Регулювання напруги на навантаженні,

Резервування мереж постійного струму,

Контроль і керування за допомогою мікропроцесорів,

Використання силового обладнання, виконаного у вигляді компактних і легких модульних пристроїв.

Планування систем електроживлення

При плануванні системи електроживлення необхідно відповісти на наступні питання:

який тип електрообладнання буде забезпечуватися електроживленням (комутаційна техніка, контрольні пристрої та інше);

яка СВМ-арна потужність цих пристроїв і яке очікуване енергоспоживання цих пристроїв у найближчому майбутньому;

параметри вхідної мережі змінного струму: номінальна напруга, кількість фаз;

скільки відводів для споживача повинно бути реалізовано;

яка частка обладнання із твердим допуском напруги або іншого номіналу (замовлення DC-DC перетворювача);

потреба в наявності гарантованого електроживлення споживачів змінного струму і яка їхня СВМ-арна потужність (замовлення інверторів)

необхідність віддаленого моніторингу за роботою систем електроживлення;

який час задається при роботі від акумуляторних батарей, який максимальний час їхнього відновлення при їх повному розряді, скільки груп акумуляторних батарей передбачається встановити; визначення необхідності установки резервної дизельної або газової електростанції;

У яких умовах передбачається експлуатація електроживлячого обладнання (температура, вологість, вібрація й т.д.).

Структура системи електроживлення

А). Загальні відомості про системи електроживлення

Для задоволення своїх потреб, у процесі життєдіяльності, людство в цілому і людина зокрема змушені споживати різні види енергії, що існують у природі. Наприклад: хімічну енергію їжі - для забезпечення функціонування свого організму; енергію вогню - для обігріву, освітлення, а також у виробничих потребах, потенційну енергію падаючої води (рік, водоспадів) - для одержання механічної енергії приводних механізмів і т.д. Крім цього людина здавна використовувала енергію сонця, вітру, надр Землі, сили ваги і т.д. Але найбільше часто використовуваним видом енергії, за останні 100 років, стала електрична енергія.

У чому ж причина такий «популярності» електричної енергії? Це пояснюється тим, що вона володіє трьома унікальними властивостями:

- електричну енергію можна перетворювати практично в будь-який інший вид енергії (теплову, хімічну, світлову, механічну, енергію різних видів випромінювань і т.п.);

- електричну енергію можна одержувати практично з будь-якого іншого виду енергії (із тепловий, хімічної, механічної, світлової, ядерної і т.д.);

- електричну енергію можна передавати практично на будь-які відстані від джерел до споживачів.

Саме ці властивості перетворили електроенергетику в основу технічного прогресу й економічної мощі будь-якої держави.

Держава має безліч об'єктів, що, споживаючи електричну енергію, забезпечують виконання різних функцій. Об'єкти, що виконують воєнні функції держави, є військовими об'єктами (ВО).

В оснащені різними видами озброєння і військової техніки, що споживають електричну енергію. При цьому на ВО є споживачі, що вирішують загальні задачі (освітлення, обігрів, вентиляція і т.п.) і споживачі, що забезпечують виконання спеціальних задач (як правило, це - застосування за призначенням різних видів озброєнь). Тому усі ВО, як споживачі електричної енергії, можна розділити на об'єкти загальновійськового і спеціального призначення.

Таким чином, виникає необхідність у забезпеченні всіх споживачів електричною енергією. Цю задачу покликані вирішувати системи електроживлення (СЕЖ).

До складу СЕЖ входять різні пристрої, кожний з яких покликаний виконувати свої функції. Сукупність пристроїв та їхній взаємозв'язок утворюють структуру СЕЖ. У залежності від вимог із боку споживачів СЕЖ можуть мати різні структури, котрими й забезпечується виконання цих вимог.

Крім цього, забезпечення запропонованих до СЕЖ вимог може здійснюватися ще за допомогою організації різних режимів роботи устаткування СЕП.

