Градуировка горизонтальной и вертикальной осей электроннолучевой трубки.

Включить осциллограф в сеть и дать ему прогреться в течение 5 – 10 мин. Подготовить осциллограф к работе: отключить внутреннюю развёртку, добиться чёткого изображения пятна в центре экрана.

С помощью ключа S1 подключить образцовый конденсатор известной ёмкости C₀₁. Подать на измерительную схему питание от G1 и по вольтметру PV1 установить напряжение U₁, равное 120 В.

Ручкой «Горизонтальное усиление» развернуть луч на экране осциллографа на 4 деления (считая от центра в одну сторону), которым соответствует амплитуда приложенного напряжения.

В дальнейшем ручку «Горизонтальное усиление» не трогать!

Ручкой «Вертикальное усиление» развернуть луч на 4 деления (считая от центра в одну сторону), которым соответствует амплитуда напряжения на конденсаторе C₀₂.

В дальнейшем ручку «Вертикальное усиление» не трогать!­_­

 

4.3.2. Получение зависимостей зарядов конденсаторов С₀₁ и С_х от напряжения на экране осциллографа

При напряжении, равном 120 В, получить на экране наклонную прямую, соответствующую зависимости заряда конденсатора С₀₁ от приложенного напряжения. Зарисовать изображение.

С помощью ключа S1 подключить к схеме сегнетоэлектрический конденсатор С_х и зарисовать получившееся изображение петли диэлектрического гистерезиса.

 

Получение семейства петель гистерезиса

Изменяя напряжение генератора G1 и фиксируя его через каждые 0,5 дел. по горизонтальной оси на экране осциллографа (от нуля до максимального значения), снять семейство петель гистерезиса. Петли гистерезиса с экрана осциллографа зарисовать на кальку. Измерить координаты вершин петель гистерезиса при различных напряжениях генератора G1 и данные занести в табл. 4.1.

-28-

 

Таблица 4.1

X, дел.	U1 max, В	E1 max, МВ/м	Y, дел.	Qx, Кл	Cст, Ф	εст

 

 

Исследование эффективной диэлектрической проницаемости сегнетоэлектриков

Увеличивая напряжение U₁ на выходе генератора G1 через 10 В от нуля до максимального значения, с помощью милливольтметра измерить падение напряжения на эталонном конденсаторе С₀₂. Данные занести в табл.4.2.

 

Таблица 4.2

 

U1, В	Е1, МВ/м	U3, мВ	Cэфф, Ф	εэфф

 

Исследование реверсивной диэлектрической проницаемости сегнетоэлектриков

По вольтметру PV1 установить значение на выходе генератора G1, равное 10 В. Переключателем S3 включить генератор напряжения G2. Данные занести в табл. 4.3.

Таблица 4.3

 

U2, B	E2­, МВ/м	= 10 B =…МВ/м	= 25 B =…МВ/м
, В	, Ф		, В	, Ф

 

Повторить измерения при значении напряжения на выходе генератора G1, равном 25 В.,

Выключить генератор G2.

 

Снятие температурной зависимости диэлектрической проницаемости в слабом электрическом поле

Для измерения переменного напряжения на конденсаторе С₀₂ включить милливольтметр. Установить по вольтметру PV1 напряжение U₁, равное 5 В.

Включить термостат. Для этого переключатель S4 перевести в положение Т (переключатель «Уст. температуры» должен находиться в крайнем левом положении). После стабилизации температуры (через 2 – 3 мин.) записать в

-29-

 

табл. 4.4 значения температуры (Т) и напряжения на конденсаторе С₀₂(U₃), измеряемое милливольтметром. Перевести переключатель «Уст. температуры» в следующее положение и повторить измерения. Далее продолжить измерения при всех положениях переключателя «Уст. температуры».

Таблица 4.4

U1, B	T, ºC	U3, мВ	Сэф, Ф	εнач

 

После снятия температурной зависимости диэлектрической проницаемости переключатель «Уст. температуры» вернуть в крайнее левое положение, выключить термостат (переключатель S4 в положение U=), осциллограф и макет.

 

4.4. ОБРАБОТКА РЕЗУЛЬТАТОВ

 

4.4.1. Вычисление масштаба горизонтальной и вертикальной осей электроннолучевой трубки осциллографа производится по формулам:

 

где U_1max – амплитудное значение приложенного напряжения;

U₁ – действующее значение напряжения, установленное по вольтметру PV1;

x – отклонение по горизонтальной оси.

 

где Q – заряд на обкладках конденсатора c₀₂;

– напряжение на конденсаторе c₀₂;

y – отклонение по вертикальной оси;

c₀₁ = 0,01 мкФ; c₀₂ =1,0 мкФ.