Заглавная страница Избранные статьи Случайная статья Познавательные статьи Новые добавления Обратная связь КАТЕГОРИИ: АрхеологияБиология Генетика География Информатика История Логика Маркетинг Математика Менеджмент Механика Педагогика Религия Социология Технологии Физика Философия Финансы Химия Экология ТОП 10 на сайте Приготовление дезинфицирующих растворов различной концентрацииТехника нижней прямой подачи мяча. Франко-прусская война (причины и последствия) Организация работы процедурного кабинета Смысловое и механическое запоминание, их место и роль в усвоении знаний Коммуникативные барьеры и пути их преодоления Обработка изделий медицинского назначения многократного применения Образцы текста публицистического стиля Четыре типа изменения баланса Задачи с ответами для Всероссийской олимпиады по праву Мы поможем в написании ваших работ! ЗНАЕТЕ ЛИ ВЫ?
Влияние общества на человека
Приготовление дезинфицирующих растворов различной концентрации Практические работы по географии для 6 класса Организация работы процедурного кабинета Изменения в неживой природе осенью Уборка процедурного кабинета Сольфеджио. Все правила по сольфеджио Балочные системы. Определение реакций опор и моментов защемления |
Туннельный диод. Обращенный диод.
В основу работы диода положен туннельный эффект. Концентрация примесей 1021 см-3, поэтому диод имеет очень узкий р-n переход. Уровень Ферми смещается в р -области в валентную зону, в n -области – в зону проводимости. Энергетические зоны перекрываются, носители переходят в другую энергетическую зону, оставаясь там основными, без затраты дополнительной энергии, поэтому диоды малоинерционны. диоды обладают температурной стабильностью и противорадиационной устойчивостью. *Вах приведена на рис пунктиром. Аб-участок отрицательного сопротивления. Туннельный эффект имеет место при обратном и небольшом прямом напряжениях, участок г0аб. бв – диффузия. Применяются для усиления, генерации, преобразования сигнала.*Обращенные диоды – это диоды с концентрацией примесей (1019 см-3) меньше, чем у туннельных. Энергетические уровни не перекрываются, уровень Ферми совпадает с потолком валентной зоны р -области и дном зоны проводимости n -области, и туннельный эффект сохраняется только при обратном напряжении. Вах сплошной линией.0г -туннельный эффект, а 0бв – диффузия.Испол для индикации и детектирования слабых сигналов, в детекторах. Контакт металл-полупроводник. Диод Шоттки. В основе работы диода Шоттки используется выпрямляющий контакт ме-п\п-ник, кот изготавливается из качественного кремния с молибденом, нихромом, золотом, платиной или алюминием. (для изготовления контакта используют сложную структуру, состоящую из слоев: полупроводника с низким и выс уровнем легирования и металла. Причём металл выбирается так, чтобы контакт имел миним контактную разность потенциалов jк.)Особенности диода Шоттки:а) работает на основных носителях, отсутствует инжекция неосновных носителей, диффузионная емкость около нуля, выше быстродействие, так как оно определяется только барьерной емкостью;б) прямое напряжение меньше, чем у выпрямительных диодов;в) прямая ветвь вах строго экспоненциальная;г) имеет меньше разброс параметров; д)большая надежность и выс удароустойчивость;е)теплоотводящие свва. Классификация транзисторов. Транзисторы-п\проводниковые приборы, способные усиливать электрическую мощность, имеющие три или более выводов, один или более p-n переходов. Они предназначены для усиления, генерирования и преобразования электрических колебаний. Классификация: а) по устройству и принципу действия:1)Биполярные (с инжекцией)А.Триод(дрейфовый и без)Б.Однопереходные структуры ВФототранзистор
г.Тиристор 2)Униполярные(без инжекции)-С управляющим p-n переходом -С изолированным затвором б) по максимально допустимой мощности, рассеиваемой на коллекторе: малой средней большой мощности;в) по граничной частоте в каждой из указанных групп по мощности: низко– средне– высоко– сверхвысокочастотные;г) по конструкции и технологии изготовления:– сплавные плоскостные транзисторы;– плоскостные с диффузионной базой;– мезатранзисторы;– планарные;– эпитаксиально-планарные и т.д.; д) по материалу изготовления:– кремниевые, германиевые, арсенид галлиевые; е) по взаимному расположению областей проводимости: n-p-n и p-n-p
|
||||||||
Последнее изменение этой страницы: 2017-01-27; просмотров: 151; Нарушение авторского права страницы; Мы поможем в написании вашей работы! infopedia.su Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав. Обратная связь - 3.144.16.254 (0.006 с.) |