Крім СЕЖ, для забезпечення об'єктів електричною енергією використовуються вторинні джерела електроживлення, розподільні мережі, перетворювальні пристрої та т.п., що разом із СЕЖ являють собою електротехнічні системи озброєння та військової техніки.

Таким чином, існує ряд питань, зв'язаних із забезпеченням споживачів електричною енергією, у процесі рішення котрих необхідно здійснювати обгрунтований вибір як структури електротехнічної системи в цілому, так і її конкретного устаткування, вибирати режими роботи СЕЖ, параметри її елементів та т.д.

 

22. Класифікація силових перетворювачів електричної енергії.

Основними елементами перетворювальної техніки є нелінійні елементи, вольт-амперна характеристика яких наближається до ідеалізованої характеристики елемента ключового чи релейного типу. Елементи з такими характеристиками мають два явно виражених стани: ввімнений, що відповідає високій провідності, та вимкнений, що відповідає низькій провідності. Функції ключів в перетворювальній техніці виконують напівпровідникові прилади різних типів.

Силові напівпровідникові прилади класифікують за принципом дії, степенем керованості, призначенням.

За принципом дії силові напівпровідникові перетворювачі поділяють на діоди, тиристори та транзистори.

За степенем керованості силові перетворювачі поділяють на:

1) не повністю керовані прилади, які можна за допомогою керуючого імпульса переводити у провідний стан, але не навпаки (тиристори);

2) повністю керовані прилади, які можна переводити в провідний стан і навпаки за допомогою керуючого імпульса (транзистори та запірні тиристори).

 

 

Всі можливі види силових перетворювачів електричної енергії показані на рис. 1.1.

 

Рис. 1.1. Основні типи силових перетворювачів

 

23. Класифікація напівпровідникових елементів, які використовуються в перетворювачах.

Графические обозначения и стандарты

 

В технической документации и специальной литературе применяются условные графические обозначения полупроводниковых приборов в соответствии с ГОСТ 2.730-73 "Обозначения условные, графические в схемах. Приборы полупроводниковые". В таблице 13 приведены графические обозначения основных полупроводниковых приборов.

 

Таблица 13. Графические обозначения полупроводниковых приборов

 

Таблица 1

Наименование	Обозначение
1. (Исключен, Изм. № 2).
2. Электроды:
база с одним выводом
база с двумя выводами
Р -эмиттер с N -областью
N -эмиттер с Р-областью
несколько Р-эмиттеров с N -областью
несколько N -эмиттеров с Р-областью
коллектор с базой
несколько коллекторов, например, четыре коллектора на базе
3. Области: область между проводниковыми слоями с различной электропроводностью. Переход от Р-области к N -области и наоборот
область собственной электропроводности (I -область): l) между областями с электропроводностью разного типа PIN или NIP
2) между областями с электропроводностью одного типа PIP или NIN
3) между коллектором и областью с противоположной электропроводностью PIN или NIP
4) между коллектором и областью с электропроводностью того же типа PIP или NIN
4. Канал проводимости для полевых транзисторов: обогащенного типа
обедненного типа
5. Переход PN
6. Переход NP
7. Р-канал на подложке N -типа, обогащенный тип
8. N -канал на подложке Р-типа, обедненный тип
9. Затвор изолированный
10. Исток и сток Примечание. Линия истока должна быть изображена на продолжении линии затвора, например:
11. Выводы полупроводниковых приборов:
электрически, не соединенные с корпусом
электрически соединенные с корпусом
12. Вывод корпуса внешний. Допускается в месте присоединения к корпусу помещать точку

(Измененная редакция, Изм. № 2, 3).

3, 4. (Исключены, Изм. № 1).

5. Знаки, характеризующие физические свойства полупроводниковых приборов, приведены в табл.4.

Таблица 4

Наименование	Обозначение
1. Эффект туннельный
а) прямой
б) обращенный
2. Эффект лавинного пробоя: а) односторонний
б) двухсторонний 3-8. (Исключены, Изм. № 2).
9. Эффект Шоттки

6. Примеры построения обозначений полупроводниковых диодов приведены в табл. 5.

