Заглавная страница Избранные статьи Случайная статья Познавательные статьи Новые добавления Обратная связь FAQ Написать работу КАТЕГОРИИ: ТОП 10 на сайте Приготовление дезинфицирующих растворов различной концентрацииТехника нижней прямой подачи мяча. Франко-прусская война (причины и последствия) Организация работы процедурного кабинета Смысловое и механическое запоминание, их место и роль в усвоении знаний Коммуникативные барьеры и пути их преодоления Обработка изделий медицинского назначения многократного применения Образцы текста публицистического стиля Четыре типа изменения баланса Задачи с ответами для Всероссийской олимпиады по праву
Мы поможем в написании ваших работ! ЗНАЕТЕ ЛИ ВЫ?
Влияние общества на человека
Приготовление дезинфицирующих растворов различной концентрации Практические работы по географии для 6 класса Организация работы процедурного кабинета Изменения в неживой природе осенью Уборка процедурного кабинета Сольфеджио. Все правила по сольфеджио Балочные системы. Определение реакций опор и моментов защемления |
Основные параметры транзистораСодержание книги Поиск на нашем сайте
1) Коэффициент усиления по току: 2) Коэффициент усиления по напряжению: 3) Коэффициент усиления по мощности: 4) Входное сопротивление: 5) Выходное сопротивление: Транзистор может работать как усилитель в трех основных схемах включения:
Схемы с общей(им): базой (ОБ), эмиттером (ОЭ), коллектором (ОК), соответственно. Чаще используют схему с общим эмиттером. Транзистор является активным нелинейным элементом, параметры которого зависят от тока, напряжения, температуры и частоты.
Он называется активным четырехполюсником. В этом случае транзистор рассматривают как линейный элемент. Это допущение справедливо при расчете с малыми сигналами. Отсюда параметры транзистора называются малосигнальными. Транзистор как четырехполюсник можно описать с помощью четырех параметров. Они называются h параметрами или Y параметрами. Значения h и Y параметров зависят от рабочей точки и частоты. Эти значения можно найти в справочниках. Четырехполюсник h-типа – это четырехполюсник, параметры которого определяются при условии короткого замыкания на входе и холостого хода на выходе. Для высокочастотных схем используются эквивалентные схемы с Y-параметрами. Рассмотрим схемы с ОБ, ОЭ и ОК. 1) С общим эмиттером. Является наиболее распространенной схемой, так как дает наибольшее усиление по мощности. Коэффициент усиления по току такого каскада представляет собой отношение амплитуд или действующих значений выходного и входного переменного тока, то есть переменных составляющих тока коллектора и базы: Усилительные свойства транзистора при включении его по схеме с общим эмиттером характеризует один из главных его параметров статистический коэффициент усиления по току (коэффициент передачи тока – β): Коэффициент усиления по напряжению равен отношению амплитудных или действующих значений выходного и входного напряжения. Входное в данном случае – переменное напряжение база – эмиттер, а выходное напряжение – напряжение коллектор – эмиттер.: Коэффициент усиления по мощности равен отношению выходной мощности к входной. Каждая из этих мощностей определяется половиной произведения соответствующих амплитуд токов и напряжений.
Важной величиной, характеризующей транзистор, является входное сопротивление: Достоинством схемы с общим эмиттером – это удобство питания ее от одного источника, так как на коллектор и базу подается напряжение одного знака. Недостатки – плохие частотные и температурные свойства. 2) Схема с общей базой (ОБ) Коэффициент усиления по току: Статистический коэффициент усиления по току α: Коэффициент усиления по напряжению: Коэффициент усиления по мощности: Входное сопротивление: 3) Схема с общим коллектором (ОК) Особенность этой схемы в том, что входное напряжение полностью передается обратно на вход, то есть очень сильна отрицательная связь. Входное напряжение равно сумме переменного напряжения база – эмиттер и выходного напряжения: Коэффициент передачи тока: Коэффициент передачи по напряжению равен отношению выходного напряжения к входному: Входное сопротивление: Транзисторы классифицируются по двум параметрам: мощности и частотным свойствам. 1) а) Маломощные: б) Средней мощности: в) Мощные: 2) а) Низкочастотные: б) Высокой частоты: в) Сверхвысокой частоты: Маркировки транзисторов: 1) Буква (для приборов общего применения) или цифра (для приборов специального применения), указывающая исходный полупроводниковый материал: Г (1) – германий; К (2) – кремний; А (3) – арсенид галлия. 2) Т – биполярный транзистор (КТ) 3) Цифра, указывающая мощность и частотные свойства транзистора.
Четвертая и пятая цифры и двузначное число – указывают порядковый номер разработки, шестая – это буква, обозначающая параметрическую группу приборов.
17.06.20 Полевой транзистор Это транзистор, управляемый электрическим полем, в котором действует один лишь вид тока, а именно созданный основными носителями (или электронами или дырками). В биполярном действуют два вида носителей. Полевые транзисторы называют канальными или униполярными. Существует две группы: 1) Транзисторы с управляющим p-n переходом; 2) Транзисторы с изолированным затвором (МДП и МОП транзисторы) По типу электропроводности транзисторы делятся на транзисторы с каналами p- и n-типа.
|
|||||||||||||||
|
Последнее изменение этой страницы: 2021-05-27; просмотров: 74; Нарушение авторского права страницы; Мы поможем в написании вашей работы! infopedia.su Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав. Обратная связь - 216.73.216.20 (0.006 с.) |
||||||||||||||||