Стоковые и стоко-затворные характеристики моп транзистора со встроенным каналом

Различие в характеристиках заключается в том,что транзисторы с p-n переходом могут ра-

ботать только в режиме обеднения (сужения) канала,а МОП тр-ры как в режиме обедне-

ния (уменьшения тока через канал),так и в режиме обогащения (увеличении тока через канал).Тр-ры с индуцированным каналом работают только в режиме обогащения.

Стоковые и стокозатворные характеристики МОП тр-ра с индуцированным каналом n -типа

Из характеристики видно,что транзисторы с индуцированным каналом могут работать как биполярные,только в режиме обогащения

Схемы включения полевого транзистора

Полевой транзистор можно включать по одной из трех основных схем: с

общим истоком (ОИ),общим стоком (ОС),общим затвором (ОЗ).

На практике чаще всего применяется схема с ОИ,аналогичная схеме на би-

полярном транзисторе с ОЭ.Каскад с общим истоком дает очень большое

усиление тока и мощности.Схема с ОЗ аналогична схеме с ОБ.Она не дает

усиления тока,и поэтому усиление мощности в ней во много раз меньше,чем

в схеме ОИ.Каскад с ОЗ обладает низким входным сопротивлением,в связи с

чем он имеет ограниченное практическое применение.

           

Схема включения с ОИ полевого транзистора с затвором в виде управляющим p- n перехода с каналом р и n типа

УГО п.тр-ра с управляющим  УГО МОП тр-ра с встроенным УГО МОП тр-ра с индуцированным

p - n переходом и каналом n (а) каналом n (в) и р (г) типа       каналом n (д) и р (е) типа

или каналом р (б)

УГО полевого транзистора с затвором в виде управляющего р- n перехода и каналом р-типа

Основные параметры полевых транзисторов

1.Входное сопротивление Rвх между затвором и истоком (определяется при

максимально допустимом напряжении между этими электродами)

R вх = Δ U зи max / Δ I з max

2.Выходное сопротивление Rвых (определяется в режиме насыщения)

R вых = Δ U с / Δ I с при U зи = const

3.Напряжение отсечки U зи отс - обратное напряжение на затворе,при котором

токопроводящий канал окажется перекрытым.

4.Крутизна характеристики S = Δ I с / Δ U зи при U зи = const

Этот параметр характеризует эффективность управляющего действия затвора

 

Важнейшие достоинства полевых транзисторов

1.Высокое входное сопротивление;

2.Малый уровень собственных шумов;

3.Высокая устойчивость против температурных и радиационных воздействий

4.Высокая плотность расположения элементов при использовании в ИМС;

Полевые транзисторы могут быть использованы в схемах малошумящих уси-

лителей, генераторов,переключателей.

 

Вопросы для самоконтроля

1.История и цель создания полевых транзисторов;

2.Какой электронный прибор называется полевым транзистором;

3.Конструкция полевого транзистора;

4.Принцип работы;

5.Как подразделяются полевые транзисторы по конструкции;

6.Конструкция и принцип работы полевого транзистора с затвором в виде

управляемого p-n перехода;

7.Конструкция и принцип работы МОП транзистора с встроенным каналом;

8.Конструкция и принцип работы транзистора с индуцированным каналом;

9.Условно-графические обозначения полевых транзисторов с управляемым р-n переходом,

МОП транзисторов с встроенным каналом и МОП тр-в с индуцированным каналом;

10.Основные параметры полевых транзисторов;

11.Основные достоинства полевых транзисторов;

12.Область применения полевых транзисторов;