Таблица 5

Наименование	Обозначение
1. Диод
Общее обозначение
2. Диод туннельный
3. Диод обращенный
4. Стабилитрон (диод лавинный выпрямительный)
а) односторонний
б) двухсторонний
5. Диод теплоэлектрический
6. Варикап (диод емкостный)
7. Диод двунаправленный
8. Модуль с несколькими (например, тремя) одинаковыми диодами с общим анодным и самостоятельными катодными выводами
8a. Модуль с несколькими одинаковыми диодами с общим катодным и самостоятельными анодными выводами
9. Диод Шотки
10. Диод светоизлучающий

7. Обозначения тиристоров приведены в табл. 6.

Таблица 6

Наименование	Обозначение
1. Тиристор диодный, запираемый в обратном направлении
2. Тиристор диодный, проводящий в обратном направлении
3. Тиристор диодный симметричный
4. Тиристор триодный. Общее обозначение
5. Тиристор триодный, запираемый в обратном направлении с управлением: по аноду
по катоду
6. Тиристор триодный выключаемый: общее обозначение
запираемый в обратном направлении, с управлением по аноду
запираемый в обратном направлении, с управлением по катоду
7. Тиристор триодный, проводящий в обратном направлении:
общее обозначение
с управлением по аноду
с управлением по катоду
8. Тиристор триодный симметричный (двунаправленный) - триак
9. Тиристор тетроидный, запираемый в обратном направлении

Примечание. Допускается обозначение тиристора с управлением по аноду изображать в виде продолжения соответствующей стороны треугольника.

8. Примеры построения обозначений транзисторов с Р- N -переходами приведены в табл. 7.

Таблица 7

Наименование	Обозначение
1. Транзистор а) типа PNP
б) типа NPN с выводом от внутреннего экрана
2. Транзистор типа NPN, коллектор соединен с корпусом
3. Транзистор лавинный типа NPN
4. Транзистор однопереходный с N-базой
5. Транзистор однопереходный с Р-базой
6. Транзистор двухбазовый типа NPN
7. Транзистор двухбазовый типа PNIP с выводом от i-области
8. Транзистор двухразовый типа P NIN с выводом от I -области
9. Транзистор многоэмиттерный типа NPN
Примечание. При выполнении схем допускается: а) выполнять обозначения транзисторов в зеркальном изображении, например, б) изображать корпус транзистора.

Таблица 8

Наименование	Обозначение
1. Транзистор полевой с каналом типа N
2. Транзистор полевой с каналом типа Р
3. Транзистор полевой с изолированным затвором баз вывода от подложки:
а) обогащенного типа с Р-каналом
б) обогащенного типа с N-каналом
в) обедненного типа с Р-каналом
г) обедненного типа с N-каналом
4. Транзистор полевой с изолированным затвором обогащенного типа с N-каналом, с внутренним соединением истока и подложки
5. Транзистор полевой с изолированным затвором с выводом от подложки обогащенного типа с Р-каналом
6. Транзистор полевой с двумя изолированными затворами обедненного типа с Р-каналом с выводом от подложки
7. Транзистор полевой с затвором Шоттки
8. Транзистор полевой с двумя затворами Шоттки

Примечание. Допускается изображать корпус транзисторов.

10. Примеры построений обозначений фоточувствительных и излучающих полупроводниковых приборов приведены в табл. 9.

