Тест № 7 Физические основы электронных приборов

Вариант 1

1. Укажите верное соотношение между удельными сопротивлениями проводников ρ₁, полупроводников ρ₂ и диэлектриков ρ₃.

       А. ρ₁ › ρ₂ › ρ₃   

            Б. ρ₁ ‹ ρ₂ › ρ₃     

            В. ρ₁ ‹ ρ₂ ‹ ρ₃   

            Г. ρ₁ = ρ₂ › ρ₃ 

2. Продолжите фразу «Полупроводниковый прибор с двумя взаимодействующими электронно-дырочными переходами и тремя или более выводами, усилительные свойства которого обусловлены явлениями инжекции и экстракции носителей заряда называется …»

А. Полупроводниковым тиристором.

Б. Полевым транзистором.

В. Биполярным транзистором.

Г. Туннельным диодом.

 

1. Продолжите фразу «Полупроводниковый прибор с тремя или более выводами, усилительные свойства которого обусловлены управляемым с помощью электрического поля потоком основных носителей заряда, протекающих через проводящий канал, называется …»

А. Полупроводниковым тиристором.

Б. Полевым транзистором.

В. Биполярным транзистором.

Г. Туннельным диодом.

 

1. Какие носители заряда являются неосновными в полупроводнике p- типа?

А. Электроны и дырки в равной степени.

Б. Электроны

В. Дырки

        Г. Ионы

 

1. Назовите верное соответствие электрода транзистора и его номера, УГО которого показано на рисунке 1.                                                                                                                      

А. 1- сток, 2- исток, 3- затвор                                              

Б. 1- исток, 2- затвор, 3- сток                               

В. 1- эмиттер, 2- коллектор, 3- база

Г. 1- коллектор, 2- эмиттер, 3- база                                                  

                                                2

          3                                                                                                                      

                                                                                                                                        

                                             1        Рис.1.                                                                                                

1. Что такое p – n – переход?

А. Слой в монокристалле между проводником и полупроводником.

       Б. Слой на границе области двух полупроводников с одинаковым типом проводимости.

        В. Слой на границе области двух полупроводников с разным типом проводимости.

        Г. Процесс перехода электронов из зоны валентности в зону проводимости полупроводника.

1. Расшифруйте сокращенное название полевого транзистора МОП.

А. Металл, оксид кремния, полупроводник.

Б. Металл, окисел кремния, проводник.

В. Медь, оксид германия, полупроводник.

Г. Металл, оксид германия, проводник.

1. От чего зависит ширина барьера p – n – перехода?

А. От вещества основного полупроводника.

        Б. От величины тока через барьер.

В. От величины приложенного к нему напряжения.

Г. От температуры.

1. Продолжите фразу «Полупроводниковый прибор с двумя устойчивыми состояниями, имеющий три и более p – n – перехода и способный переключаться из закрытого состояния в открытое и наоборот называется…»

А. Полупроводниковым тиристором.

Б. Полевым транзистором.

В. Биполярным транзистором.

Г. Туннельным диодом.

1. Укажите верное соотношение:

 

1	Выпрямительный диод		А
2	Биполярный транзистор р- n -р типа		Б
3	Полевой транзистор с р - каналом		В
4	Варистор		Г
5	Туннельный диод		Д
6	МДП транзистор с встроенным р - каналом		Е
7	МДП транзистор с индуцированным n - каналом		Ж
8	Тиристор		З

 

 

Критерии оценки результатов тестирования.

За 5- 8 баллов оценка «3»

За 9 – 10  баллов оценка «4»

 

Тест №7

 «Физические основы электронных приборов»

Вариант 2

 

1. Как изменяется с ростом температуры сопротивление проводников и полупроводников?

         А. Сопротивление проводников увеличивается, сопротивление полупроводников уменьшается.

         Б. Сопротивление проводников уменьшается, сопротивление полупроводников увеличивается.

         В. Сопротивление проводников уменьшается, сопротивление полупроводников не изменяется.

         Г. Сопротивление проводников не изменяется, сопротивление полупроводников уменьшается.

1. Как называются полупроводниковые приборы, в которых под действием света изменяется их электрическое сопротивление?

  А. Фотодиоды.  

         Б. Фоторезисторы.

         В. Фототранзисторы

         Г. Фототиристоры.

1. В каких транзисторах принцип работы основан на том, что ток, текущий через базу, создается дырками, инжектированными из эмиттера?

А. Полевые транзисторы с каналом n- типа.

Б. Полевые транзисторы с каналом р- типа.

В. Униполярные транзисторы n -р- n типа.

Г. Биполярные транзисторы р- n -р типа.

1. Какие носители заряда являются основными в полупроводнике с донорной примесью?

        А. Электроны и дырки в равной степени.

        Б. Электроны

        В. Дырки

        Г. Ионы

1. Назовите верное соотношение названия электрода транзистора и его номера, УГО которого показано на рис. 1.                                                                                                                    

А. 1- сток, 2- исток, 3- затвор                                              

Б. 1- затвор, 2- сток, 3- исток

В. 1- эмиттер, 2- коллектор, 3- база

Г. 1- коллектор, 2- эмиттер, 3- база

                                                        

                    2

 

                     3

1                                   Рис.1      

 

6. Продолжите утверждение «Процесс образования пары подвижных носителей заряда «электрон проводимости –дырка проводимости», сопровождающийся поглощением энергии называется…»

А. генерацией.

Б. рекомбинацией. 

В. пробоем   

Г. фотоэффектом.

1. Укажите, какой  статический режим работы биполярного транзистора не существует.

А. Активный.

Б. Реактивный

В. Насыщения

Г. Инверсный

1. Продолжите утверждение «Вероятность возникновения туннельного эффекта (зереновского пробоя) возрастает…»

А. при уменьшении толщины p – n – перехода.

Б. при увеличении толщины p – n – перехода

В. при уменьшении напряжения, подводимого к p – n – переходу

Г. при увеличении напряжения, подводимого к p – n – переходу.

1. Как называются выводы тиристора?

А. А нод, э миттер, управляющий электрод.

Б. Анод, катод, подложка.

В. Анод, катод, коллектор.

Г. Анод, катод, управляющий электрод.

1. Укажите верное соотношение:

1	Биполярный транзистор n -р- n типа		А
2	Варистор		Б
3	Стабилитрон		В
4	Полевой транзистор с n -каналом		Г
5	МДП транзистор с встроенным n - каналом		Д
6	Светодиод		Е
7	Варикап		Ж
8	МДП транзистор с индуцированным р - каналом		З