Привести схему устройства материнской платы с указанием размещенных на ней элементов (мануальная схема материнской платы)?



Мы поможем в написании ваших работ!


Мы поможем в написании ваших работ!



Мы поможем в написании ваших работ!


ЗНАЕТЕ ЛИ ВЫ?

Привести схему устройства материнской платы с указанием размещенных на ней элементов (мануальная схема материнской платы)?



Привести таблицу с форм-факторами материнской платы?

Форм-факторы материнских плат и размеры (mm) - в этой справочной таблице содержатся данные о форм-факторах и размерах материнских плат как производимых в настоящее время, так и находящихся в разработке и снятых с производства.


3. Конструкция модулей ОП (таблица,рисунок),краткая характеристика модуля: SIMM,DIMM, DIMM DDR1,DDR2,DDR3,DDR4?

Назначение контактов модуля SIMM:

Назначение контактов модуля
Название Описание
Vcc Напряжение питания +5 В
CAS# Строб адреса столбца
DQ0 Линия данных 0
A0 Адресная линия 0
A1 Адресная линия 1
DQ1 Линия данных 1
A2 Адресная линия 2
A3 Адресная линия 3
GND Общий
DQ2 Линия данных 2
A4 Адресная линия 4
A5 Адресная линия 5
DQ3 Линия данных 3
A6 Адресная линия 6
A7 Адресная линия 7
DQ4 Линия данных 4
A8 Адресная линия 8
A9 Адресная линия 9
A10 Адресная линия 10
DQ5 Линия данных 5
WE# Запись данных
GND Общий
DQ6 Линия данных 6
A11 Адресная линия 11
DQ7 Линия данных 7
QP Линия данных 9 (контроль четности, выход)
RAS# Строб адреса строки
CASP# Строб адреса столбца четности
DP Линия данных 9 (контроль четности, вход)
Vcc Напряжение питания +5 В

SIMM (Односторонний модуль памяти) — модули памяти с однорядным расположением контактов, широко применявшиеся в компьютерных системах в 1990-е годы. Стандарты SIMM описаны в сборнике JEDEC JESD-21C. Имели несколько модификаций.

 

DIMM (Двухсторонний модуль памяти) — форм-фактор модулей памяти DRAM. Данный форм-фактор пришёл на смену форм-фактору SIMM. Основным отличием DIMM от предшественника является то, что контакты, расположенные на разных сторонах модуля, являются независимыми, в отличие от SIMM, где симметричные контакты, расположенные на разных сторонах модуля, замкнуты между собой и передают одни и те же сигналы. Кроме того, DIMM реализует функцию обнаружения и исправления ошибок в 64 (без контроля чётности) или 72 (с контролем по чётности или кодуECC) линиях передачи данных, в отличие от SIMM c 32 линиями.

 

DDR SDRAM — синхронная динамическая память с произвольным доступом и удвоенной скоростью передачи данных) — тип компьютерной памяти, используемой в вычислительной технике в качестве оперативной и видеопамяти. Пришла на смену памяти типа SDRAM.

 

DDR2 SDRAM— синхронная динамическая память с произвольным доступом и удвоенной скоростью передачи данных, второе поколение) — это тип оперативной памяти, используемой в вычислительной технике в качестве оперативной и видеопамяти. Пришла на смену памяти DDR SDRAM.

В 2010-х была в значительной степени вытеснена памятью стандарта DDR3.

 

 

DDR3 SDRAM — синхронная динамическая память с произвольным доступом и удвоенной скоростью передачи данных, третье поколение) — это тип оперативной памяти, используемой в вычислительной технике в качестве оперативной и видеопамяти. Пришла на смену памяти типа DDR2 SDRAM, увеличив размер предподкачки с 4 бит до 8 бит.

DDR3 уменьшено потребление энергии по сравнению с модулями DDR2, что обусловлено пониженным (1,5 В, по сравнению с 1,8 В для DDR2 и 2,5 В для DDR) напряжением питания ячеек памяти. Снижение напряжения питания достигается за счёт использования более тонкого техпроцесса (в начале 90-нм, в дальнейшем 65, 50, 40 нм) при производстве микросхем и применения транзисторов с двойным затвором Dual-gate (что способствует снижению токов утечки).

Существуют вариант памяти DDR3L (L означает Low) с ещё более пониженным энергопотреблением до 1,35 В. Это меньше традиционных для DDR3 полутора вольт на 10 %.

DDR4 SDRAM— новый тип оперативной памяти, являющийся эволюционным развитием предыдущих поколений DDR (DDR, DDR2, DDR3). Отличается повышенными частотными характеристиками и пониженным напряжением питания.

Основное отличие DDR4 заключается в удвоенном до 16 числе банков, что позволило вдвое увеличить скорость передачи — до 3,2 Гбит / с. Пропускная способность памяти DDR4 достигает 34,1 ГБ / c (в случае максимальной эффективной частоты 4 266 МГц, определённой спецификациями). Кроме того, повышена надёжность работы за счёт введения механизма контроля чётности на шинах адреса и команд. Будет поддерживать эффективные частоты от 2 133 до 4 266 МГц.

 



Последнее изменение этой страницы: 2016-04-21; Нарушение авторского права страницы; Мы поможем в написании вашей работы!

infopedia.su Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав. Обратная связь - 18.206.76.226 (0.004 с.)