Таблица 9

Наименование	Обозначение
1. Фоторезистор: а) общее обозначение
б) дифференциальный
2. Фотодиод
З. Фототиристор
4. Фототранзистор:
а) типа PNP
б) типа NPN
5. Фотоэлемент
6. Фотобатарея

Таблица 10

Наименование	Обозначение
1. Оптрон диодный
2. Оптрон тиристорный
3. Оптрон резисторный
4. Прибор оптоэлектронный с фотодиодом и усилителем:
а) совмещенно
б) разнесенно
5. Прибор оптоэлектронный с фототранзистором: а) с выводом от базы
б) без вывода от базы

Примечания:

1. Допускается изображать оптоэлектронные приборы разнесенным способом. При этом знак оптического взаимодействия должен быть заменен знаками оптического излучения и поглощения по ГОСТ 2.721-74,

например:

2. Взаимная ориентация обозначений источника и приемника не устанавливается, а определяется удобством вычерчивания схемы, например:

12. Примеры построения обозначений прочих полупроводниковых приборов приведены в табл. 11.

Таблица 11

Наименование	Обозначение
1. Датчик Холла
Токовые выводы датчика изображены линиями, отходящими от коротких сторон прямоугольника
2. Резистор магниточувствительный
3. Магнитный разветвитель

13. Примеры изображения типовых схем на полупроводниковых диодах приведены в табл. 12.

Таблица 12

Наименование	Обозначение
1. Однофазная мостовая выпрямительная схема:
а) развернутое изображение
б) упрощенное изображение (условное графическое обозначение) Примечание. К выводам 1-2 подключается напряжение переменного тока; выводы 3-4 - выпрямленное напряжение; вывод 3 имеет положительную полярность. Цифры 1, 2, 3 и 4 указаны для пояснения.
Пример применения условного графического обозначения на схеме
2. Трехфазная мостовая выпрямительная схема
3. Диодная матрица (фрагмент)
Примечание. Если все диоды в узлах матрицы включены идентично, то допускается применять упрощенный способ изображения. При этом на схеме должны быть приведены пояснения о способе включения диодов

14. Условные графические обозначения полупроводниковых приборов для схем, выполнение которых при помощи печатающих устройств ЭВМ предусмотрено стандартами Единой системы конструкторской документации, приведены в табл. 13.

Таблица 13

Наименование	Обозначение	Отпечатанное обозначение
1. Диод
2. Транзистор типа PNР
3. Транзистор типа NPN
4. Транзистор типа PNIP с выводом от I -области
5. Многоэмиттерный транзистор типа NPN

24.Тиристори(з повним та неповним керуванням), симистори.

1.1 Структура та принципи роботи тиристора

Тиристор - це перемикаючий напівпровідниковий прилад, що пропускає струм в одному напрямку. Цей радіоелемент часто порівнюють з керованим діодом і називають напівпровідниковим керованим вентилем (Silicon Controlled Rectifier, SCR).

Тиристор має три вивода, один з яких - керуючий електрод, можна сказати, "спусковий гачок" - використовується для різкого переводу тиристора у включеному стані.

Тиристор суміщає в собі функції випрямляча, вимикача і підсилювача. Часто він використовується як регулятор, головним чином, коли схема живиться змінною напругою. Нижченаведені пункти розкривають чотири основні властивості тиристора:

* тиристор, як і діод, проводить в одному напрямі, проявляючи себе як випрямляч;

* Тиристор переводиться з вимкненого стану у ввімкнений при подачі сигналу на керуючий електрод і, отже, як вимикач має два стійких стани. Тим не менше для повернення тиристора у вимкнений (розімкнутий) стан необхідно виконати спеціальні умови;

* керуючий струм, необхідний для переводу тиристора із закритого стану у відкритий, значно менший (декілька міліампер) при робочому струмі в декілька ампер і навіть в декілька десятків ампер. Отже, тиристор має властивості підсилювача струму;

* середній струм через навантаження, включене послідовно з тиристором, можна точно регулювати залежно від тривалості сигналу на керуючому електроді. Тиристор при цьому є регулятором потужності.

Вольт-амперна характеристика тиристора ВАХ тиристора (з керуючими електродами або без них) наведена на рис 1.1.1 Вона має кілька ділянок:

Рисунок 1.1.1 - Вольтамперна характеристика тиристора

* Між точками 0 і 1 знаходиться ділянка, відповідний високому опору приладу - пряме замикання.

