Как получают частотную модуляцию?

 

Существует несколько методов получения частотно‑модулированных сигналов. Непосредственный метод заключается в изменении емкости или индуктивности резонансного контура генератора в такт с изменениями модулирующего сигнала. Примером, иллюстрирующим этот метод, служит емкостный микрофон, включенный в резонансный контур генератора. Наиболее удобная форма реализации этого метода заключается в подключении параллельно резонансному контуру реактивной схемы, реактивное сопротивление которой изменяется при изменении модулирующего сигнала. Реактивной схемой может быть лампа или транзистор, работающие по специальной схеме включения, или емкостный диод.

Примером реактивного транзистора является схема, изображенная на рис. 11.15.

 

 

Рис. 11.15. Схема реактивного транзистора

 

Для упрощения в ней опущены все блокировочные конденсаторы и цепи смещения. Характерным для этой схемы является делитель, состоящий из конденсатора С и резистора R, подобранный таким образом, чтобы выполнялось условие Хс >> R. Схема усилителя, работающего совместно с этим делителем, отличается тем, что переменное напряжение вводится извне (от генератора) в цепь коллектора и оценивается влияние этой схемы на фазе тока, протекающего под воздействием приложенного напряжения. Оказывается, что в результате фазового сдвига, вносимого конденсатором С, ток коллектора на 90 опережает напряжение на коллекторе. Подобная зависимость между напряжением и током характерна для емкости, т. е. схема ведет себя как конденсатор. Эквивалентная емкость выражается формулой Сэкв = RC / h11б и, следовательно, обратно пропорциональна h11б. Если h11б изменяется под влиянием приложенного к базе транзистора модулирующего напряжения, то изменяется и эквивалентная емкость реактивного транзистора, подключенного параллельно к резонансному контуру генератора, т. е. происходит модуляция частоты. Аналогично действует схема с емкостным диодом (рис. 11.16).

 

 

Рис. 11.16. Частотный модулятор с емкостным диодом

 

Емкость диода меняется при изменениях обратного напряжения смещения диода. Начальное обратное напряжение подводится к диоду от делителя R1R3, шунтированного конденсатором C1. Резистор R2 развязывает схему питания от резонансного контура генератора. Мгновенное значение напряжения на емкостном диоде является суммой напряжения смещения и напряжения низкой частоты, подведенного с помощью трансформатора. В результате к LC‑контуру генератора параллельно подключается переменная емкость. Из‑за того что приращение емкости ΔС емкостного диода изменяется вместе с изменением модулирующего сигнала, частота колебаний генератора подвергается изменению, пропорциональному амплитуде сигнала.

Помимо представленных методов непосредственной модуляции применяется метод косвенной частотной модуляции, позволяющий поддерживать соответствующее постоянство несущей частоты при отсутствии модуляции. Для осуществления такого метода используются модулятор Армстронга (косвенный частотный модулятор – прим. перев.), снабженный кварцевым генератором, и схемой фазовой модуляции, вырабатываемой путем суммирования сдвинутых на 90° боковых полос амплитудной модуляции с несущей. В результате использования схемы, позволяющей перейти от фазовой модуляции к частотной, и ограничения амплитуды выходного сигнала получают сигнал с чистой частотной модуляцией.