Заглавная страница Избранные статьи Случайная статья Познавательные статьи Новые добавления Обратная связь КАТЕГОРИИ: АрхеологияБиология Генетика География Информатика История Логика Маркетинг Математика Менеджмент Механика Педагогика Религия Социология Технологии Физика Философия Финансы Химия Экология ТОП 10 на сайте Приготовление дезинфицирующих растворов различной концентрацииТехника нижней прямой подачи мяча. Франко-прусская война (причины и последствия) Организация работы процедурного кабинета Смысловое и механическое запоминание, их место и роль в усвоении знаний Коммуникативные барьеры и пути их преодоления Обработка изделий медицинского назначения многократного применения Образцы текста публицистического стиля Четыре типа изменения баланса Задачи с ответами для Всероссийской олимпиады по праву Мы поможем в написании ваших работ! ЗНАЕТЕ ЛИ ВЫ?
Влияние общества на человека
Приготовление дезинфицирующих растворов различной концентрации Практические работы по географии для 6 класса Организация работы процедурного кабинета Изменения в неживой природе осенью Уборка процедурного кабинета Сольфеджио. Все правила по сольфеджио Балочные системы. Определение реакций опор и моментов защемления |
Элементы полупроводниковых и совмещённых микросхем
Полупроводниковые микросхемы компактны, прочны и надёжны, однако имеют большой разброс параметров пассивных элементов и малые ёмкости конденсаторов. Совмещённые микросхемы имеют хорошие параметры элементов, однако имеют низкую автоматизацию изготовления. Все элементы полупроводниковых интегральных микросхем (ПП ИМС) основаны на транзисторной структуре. Транзисторы в полупроводниковых ИМС бывают двух типов: – МОП-транзисторы (рассмотрены ранее); – биполярные. Внешний вид биполярного транзистора: Условные графические обозначения на полупроводниковых микросхемах:
Скрытый слой в полупроводниковых ИМС необходим для уменьшения сопротивления коллектора и степени влияния подложки на параметры транзистора. Транзисторы типа n-p-n используются чаще чем p-n-p, так как обладают большим быстродействием (в них основные носители – электроны, которые обладают большей подвижностью, чем дырки). Диоды полупроводниковых ИМСпредставляют собой транзисторы в диодном включении. Внешний вид диода (К – катод, А – анод): Существует по 5 схем диодного включения биполярных и полевых транзисторов: Резисторы полупроводниковых ИМС бывают трёх типов: – на основе канала МОП-транзистора – на основе p-n перехода в обратном включении – диффузионные (на основе эмиттера, коллектора или базы транзистора). Диффузионные резисторы на основе базы и эмиттера:
Конденсаторы полупроводниковых ИМС бывают: – диффузионные (на основе p-n перехода) – используют барьерную ёмкость; – металлооксидные (на основе диэлектрика). Диффузионный конденсатор на основе эмиттерного p – n перехода:
Диффузионный конденсатор на основе коллекторного p – n перехода:
Металлооксидный конденсатор: Эпитаксиально-планарная технология изготовления интегральных микросхем
Полупроводниковые ИМС могут изготавливаться по эпитаксиально-планарной технологии. Она состоит из следующих этапов: 1) Эпитаксия. На подложке p-типа наращивают слой кремния n-типа: Этапы 2 – 7 называются «фотолитография». 2) Окисление кремния. Заготовку помещают в печь при 1250°C в атмосфере сухого кислорода, где кремний окисляется до диоксида кремния SiO2;
3) Наносят фоторезист – специальное вещество, которое меняет свои свойства под действием света: 4) На фоторезист накладывают фотошаблон (маску) с отверстиями; 5) Заготовку освещают ультрафиолетом. Участки фоторезиста под отверстиями задубливаются:
6) Маска удаляется, заготовка помещается в растворитель, где незадубленные участки фоторезиста растворяются:
7) Заготовка помещается в другой раствор, который растворяет диоксид кремния SiO2 под свободными участками: 8) Фоторезист удаляется; 9) Заготовка помещается в печь при 1120°C, где в неё диффундируют (внедряют) акцепторную примесь – бор: 10) Этапы 2 – 9 повторяют, формируя остальные полупроводниковые области:
11) Формируют алюминиевые выводы: Таким образом, получается транзисторная структура. Электронные усилители Усилитель – это устройство преобразующее энергию источника питания в электрические колебаний различной частоты, увеличивая входной сигнал в несколько раз. Классификация усилителей 1) По активным элементам: · Ламповые · Транзисторные · Диодные · На интегральных микросхемах 2) По полосе частот: · низкочастотные (НЧ) · высокочастотные (ВЧ) · сверхвысокочастотные (СВЧ) · промежуточной частоты (ПЧ) · резонансные (усиливают одну частоту и близкие к ней) 3) По типу усиливаемых сигналов: · Аналоговые · Цифровые
Структурная схема усилителя
Активный элемент – это транзистор, диод, лампа или ИМС Нагрузка бывает: - апериодической (резистор) – пропускает широкий диапазон частот; - резонансной (колебательный контур) – пропускает узкий диапазон частот.
|
|||||||||||
Последнее изменение этой страницы: 2021-02-07; просмотров: 183; Нарушение авторского права страницы; Мы поможем в написании вашей работы! infopedia.su Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав. Обратная связь - 18.118.37.240 (0.013 с.) |