Рейтинговый контроль по курсу пто

Рейтинговый контроль по курсу ПТО

Студент: Разакова АА Группа:МТ11-82Б Дата: 20 апреля 2020

Теоретическая часть

Вопрос:Перечислите основные этапы (с пояснениями к ним) процесса разделениия полупроводниковых подложек на круглые диски-кристаллы. Какие материалы используются для маскирования подложек. В чем преимущества круглых полупроводниковых дисков-кристаллов по сравнению с прямоугольными.

Ответ:

1) Наиболее перспективным для промышленного производства дисков-кристаллов из пакетированных пластин является метод маскирования и пескоструйной резки, позволяющей получить круглый диск-кристалл. Ниже перечислены основные этапы процесса:

· Резка полимерной плёнки на плоттере

· Наклеивание скотча (монтажной ленты) на полученный трафарет со стороны полимерной составляющей плёнки, последующее удаление бумажной основы плёнки (для доступа к слою акрилового клея);

· наклейка трафарета на кремниевую полупроводниковую подложку слоем акрилового клея к подложке (предварительно подложка должна быть промаскирована сплошным слоем RMS-клея толщиной до 30 мкм по технологии склейки пластины со стеклянной подложкой);

· удаление скотча вместе с перемычками трафарета между дисками, прокатка валиком маскирующих дисков на подложке;

· сушка акрилового клея в соединении защитных дисков с подложкой в термической вакуумной камере под нагрузкой;

· Абразивная резка. Резка происходит и после прорезки пластины для получения вертикальных краев кристаллов.

· размывка подложки с дисками в растворителе (ацетоне) в течении 1 минуты и промывка в ионизированной воде с удалением защитной плёнки и акрилового клея с кристаллов; аналогичная повторная операция по отделению полупроводниковых кристаллов от стеклянной пластины;

· контроль-сортировка кристаллов по размерам и дефектности формы.

2) В качестве маскирующего покрытия могут применяться Ацеталь полимеризат «Хостафен», Сталь АРМКО (Ст.12), ПВХ- пленка самоклеющаяся, колондированная и другие материалы.

3) Наличие прямых углов в контуре является причиной ухудшения характеристик диодов из-за концентрации в углах электрических зарядов.

Оптимальная форма полупроводниковых элементов для современных диодов – круглый диск-кристалл, весьма удобный для последующей герметизации.

Практическая часть

Предложите и рассчитайте основные параметры ВЗУ (чашу и пружины привода) для детали, если требуется обеспечить производительность загрузки Q=90 .

Заготовка - ось диаметром d3 = 6 мм и длиной l= 28 мм. Материал – Сталь 3. Масса 13 г. Ориентацию ** необходимо производить в процессе подачи их по лотку. Принимаем частоту колебаний лотка .

1. Определим требуемую скорость перемещения заготовок:

Принимаем коэффициент заполнения потока  = 1.8. Так как ориентация заготовок осуществляется в процессе подачи их по лотку, часть заготовок будет возвращаться обратно в бункер.

2. Определим параметры чаши бункера:

Диаметр чаши D = (

Примем D =500 мм по ГОСТ 20795-75.

Шаг спирали  = , где =2 мм – толщина стенки дорожки. Примем

Высота чашки

Ширина лотка до бортика

Ширина лотка с бортиком

Лоток имеет наклон  к центру бункера для того, чтобы заготовка перемещалась в один ***

3. Определим угол подъема лотка:

Познавательные статьи:



Техника нижней прямой подачи мяча

Комплекс физических упражнений для развития мышц плечевого пояса

Стандарт Порядок надевания противочумного костюма

Общеразвивающие упражнения без предметов