signal response of a resonant tunneling diode // Appl. Phys. Lett. 1987. Vol. 51, N 6. P. 448-450.

21-27к. Sollner Т. С L. G., Goodhue W.D., Tannenwald P. E. et al. Resonant tunneling through quantum wells at frequencies up to 2.5 THz // Appl.. Phys. Lett. 1983. Vol. 43, N 6. P. 588-590.

22. Sollner Т. С L. G., Brown E. R., Goodhue W. D. Microwave and millimeter-wave resonant tunneling diodes // Picosecond Electronics and Optoelectronics Tech. Digest, 87-1 (Optical Society of America, Washington, D. С 1987). P. 143-145.

23. Brown E. R., Sollner Т. С L. G., Goodhue W. D. et al. Fundamental oscillations up to 200 GHz in a resonant-tunneling diode // Device Research Conference, Santa Barbara, USA, 1987.

24. Inata Т., Muto S., Nakata Y. et al. A pseudomorphic In_0,53Ga_0,47As/AlAs resonant tunneling barrier with a peak-to-valley current ratio of 14 at room temperature // Jap. J. AdpI. Phys. 1987. Vol. 26, N 8. P. L1332-L1334.

25. Казаринов Р. Ф., Сурис Р. А. К теории электрических и электромагнитных свойств полупроводников со сверхрешеткой // ФТП. 1972. Т. 6, вып. 1. С. 148-162.

26. Capasso F., Mohammed К., Cho A. Y. Electronic transport and depletion of quantum wells by tunneling through deep levels in semiconductor superlattice // Phys. Rev. Lett. 1986. Vol. 57, N 18. P. 2303-2306.

27. Кениг Ю., Шеллер Х., Шен Г. Резонансное туннелирование через одноэлектронный транзистор (доклад на конференции «Мезоскопические и сильнокоррелированные электронные системы», Черноголовка–97)» УФН, 1998, С.168-170.

28. Гриняев С.Н., Разжувалов А.Н. Самосогласованный расчет туннельного тока в двухбарьерных гетероструктурах w -GaN/AlGaN (0001) // Физика и техника полупроводников, 2006, т.40, вып.6, С.695–700.

29. Yutaka Ohno, Shigeru Kishimoto, Koichi Maezawa, Takashi Mizutani Photoluminescence Study of Resonant Tunneling Transistor with p⁺/n-Junction Gate // Jpn. J. Appl. Phys., Vol.39, Part 1, No. 1, 15 January 2000, PP. 35-40.

30. Niu Jin, Sung-Yong Chung, R. M. Heyns, P. R. Berger, Ronghua Yu, Ph. E. Thompson, and S. L. Rommel, Tri-State Logic Using Vertically Integrated Si–SiGe Resonant Interband Tunneling Diodes With Double NDR // IEEE Electron Device Letters, 25, Sep. 2004, pp. 646-648.

31. Крыжановская Н.В., Егоров А.Ю., Мамутин В.В. и др. Оптические свойства гетероструктур с квантово-размерными слоями InGaAsN на подложках GaAs, излучающих в области 1,3–1,55 мкм // Физика и техника полупроводников, 2005, т.39, вып.6, С.735–740.

32. G. Scalari, N. Hoyler, M. Giovannini, and J. Faist “Terahertz bound-to-continuum quantum-cascade lasers based on optical-phonon scattering extraction,” Appl. Phys. Lett. 86, 181101-3 (2005).

33. Effects of doping on terahertz quantum-cascade lasers Benz, A.; Fasching, G.; Deutsch, C.; Andrews, A.M.; Unterrainer, K.; Klang, P.; Schrenk, W.; Strasser, G. Infrared and Millimeter Waves, 2007 and the 2007 15th International Conference on Terahertz Electronics. IRMMW-THz. Joint 32nd International Conference on Volume, Issue, 2007 P.949 – 950.]

34. Sandia's quantum mechanical transistor may increase computer speed and sensor accuracy / Электронный ресурс: http://www.sandia.gov

35. Yokoyama N., Imamura K., Muto S. et al. A new functional, resonant-tunneling hot electron transistor (RHET) // Jap. J. Appl. Phys. 1985. Vol. 24, N 11. P. L853-L854.

36. Mori Т., Ohnishi H., Imamura K. et al. Resonant tunneling hot-electron transistor with current gain of 5 // Appl. Phys. Lett. 1986. Vol. 49, N 26. P. 1779- 1780.

37. Shibatomi A., Yokoyama N. Resonant tunneling transistors // Solid State Technology. 1987. Vol. 30, N 11. P. 101-105.

38. Bonnefoi A. R., Chow D. H., McGill Т. С Inverted base-collector tunnel transistors // Appl. Phys. Lett. 1985. Vol. 47, N 8. P. 888-890.

39. Woodward T. K., McGill T. C, Chung H. F. et al. Integration of a resonant-tunneling structure with a metal–semiconductor field-effect transistor //Appl. Phys. Lett. 1987 Vol. 51, N 19. P. 1542-1544.

40. Luryi S., Capasso F. Resonant tunneling of two-dimensional electrons through a quantum wire: A negative transconductance device // Appl. Phys. Lett. 1985. Vol. 47, N 12. P. 1347-1349.