* У точці 1 відбувається включення тиристора. * Між точками 1 і 2 знаходиться ділянка з негативним диференціальним опором.

* Ділянка між точками 2 і 3 відповідає відкритому станом (прямий провідності).

* У точці 2 через прилад протікає мінімальний тримає струм I_h.

* Ділянка між 0 і 4 описує режим зворотного запирання приладу.

* Ділянка між 4 і 5 - режим зворотного пробою.

Структура тиристора

Тиристором називається керований трьохелектродний напівпровідниковий прилад, що складається з чотирьох кремнієвих шарів типу р і n, що чергуються. Напівпровідниковий прилад з чотиришаровою структурою представлений на рис. 1.1.2.

Крайню область р-структури, до якої підключається позитивний полюс джерела живлення, прийнято називати анодом, а крайню область n, до якої підключається негативний полюс цього джерела, - катодом.

Властивості тиристора в закритому стані

У відповідності до структури тиристора можна виділити три

Рисунок 1.1.2 - Структура і позначення тиристора

електронно-діркового переходів і замінити тиристор еквівалентної схемою, як показано на рис. 1.1.3.

Ця еквівалентна схема дозволяє зрозуміти поведінку тиристора з відключеним керуючим електродом.

Якщо анод позитивний по відношенню до катода, то діод D2 закрито, що призводить до закриття тиристора, зміщеного в цьому випадку в прямому напрямку. За іншої полярності діоди D1 та D2 зміщені у зворотному напрямку, і Тиристор також закритий.

Рисунок 1.1.3 - Представлення тиристора трьома діодами

Принцип відмикання за допомогою керуючого електрода Еквівалентна представлення структури р-n-p-n у вигляді двох транзисторів показано на рис. 1.1.4.

Представлення тиристора у вигляді двох транзисторів різного типу провідності призводить до еквівалентної схемою, представленої на рис. 4.

Вона наочно пояснює явище відмикання тиристора. Задамо струм I_GT через керуючий електрод тиристора, зміщеного в прямому напрямку (напруга U_AK позитивна), як показано на рис. 1.1.5.

Оскільки струм I_GT стає базовим струмом транзистора n-p-n, то струм колектора цього транзистора дорівнює B₁•I_GT, де B₁ - коефіцієнт підсилення по струму транзистора Т1.

Цей струм одночасно є базовим струмом транзистора р-n-р, що приводить до його відмикання. Струм колектора транзистора Т2 становить величину B₁•B₂•I_GT і підсумовується зі струмом I_GT, що підтримує транзистор Т1 у відкритому стані. Тому, якщо керуючий струм IGT досить великий, обидва транзистора переходять в режим насичення.

Ланцюг внутрішньої зворотного зв'язку зберігає провідність тиристора навіть у випадку зникнення початкового струму керуючого електрода I_GT, при цьому струм анода (1А) залишається досить високим.

Типова схема запуску тиристора наведена на рис. 1.1.6

Рисунок 1.1.4 - Розбиття тиристора на два транзистора

Рисунок 1.1.5 - Представлення тиристора у вигляді двухтранзисторної схеми

Рисунок 1.1.6 - Типова схема запуску тиристора

Відключення тиристора

Рисунок 1.1.7 - Способи відключення тиристора

Тиристор перейде в закритий стан, якщо до керуючого електроду відкритого тиристора не доклав жодних сигнал, а його робочий струм спаде до деякого значення, званого струмом утримання (гіпостатичним струмом).

Відключення тиристора відбудеться, зокрема, якщо була розімкнути ланцюг навантаження (рис. 1.1.7а) або напруга, прикладена до зовнішньої ланцюга, поміняла полярність (це трапляється наприкінці кожного напівперіода змінної напруги живлення).

Коли тиристор працює при постійному струмі, відключення може бути зроблено за допомогою механічного вимикача.

Включений послідовно з навантаженням цей ключ використовується для відключення робочого ланцюга.

