Исследование полевого транзистора управляемого р-п переходом и каналом п-типа кп303и.

2.1 Определите напряжение отсечки U_ОТС транзистора. Для этого:

2.1.1 Установите перемычку J1 в положение 1.

2.1.2 Установите тумблер К4 в положение «+», тумблер К5 в положение «−».

2.1.3 Установите тумблер К1 в положение «U».

2.1.4 Потенциометром R1 установите стоковое напряжение U_СИ=10 В.

2.1.5 Установите тумблер К1 в положение «U_R».

2.1.6 Установите тумблер К2 в положение «U».

2.1.7 Потенциометром R2 изменяйте напряжение на затворе U_3И от 0 В до тех пор, пока ток стока транзистора I_C по данным вольтметра V1 не станет равным 0. При этом показания вольтметра V2 будут соответствовать искомому напряжению отсечки транзистора U_ОТС. Сравните полученное напряжение со справочными данными.

2.2 Для снятия статических характеристик транзистора:

2.2.1 Установите перемычку J1 в положение 1.

2.2.2 Установите тумблер К4 в положение «+», К5 в положение «−».

2.2.3 Установите тумблер К2 в положение «U».

2.2.4 Потенциометром R2 установите требуемое напряжение на затворе U_3И согласно табл. 4.1 (например, −0,25 В).

2.2.5 Установите тумблер К1 в положение «U».

2.2.6 Потенциометром R1 установите требуемое стоковое напряжение U_СИ согласно табл. 4.1 (например, 0,5 В).

2.2.7 Установите тумблер К1 в положение «U_R». При этом вольтметр V1 покажет напряжение, которое соответствует стоковому току в [мА], протекающему через сток транзистора уменьшенному в 10 раз. Если значение этого напряжения в [В] увеличить в 10 раз, то оно будет соответствовать значению стокового тока в [мА], поскольку сопротивление измерительного резистора R3 в этом случае равно 100 Ом. Полученный результат измерения коллекторного тока занесите в таблицу 4.1 (в данном примере на пересечении колонки −0,25 В и строки 0,5 В).

2.2.8 Повторите действия согласно п.2.2.4…2.2.7 для последующих значений стокового напряжения U_СИ и напряжения на затворе U_3И согласно табл.4.1.

2.2.9 Постройте семейство выходных характеристик при фиксированных значениях напряжения на затворе U_3И. Графически из этих характеристик найти выходное сопротивление при U_ЗИ =0 и U_ЗИ =−0,5 В.

2.2.10 Постройте семейство передаточных характеристик при фиксированных значениях напряжения U_СИ. Из этих характеристик графически найти крутизну при U_CИ =0,5 В и 10 В. Аппроксимируя графики переходных характеристик до значения I_C =0 определить напряжение отсечки U_ЗИотс. По данным характеристикам определить величину начального тока стока I_Снач при U_CИ =0,5 В и 10 В и напряжении U_ЗИ =0 В.

3. Сделать выводы по работе, в которых поясните различие в передаточных характеристиках разных типов униполярных транзисторов.

 

Таблица 4.1 Статические характеристики полевого транзистора управляемого

р-переходом и каналом п-типа КТ303И

 

Ток I_С = 10*U_R, мА

UСИ, В	UЗИ, В
	-0,25	-0,5	-0,75	-1
0,5
1,5

 

В табл.4.2 приведены основные параметры исследуемых униполярных транзисторов.

 

Таблица 4.2 Основные параметры исследуемых униполярных транзисторов

Транзистор	Тип	IСнач, мА	S, мА/В	UЗИотс, В	UЗИмах, В	UСИмах, В	IСмах, мА	Рмах, мВт
КП303И	р-п переход, п-канал	1,5-5,0	2-6	−0,5… −2,0
КП306А	Изолированный затвор, встроенный п-канал	−	2-8	−0,5… −3,0	±20
КП301Б	Изолированный затвор, индуцированный р-канал	5·10^−4	1,0-2,6	2,7-5,4 (UЗИпор)

 

 

Контрольные вопросы

 

1. Нарисуйте схематическую конструкцию полевого транзистора с р-п переходом. Объясните принцип его действия.

2. Нарисуйте схематическую конструкцию МДП-транзистора с изолированным затвором и индуцированным каналом. Объясните принцип его действия.

3. Нарисуйте схематическую конструкцию МДП-транзистора с изолированным затвором и встроенным каналом. Объясните принцип его действия.

4. Приведите систему обозначений униполярных транзисторов.

5. Что такое ток и напряжение насыщения? Напряжение отсечки?

6. Нарисуйте и объясните выходную характеристику полевого транзистора.

7. Нарисуйте и объясните переходную характеристику полевого транзистора.

8. Охарактеризуйте малосигнальные параметры униполярных транзисторов.

9. Как определить крутизну и внутреннее сопротивление по статическим характеристикам униполярного транзистора в схеме с общим истоком?

10. Приведите классификацию униполярных транзисторов.

 

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА № 5