Патентный поиск по теме диплома

1. ПАТЕНТНЫЕ ИССЛЕДОВАНИЯ

 

Таблица1- Патентные исследования

Основные технические данные для поиска	Страны	Класс МКИ  или УДК	Что и за какой период просмотрено
Методы присоединения кристаллов	США Германия Франция Великобритания Швеция Япония РБ	УДК 621.382.002.5:621.793.3(088.87) УДК 621.315.592:546.681¢18(088.8) УДК 539.216.2 МПК: H01L21/52, Н 01 L 23/48, B23K3/00, B23K101:40, В 23 К 1/12	Патенты РФ с 1980 по 2012. Авт. свид. СССР с 1988 по 1991. Патенты США с 2000 по 2012. Изобретения стран мира  с 2000 по 2011 г. Афiцыйны бiлютэнь  с 2000 по 2013 г.

 

 

Таблица 2- Патентные исследования

№№, названия выявленных аналогов	Анализ технических решений, темы. Выводы и рекомендации
Патент RU №2118585 МПК: B23K3/00, B23K101:40, H01L21/00 Дата публикации: 10.09.1998	Способ монтажа деталей полупроводникового прибора к основанию, отличающийся тем, что поверхность металлического основания под кристаллом выполняют ребристой с одинаковыми направлениями ребер, а на поверхности основания, вне расположения кристалла, формируют пуклевку.
Способ бессвинцовой пайки полупроводникового кристалла Патент RU №2278444 МПК: H01L21/52 Дата публикации: 20.06.2006	Способ бессвинцовистой пайки полупроводникового кристалла к корпусу, включающий нанесение цинка на паяемую поверхность кристалла и пайку к основанию корпуса, покрытому оловом, отличающийся тем, что на пленку цинка дополнительно наносят оловянно-висмутовое покрытие с содержанием висмута 0,4-0,9%.
Способ монтажа кристаллов больших размеров в корпуса Патент RU №2212730 МПК: H01L21/52 Дата публикации: 20.09.2003	Способ монтажа полупроводниковых кристаллов больших размеров в корпуса, отличающийся тем, что на алюминий на коллекторной стороне кристалла наносят цинк, а пайку осуществляют к основанию корпуса, покрытому оловом, при этом толщины слоев цинка и олова выбирают из условия получения необходимой толщины паяного шва и образования эвтектического сплава цинк-олово.
Способ посадки кремниевого кристалла Патент RU №2359360 МПК: H01L21/58 Дата публикации: 20.06.2009	В способе посадки кремниевого кристалла на основание корпуса последовательно напыляют в едином технологическом цикле на посадочную поверхность кремниевого кристалла три металла: хром-никель-серебро (Cr-Ni-Ag), а пайку кристаллов к основанию корпуса проводят при температуре 300-320°С в течение 3-5 с. Техническим результатом изобретения является повышение надежности контакта кристалла с основанием корпуса и стабильности процесса присоединения.
Способ сборки полупроводниковых приборов Патент RU №2387045 МПК: H01L21/58 Дата публикации: 20.04.2010	Способ сборки полупроводниковых приборов, предусматривающий пайку кристаллов к корпусам, для осуществления которой используют инструмент, состоящий из двух электродов, разделенных изолятором, в изоляторе имеется трубка для соединения с вакуумной системой, а в боковой верхней части инструмента расположена втулка для подключения к компрессору для подачи защитного газа в зону пайки, в инструменте на высоте Н от рабочей площадки электродов расположены радиальные отверстия для выхода газа из зоны пайки.
Способ присоединения кристалла ИС. Патент США, № 4772935,  МПК Н 01 L 21/58, опубл.. НКИ 357/71. Дата публикации: 20.09.1988	Процесс монтажа кремниевого кристалла на плату (рамку), обеспечивающий качественный сплошной шов без отслаивания и предотвращающий паразитную диффузию кремния, что достигается путем формирования на обратной стороне кристалла многослойной структуры Ti/W/Au в которой Ti выполняет роль материала, повышающего адгезию барьерного W, а Au обеспечивает сварку с эвтектическим сплавом при температуре 305^0С. Tолщины Ti, W, Au составляют 50, 50, 500 нм соответственно.
Способ сборки кристаллов Заявка 60-121731, Япония, МПК Н 01 L 21/58. Дата публикации: 29.06.1985.	Предлагается способ сборки кристаллов в керамический корпус. В последнем изготавливают углубление, поверхность которого покрывается слоем серебра. Затем в центре углубления крепят полупроводниковый кристалл с использованием сплава на основе свинца, содержащего 3-10 мас%In и 2-5мас% As. Использование припоя Pb-In-As снижает стоимость приборов в целом.
Метод сборки полупроводникового прибора в корпус. Патент США №4631805, МПК Н 01 L 23/48 Дата публикации: 30.12.1986.	Кристалл прибора, на обратной стороне которого предварительно формируется Ti/Ni/Ag-композиция, монтируется на кристаллодержатель с помощью специального припоя, содержащего 61-69%Sn, 8-11%Sb, 23-28%Ag, что обеспечивает низкоомный омический контакт кристалла к кристаллодержателю и качественный теплоотвод. Формирование проволочного монтажа между электродами прибора и выводами корпуса осуществляется с помощью медной проволоки методом УЗ-приварки.
Способ присоединения кристалла к основанию корпуса. Патент США №4826070  МКИ В 23 К 31/00/   Дата публикации: 02.05.1989	Предлагается способ присоединения кристалла GaAs-ПТШ, позволяющий устранить образование раковин в припое и на границе раздела припой/кристалл, и уменьшить тепловое сопротивление сборки. Предварительно под электродом истока ПТШ с обратной стороны подложки создается сквозное отверстие. На внутреннюю поверхность отверстия и обратной стороны подложки осаждается слой металла. Затем на основание корпуса наноситься припой состава 80% Au и 20% Sn и на нем располагается кристалл. Процесс пайки проводиться в вакуумной камере в два этапа: дегазация припоя при нагревании корпуса до 150^0С в течение 15 мин и непосредственно пайка при температуре 280^0С в течение 3-5мин.
Способ пайки. Патент США №4927069, МПК В 23 К 1/12. Дата публикации: 22.05.1990	Способ монтажа кристаллов полупроводниковых приборов на многокадровую выводную рамку с помощью припоя, позволяющего уменьшить тепловое сопротивление соединения. Посадка кристалла производиться после нагрева рамки с локально нанесенными слоями флюса и припоя до температуры активации флюса 240^0С с последующей выдержкой в течение 20 с при температуре 290^0С с приложением механической нагрузки на кристалл в конце этой выдержки и процессе охлаждения припоя.

 

 

2. НАУЧНО-ТЕХНИЧЕСКАЯ ЛИТЕРАТУРА И ТЕХНИЧЕСКАЯ

ДОКУМЕНТАЦИЯ

(указываются библиографические данные источников информации, достаточные для нахождения охарактеризованных в них аналогов)

 

 

1. http://www.belgospatent.org.by/ - Национальный центр интеллектуальной собственности.

2. http://www.fips.ru/russite – патентная база Российского патентного ведомства.

3. http://www.google.ru/patents – патентная база Европейской патентной организации и патентного бюро США.