Включений паралельно основним електродів тиристора (рис. 1.1.7б) ключ шунтує анодний струм, і тиристор при цьому переходить в закритий стан. Деякі тиристори повторно вмикаються після розмикання ключа. Це пояснюється тим, що при розмиканні ключа заряджається паразитна ємність р-n переходу тиристора, викликаючи завади.

Тому вважають за краще розміщувати ключ між керуючим електродом і катодом тиристора (рис. 1.1.7в), що гарантує правильне відключення за допомогою відсікання утримуючого струму. Одночасно зміщується у зворотному напрямку перехід р-n, відповідний діоду D2 зі схеми заміщення тиристора трьома діодами (рис. 1.1.3).

На рис. 6а-д представлені різні варіанти схем відключення тиристора, серед них і раніше згадувані. Інші, як правило, застосовуються, коли потрібно відключати тиристор за допомогою додаткового ланцюга. У цих випадках механічний вимикач можна замінити допоміжним тиристором або ключовим транзистором, як показано на рис. 1.1.8.

Рисунок 1.1.8 - Класичні схеми відключення тиристора за допомогою додаткового ланцюга

1.2 Структура та принципи роботи симістора

Симіcтop - напівпровідниковий прилад, який широко використовується в системах, що харчуються змінною напругою. Спрощено він може розглядатися як керований вимикач. У закритому стані він веде себе як розімкнутий вимикач. Навпаки, подача керуючого струму на керуючий електрод сімістора веде до переходу його в провідний стан. У цей час симістор подібний замкнутому вимикачу.

При відсутності керуючого струму сімістор під час будь-якого напівперіоду змінної напруги живлення неминуче переходить зі стану провідності в закритий стан.

Крім роботи в релейному режимі в термостаті або світлочутливому вимикачі, розроблені і широко використовуються системи регулювання, які функціонують за принципом фазового управління напругою навантаження, або, іншими словами, плавні регулятори.

Структура симістора

Симістор можна представити двома тиристорами, ввімкненими зустрічно-паралельно. Він пропускає струм в обох напрямках. Структура цього напівпровідникового приладу показана на рис. 1.2.1. Симістор має три електрода: один керуючий і два основних для пропускання робочого струму.

Рисунок 1.2.1 - Функціонування симістора

Симістор відкривається, якщо через керуючий електрод проходить відпираючий струм або якщо напруга між його електродами А1 і А2 перевищує деяку максимальну величину (насправді це часто приводить до несанкціонованого спрацьовування симістора, що відбуваються при максимумі амплітуди напруги живлення).

Симістор переходить в закритий стан після зміни полярності між його висновками А1 і А2 або якщо значення робочого струму менше струму утримання I_У.

Відмикання симістора

У режимі змінного живлення зміна станів симістора викликається зміною полярності напруги на робочих електродах А1 і А2. Тому в залежності від полярності керуючого струму можна визначити чотири варіанти управління симістором, як показано на рис. 1.2.2.

Кожен квадрант відповідає одному способу відмикання симістора. Всі способи коротко описані в табл. 1.2.1.

Наприклад, якщо між робочими електродами симістора прикладають напругу V_A1-A2>0 і напруга на керуючому електроді негативно по відношенню до анода А₁, то зміщення симістора відповідає квадранту

Рисунок 1.2.2 - Чотири можливі варіанти управління сімістором

Таблиця 1.2.1 Спрощене уявлення способів відмикання симістора

Квадрант	VA2-A1	VG-A1	IGT	Обозначення
I	>0	>0	Слабкий	+ +
II	>0	<0	Середній	+ -
III	<0	<0	Середній	- -
IV	<0	>0	Високий	- +

II і спрощеним позначенню + -.

Для кожного квадранта визначені відпираючий струм I_від (I_GT), утримуючий струм I_ут (I_н) і струм ввімкнення I_ввім (I_L).

Відпираючий струм повинен зберігатися до тих пір, поки робочий струм не перевищить у два-три рази величину утримуючого струму I_н. Цей мінімальний відпираючий струм і є струмом ввімкнення сімістора I_L.

Потім, якщо прибрати струм через керуючий електрод, симістор залишиться в провідному стані до тих пір, поки анодний струм буде перевищувати струм утримання I_н.

Обмеження при використанні

Симістор накладає ряд обмежень при використанні, зокрема при індуктивного навантаження. Обмеження стосуються швидкості зміни напруги (dV/dt) між анодами симістора і швидкості зміни робочого струму di/dt.

Дійсно, під час переходу сімістора із закритого стану відкритий зовнішнім ланцюгом може бути викликаний значний струм. У той же час миттєвого падіння напруги на виводах сімістора не відбувається. Отже, одночасно будуть присутні напруга і струм, розвиваючі миттєву потужність, яка може досягти значних величин. Енергія, розсіяна в малому просторі, викличе різке підвищення температури р-n переходів. Якщо критична температура буде перевищена, то відбудеться руйнування симістора, викликане надмірною швидкістю наростання струму di/dt.

Обмеження також поширюються на зміну напруги двох категорій: на dV/dt стосовно до закритого симістору і на dV/dt при відкритому симісторі (останнє також називається швидкістю перемикання).

Надмірна швидкість наростання напруги, доданої між виводами А1 і А2 заритого симістора, може викликати його відкриття при відсутності сигналу на керуючому електроді. Це явище викликається внутрішньою ємністю симістора. Струм заряду цієї ємності може бути достатнім для відмикання сімістора.

Однак не це є основною причиною несвоєчасного відкриття. Максимальна величина dV/dt при перемиканні симістора, як правило, дуже мала, і занадто швидка зміна напруги на виводах симістора в момент його замикання може негайно ж спричинити за собою нове включення. Таким чином, сімістор заново відмикається, в той час як повинен закритися.

Рисунок 1.2.3 - Симістор із захисним RC-ланцюжком

При індуктивному навантаженні симістора або при захисті від зовнішніх перенапружень для обмеження впливу dV/dt та струму перевантаження бажано використовувати захисний RC-ланцюжок (рис. 1.2.3).

Розрахунок значень R і С залежить від декількох параметрів, серед яких - величина струму в навантаженні, значення індуктивності і номінального опору навантаження, робочої напруги, характеристик сімістора. Сукупність цих параметрів важко піддається точному опису, тому часто беруть до уваги емпіричні значення. Включення опору 100-150 Ом і конденсатора 100 нФ дає задовільні результати. Проте відзначимо, що значення опору повинно бути набагато менше (або одного порядку), ніж величина повного навантаження, будучи достатньо високим для того, щоб обмежити струм розряду конденсатора з метою дотримання максимального значення di/dt в момент відмикання.

RC-ланцюжок додатково покращує включення в провідний стан симістора, керуючого індуктивним навантаженням. Дійсно, струм розряду конденсатора усуває вплив затримки індуктивного струму, підтримуючи робочий струм вище мінімального значення утримуючого струму I_уд (I_н).

Рисунок 1.2.4 - Захист симістора за допомогою варистора

Додатковий захист, що заслуговує уваги, може бути забезпечений за допомогою варистора, підключеного до виводів індуктивного навантаження. Інший варистор, включений паралельно напрузі живлення, затримає завади, що розповсюджуються по мережі живлення. Захист симістора також забезпечується при підключенні варистора паралельно його виводам А1 і А2 (рис. 1.2.4).

 

25.Транзистори (різновиди, основні схеми ввімкнення,вихідні ВАХ та ін..)

Транзи́стор (англ. transfer — «переносити» і англ. resistor — «опір») — напівпровідниковий елемент електронної техніки, який дозволяє керувати струмом, що протікає через нього, за допомогою прикладеної до додаткового електрода напруги.

Транзистори є основними елементами сучасної електроніки. Зазвичай вони застосовуються в підсилювачах і логічних електронних схемах. У